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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 电流 - 保持 (Ih)(最大) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 全部可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 噪声系数 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f) 电容比 电容比条件 Q@Vr,F
MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5300NR1 66.1000
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ECAD 4218 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270AB MRFE6 1.8MHz~600MHz LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100毫安 300W 27分贝 - 50V
NUR460/L02,112 NXP USA Inc. NUR460/L02,112 -
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ECAD 9169 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 通孔 DO-201AD,缝合 NUR460 标准 DO-201AD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.28V@4A 65纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 4A -
PSMN5R0-100ES,127 NXP USA Inc. PSMN5R0-100ES,127 -
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ECAD 4441 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
A3I35D025GNR1 NXP USA Inc. A3I35D025GNR1 -
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ECAD 8947 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 28V 表面贴装 TO-270-17变体,鸥翼型 3.2GHz~4GHz LDMOS TO-270WBG-17 - REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 500 - 3.4W 27.8分贝 -
PZU6.8B1A115 NXP USA Inc. PZU6.8B1A115 1.0000
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ECAD 5633 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
MW6S010GNR1 NXP USA Inc. MW6S010GNR1 23.4700
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ECAD 124 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 68V 表面贴装 TO-270BA MW6S010 960兆赫 LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 125毫安 10W 18分贝 - 28V
BYV10EX-600P127 NXP USA Inc. BYV10EX-600P127 0.4100
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1
AFV121KGSR5 NXP USA Inc. AFV121KGSR5 621.2116
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ECAD 8369 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 112V 表面贴装 NI-1230-4S GW AFV121 960MHz~1.22GHz LDMOS NI-1230-4S 海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935313048178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 1000W 19.6分贝 - 50V
BB143,115 NXP USA Inc. BB143,115 -
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ECAD 7514 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 BB14 SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 2.55pF @ 4V、1MHz 单身的 6V 2.35 C1/C4 -
BUK7E3R5-60E,127 NXP USA Inc. BUK7E3R5-60E,127 0.9500
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ECAD 710 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 316 N沟道 60V 120A(温度) 10V 3.5毫欧@25A,10V 4V@1mA 114nC@10V ±20V 8920pF@25V - 293W(温度)
1PS59SB20,115 NXP USA Inc. 1PS59SB20,115 -
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ECAD 2219 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1PS59 肖特基 SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 550 毫伏 @ 500 毫安 35V时为100μA 125℃(最高) 500毫安 90pF @ 0V、1MHz
NXPS20H100C,127 NXP USA Inc. NXPS20H100C,127 0.2700
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ECAD 3 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-3 肖特基 TO-220AB 下载 EAR99 8542.39.0001 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 770 毫伏 @ 10 安 100V时为4.5μA 175℃(最高)
BUK7Y25-80E/CX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/CX -
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ECAD 9726 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 80V 39A(温度) 10V 25毫欧@10A,10V 4V@1mA 10V时为25.9nC ±20V 1800pF@25V - 95W(温度)
BFG94,115 NXP USA Inc. BFG94,115 -
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ECAD 2198 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA BFG94 700毫W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 - 12V 60毫安 NPN 45@30mA,5V 6GHz 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
1N4738A,113 NXP USA Inc. 1N4738A,113 0.0400
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ECAD 370 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 1N47 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000
PH3430AL,115 NXP USA Inc. PH3430AL,115 -
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ECAD 7445 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH34 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934063086115 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 100A(温度) 3.5毫欧@15A,10V 2.15V@1mA 41nC@10V 12V时为2458pF - -
BUK7535-100A,127 NXP USA Inc. BUK7535-100A,127 0.4300
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ECAD 8 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛秃75 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BZX79-B6V8,143 NXP USA Inc. BZX79-B6V8,143 0.0200
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ECAD 65 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 2μA@4V 6.8V 15欧姆
MAC97A8,116 NXP USA Inc. MAC97A8,116 0.1100
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 TO-92-3 下载 EAR99 8541.30.0080 2,777 单身的 10毫安 逻辑 - 敏感门 600伏 600毫安 2V 8A、8.8A 5毫安
BUK9K13-60EX NXP USA Inc. BUK9K13-60EX -
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ECAD 6785 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛洼9K13 MOSFET(金属O化物) 64W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 60V 40A 12.5毫欧@10A,5V 2.1V@1mA 22.4nC@5V 2953pF@25V 逻辑电平门
BTA208-800F,127 NXP USA Inc. BTA208-800F,127 0.3500
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ECAD 39 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 TO-220AB 下载 EAR99 8541.30.0080 第760章 单身的 30毫安 标准 800V 8A 1.5V 65A、71A 25毫安
BCM856DS/DG/B2115 NXP USA Inc. BCM856DS/DG/B2115 1.0000
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ECAD 4169 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF7S19210HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19210HSR5 -
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ECAD 1011 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4A 63W 20分贝 - 28V
2N5401,412 NXP USA Inc. 2N5401,412 -
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ECAD 3384 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2N54 630毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 150伏 300毫安 50nA(ICBO) 国民党 500毫伏@5毫安,50毫安 60@10mA,5V 300兆赫
PZM3.9NB2A,115 NXP USA Inc. PZM3.9NB2A,115 -
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ECAD 9634 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±3% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM3.9 220毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 1V时为3μA 3.9V 90欧姆
MRF9060LR5 NXP USA Inc. MRF9060LR5 -
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ECAD 9497 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-360 MRF90 945兆赫 LDMOS NI-360短接头 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 450毫安 60W 17分贝 - 26V
BUK9107-40ATC,118 NXP USA Inc. BUK9107-40ATC,118 1.0000
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ECAD 3350 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-5、D²Pak(4引脚+接片)、TO-263BB MOSFET(金属O化物) SOT-426 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 6.2毫欧@50A,10V 2V@1mA ±15V 5836pF@25V 温度传感方向 272W(温度)
BUK7614-55A,118 NXP USA Inc. BUK7614-55A,118 -
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ECAD 4647 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼76 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 73A(温度) 10V 14毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 25V时为2464pF - 166W(温度)
PZM22NB3,115 NXP USA Inc. PZM22NB3,115 -
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ECAD 1093 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM22 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 17V时为70nA 22V 25欧姆
PZU10B1A115 NXP USA Inc. PZU10B1A115 0.0200
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ECAD 6445 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 9,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库