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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
PBSS4140DPN/DG/B2115	-	RFQ	1095	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PSMN8R5-100XSQ	-	RFQ	4908	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49a（TJ）	10V	8.5mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	5512 PF @ 50 V	-	55W（TC）
PMDPB28UN，115	-	RFQ	4161	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB		MOSFET （金属 o化物）	510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	4.6a		37MOHM @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	4.7nc @ 4.5V		265pf @ 10V	逻辑级别门
BUK6C3R3-75C，118	-	RFQ	3614	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					75 v	181a（TC）	10V	3.4mohm @ 90A，10V	2.8V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±16V	15800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PDZ4.7B，115	-	RFQ	7103	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PDZ4.7					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
PSMN4R3-100ES，127	-	RFQ	2460	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
PH3830L，115	-	RFQ	2751	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH38		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	98A（TC）	5V，10V	3.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	33 NC @ 5 V	±20V	3190 pf @ 10 V	-	62.5W（TC）
PMEM1505PG，115	-	RFQ	3880	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			125°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	PMEM1			300兆	5-tssop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					15 v	500 MA				100NA（ICBO）			PNP +二极管（隔离）	250mv @ 50mA，500mA	150 @ 100mA，2V	280MHz
MRF7S18170HR3	-	RFQ	6537	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.81GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	1.4 a	50W	17.5db											-						28 V
2PC1815GR，126	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PC18			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					50 V	150 ma				100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
PMDPB95XNE，115	-	RFQ	6669	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB95		MOSFET （金属 o化物）	475MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	2.4a		120MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		143pf @ 15V	逻辑级别门
PMN52XP115	0.0800	RFQ	636	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF6S19060MR1	-	RFQ	7994	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v			TO-270-4	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-						28 V
BB202,115	0.8000	RFQ	8811	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜85°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB202				SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																				11.2pf @ 2.3V，1MHz				单身的	6 V										2.5	C0.2/C2.3	-
MRF8S18120HSR5	-	RFQ	2568	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	1.81GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310108178	5A991G	8541.29.0075	50			-	800 MA	72W	18.2db											-						28 V
BZV55-C2V4135	-	RFQ	1614年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.10.0050	1
2PC1815Y，412	-	RFQ	3623	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PC18			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																					50 V	150 ma				100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
PDZ4.7B/ZLF	-	RFQ	2271	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						PDZ4.7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069111135	Ear99	8541.10.0050	3,000
BUJ106A，127	0.3400	RFQ	955	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	642																					400 v	10 a				100µA			NPN	1V @ 1.2a，6a	14 @ 500mA，5V	-
BZV85-C68,113	0.0400	RFQ	59	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 50 mA	50 NA @ 48 V								68 v	200欧姆
PZM4.3NB3,115	-	RFQ	7571	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM4.3			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V								4.3 v	90欧姆
PBLS1504V，115	-	RFQ	1164	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOT-563，SOT-666	PBLS1504			300MW	SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V，15V	100mA，500mA				1µA，100NA			1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 250mv @ 50mA，500mA	60 @ 5mA，5v / 150 @ 100mA，2V	280MHz	22KOHMS	22KOHMS
PDZ15B/S911115	0.0200	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	15,000
BF908WR，115	-	RFQ	2508	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		12 v		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF908	200MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											0.6dB						8 V
MRFE6VS25LR5	76.8700	RFQ	7077	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		133 v		底盘安装	NI-360	MRFE6	512MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	10 MA	25W	25.9db											-						50 V
BZX79-B62,113	0.0200	RFQ	19	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 43.4 V								62 v	215欧姆
BZT52-C33115	1.0000	RFQ	3831	NXP USA Inc.	BZT52	大部分	积极的	±6.06％		150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52			350兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 23.1 V								33 V	40欧姆
PZM6.2NB3,115	-	RFQ	4654	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM6.2			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	2 µA @ 3.5 V								6.8 v	15欧姆
BSH205G2215	-	RFQ	3178	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,950
BUK7506-55A127	-	RFQ	8755	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA		±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²