SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 电流 -最大 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电阻 @ if,f 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
BC638,112 NXP USA Inc. BC638,112 -
RFQ
ECAD 9384 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 100MHz
BB135,115 NXP USA Inc. BB135,115 0.4500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BB135 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 2.1pf @ 28V,1MHz 单身的 30 V 12 C0.5/C28 -
BB148,115 NXP USA Inc. BB148,115 -
RFQ
ECAD 2423 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BB14 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 2.75pf @ 28V,1MHz 单身的 30 V 15 C1/C28 -
BB153,135 NXP USA Inc. BB153,135 -
RFQ
ECAD 6569 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BB15 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 2.754pf @ 28V,1MHz 单身的 32 v 15 C1/C28 -
BB184,115 NXP USA Inc. BB184,115 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BB18 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 2.13pf @ 10V,1MHz 单身的 13 V 7 C1/C10 -
BB208-03,135 NXP USA Inc. BB208-03,135 -
RFQ
ECAD 7903 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BB20 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 5.4pf @ 7.5V,1MHz 单身的 10 v 5.2 C1/C7.5 -
BC337-16,112 NXP USA Inc. BC337-16,112 -
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC33 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
BC368,126 NXP USA Inc. BC368,126 -
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC36 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 20 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 100mA,1a 85 @ 500mA,1V 170MHz
BC638,126 NXP USA Inc. BC638,126 -
RFQ
ECAD 8083 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 100MHz
BC638,116 NXP USA Inc. BC638,116 -
RFQ
ECAD 5664 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 100MHz
BC639,126 NXP USA Inc. BC639,126 -
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 180MHz
BC639,116 NXP USA Inc. BC639,116 -
RFQ
ECAD 3889 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 180MHz
BFG540/XR,215 NXP USA Inc. BFG540/XR,215 -
RFQ
ECAD 3122 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-143R BFG54 400MW SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 120mA NPN 100 @ 40mA,8v 9GHz 1.3db〜2.4dB @ 900MHz
BF1105R,215 NXP USA Inc. BF1105R,215 -
RFQ
ECAD 2047 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 7 V 表面安装 SOT-143R BF110 800MHz MOSFET SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA - 20dB 1.7dB 5 v
PH6030L,115 NXP USA Inc. PH6030L,115 -
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PH60 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 76.7a(TC) 4.5V,10V 6mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 15.2 NC @ 4.5 V ±20V 2260 pf @ 12 V - 62.5W(TC)
PH9030L,115 NXP USA Inc. PH9030L,115 -
RFQ
ECAD 9124 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PH90 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 63A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 13.3 NC @ 4.5 V ±20V 1565 pf @ 12 V - 62.5W(TC)
PHU77NQ03T,127 NXP USA Inc. PHU77NQ03T,127 -
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA PHU77 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 75A(TC) 10V 9.5MOHM @ 25A,10V 3.2V @ 1mA 17.1 NC @ 10 V ±20V 860 pf @ 12 V - 107W(TC)
PHU97NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU97NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 8021 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA PHU97 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 75A(TC) 4.5V,10V 6.6mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 11.7 NC @ 4.5 V ±20V 1570 pf @ 12 V - 107W(TC)
BAP50LX,315 NXP USA Inc. BAP50LX,315 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) SOD-882 BAP50 SOD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 50 mA 150兆 0.35pf @ 5V,1MHz PIN-单 50V 3ohm @ 10mA,100MHz
BAP51LX,315 NXP USA Inc. BAP51LX,315 -
RFQ
ECAD 6447 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 2-XDFN BAP51 DFN1006D-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 100 ma 140兆 0.3pf @ 5V,1MHz PIN-单 60V 1.5OHM @ 100mA,100MHz
BAP64LX,315 NXP USA Inc. BAP64LX,315 0.4300
RFQ
ECAD 1439 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) SOD-882 BAP64 SOD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 100 ma 150兆 0.3pf @ 20V,1MHz PIN-单 60V 1.5OHM @ 100mA,100MHz
BAP65LX,315 NXP USA Inc. BAP65LX,315 0.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) SOD-882 BAP65 SOD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 100 ma 135兆 0.37pf @ 20V,1MHz PIN-单 30V 350MOHM @ 100mA,100MHz
BF1208,115 NXP USA Inc. BF1208,115 -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 6 V 表面安装 SOT-563,SOT-666 BF120 400MHz MOSFET SOT-666 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道双门 30mA 19 ma - 32dB 1.3dB 5 v
MRF6V2150NBR5 NXP USA Inc. MRF6V2150NBR5 -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 110 v 底盘安装 TO-272BB MRF6 220MHz ldmos TO-272 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 450 MA 150W 25dB - 50 V
MRF6VP11KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP11KHR5 -
RFQ
ECAD 1933年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 110 v 底盘安装 NI-1230S-4 GW MRF6 130MHz ldmos NI-1230S-4 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 150 ma 1000W 26dB - 50 V
ON5449,518 NXP USA Inc. ON5449,518 -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - ON5449 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935288031518 Ear99 8541.29.0095 600 - - - - -
ON5450,518 NXP USA Inc. ON5450,518 -
RFQ
ECAD 2493 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - ON5450 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935288032518 Ear99 8541.29.0095 600 - - - - -
BUK9240-100A/C1,11 NXP USA Inc. BUK9240-100A/C1,11 -
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 Buk92 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934061623118 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 33A(TC) 4.5V,10V 38.6mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±10V 3072 PF @ 25 V - 114W(TC)
ON5441,518 NXP USA Inc. ON5441,518 -
RFQ
ECAD 6986 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - ON5441 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 934063296518 Ear99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
ON5451,518 NXP USA Inc. ON5451,518 -
RFQ
ECAD 1667年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - ON5451 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 934063297518 Ear99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库