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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
PMEG3002ESFC315 NXP USA Inc. PMEG3002ESFC315 0.0500
RFQ
ECAD 63 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMEG3002 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 9,000
BFS540,115 NXP USA Inc. BFS540,115 -
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFS54 500MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 15V 120mA NPN 100 @ 40mA,8v 9GHz 1.3db〜1.7dB @ 9MHz
PDTB123YT/APG215 NXP USA Inc. PDTB123YT/APG215 0.0500
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ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
PXTA14,115 NXP USA Inc. PXTA14,115 0.1100
RFQ
ECAD 93 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PXTA14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
BYV29FD-600,118 NXP USA Inc. BYV29FD-600,118 1.0000
RFQ
ECAD 2023 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 标准 DPAK 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.9 V @ 8 A 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 9a -
BAS21AVD/DG/B2135 NXP USA Inc. BAS21AVD/DG/B2135 1.0000
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAS21 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 10,000
1PS88SB48/DG/B2115 NXP USA Inc. 1PS88SB48/DG/B2115 0.0500
RFQ
ECAD 200 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 1PS88SB48 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
PDTC123EMB NXP USA Inc. PDTC123EMB 1.0000
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ECAD 5216 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTC123 下载 0000.00.0000 1
BT131-800E,412 NXP USA Inc. BT131-800E,412 0.1200
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ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) TO-92-3 下载 Ear99 8541.30.0080 1 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 800 v 1 a 1.5 v 12.5a,13.7a 10 MA
PDTB123EU135 NXP USA Inc. PDTB123EU135 0.0300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
PUMH2/L135 NXP USA Inc. PUMH2/L135 0.0300
RFQ
ECAD 212 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
BCW70,215 NXP USA Inc. BCW70,215 -
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ECAD 7713 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCW70 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. A2T21H360-23NR6 -
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ECAD 7885 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v OM-1230-4L2L A2T21 2.11GHz〜2.2GHz ldmos OM-1230-4L2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 10µA 500 MA 373W 16.8db - 28 V
PML260SN,118 NXP USA Inc. PML260SN,118 0.3600
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ECAD 6829 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MOSFET (金属 o化物) DFN3333-8 下载 Ear99 8541.29.0095 636 n通道 200 v 8.8A(TC) 6V,10V 294MOHM @ 2.6a,10V 4V @ 1mA 13.3 NC @ 10 V ±20V 657 PF @ 30 V - 50W(TC)
PUMF12,115 NXP USA Inc. PUMF12,115 -
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ECAD 1953年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 PUMF12 300MW 6-TSSOP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 3,000 50V,40V 100mA 1µA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 200mv @ 5mA,50mA 80 @ 5mA,5v / 120 @ 1mA,6V 100MHz 22KOHMS 47kohms
PHD14NQ20T,118 NXP USA Inc. PHD14NQ20T,118 -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 PHD14 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 14A(TC) 5V,10V 230MOHM @ 7A,10V 4V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 25 V - 125W(TC)
MRF6S19100HR3 NXP USA Inc. MRF6S19100HR3 -
RFQ
ECAD 3060 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 1.99GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935316735128 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 MA 22W 16.1db - 28 V
BCV62C,215 NXP USA Inc. BCV62C,215 0.1400
RFQ
ECAD 675 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCV62 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PZM15NB2A,115 NXP USA Inc. PZM15NB2A,115 -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM15 220兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 na @ 11 V 15 v 15欧姆
PMEG2002AESF,315 NXP USA Inc. PMEG2002AESF,315 -
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ECAD 8362 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 0201(0603公制) PMEG2002 肖特基 DSN0603-2 下载 0000.00.0000 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 420 mv @ 200 ma 1.9 ns 45 µA @ 20 V 125°c (最大) 200mA 25pf @ 1V,1MHz
PDTA124ET,215 NXP USA Inc. PDTA124ET,215 0.0200
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA124 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PHP83N03LT,127 NXP USA Inc. PHP83N03LT,127 -
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP83 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 9mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 33 NC @ 5 V ±15V 1660 pf @ 25 V - 115W(TC)
MRF8P8300HR6 NXP USA Inc. MRF8P8300HR6 -
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-1230 MRF8 820MHz ldmos NI-1230 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935314412128 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 2 a 96W 20.9db - 28 V
BT139-600E/DG,127 NXP USA Inc. BT139-600E/DG,127 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TO-220AB 下载 Ear99 8541.30.0080 713 单身的 45 MA 逻辑 -敏感门 600 v 16 a 1.5 v 155a,170a 10 MA
MAC97A8,116 NXP USA Inc. MAC97A8,116 0.1100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) TO-92-3 下载 Ear99 8541.30.0080 2,777 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 600 v 600 MA 2 v 8a,8.8a 5 ma
OT409135 NXP USA Inc. OT409135 1.0000
RFQ
ECAD 3791 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8541.30.0080 4,000
PZM22NB3,115 NXP USA Inc. PZM22NB3,115 -
RFQ
ECAD 1093 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM22 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 na @ 17 V 22 v 25欧姆
BC857CT,115 NXP USA Inc. BC857CT,115 -
RFQ
ECAD 1946年 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 BC857 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 400mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
MRF9135LSR5 NXP USA Inc. MRF9135LSR5 -
RFQ
ECAD 1874年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF91 880MHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 50 - 1.1 a 25W 17.8db - 26 V
BZX84J-B24,115 NXP USA Inc. BZX84J-B24,115 0.0300
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库