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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1)
BZX79-B4V3,133 NXP USA Inc. BZX79-B4V3,133 -
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ECAD 1326 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BZB84-C3V3,215 NXP USA Inc. BZB84-C3V3,215 -
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ECAD 3250 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1对共阳极 900毫伏@10毫安 1V时为5μA 3.3V 95欧姆
MRF8HP21080HSR3 NXP USA Inc. MRF8HP21080HSR3 -
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ECAD 1619 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-780S-4L MRF8 2.17GHz LDMOS NI-780S-4L - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935324468128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 150毫安 16W 14.4分贝 - 28V
BZV49-C11115 NXP USA Inc. BZV49-C11115 1.0000
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ECAD 6202 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-243AA 1W SOT-89 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1 1V@50mA 8V时为100nA 11伏 20欧姆
PMV90ENE215 NXP USA Inc. PMV90ENE215 -
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ECAD 9040 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
BUK9230-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK9230-55A/C1118 0.2900
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ECAD 31 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人
MRF7S24250NR3 NXP USA Inc. MRF7S24250NR3 139.4500
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ECAD 144 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 OM-780-2 MRF7 2.45GHz LDMOS OM-780-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 100毫安 256W 14.7分贝 - 30V
BZX79-C30,133 NXP USA Inc. BZX79-C30,133 0.0200
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ECAD 87 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PDTA115TT,215 NXP USA Inc. PDTA115TT,215 -
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ECAD 3574 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA11 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
MRF7S19080HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR5 -
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ECAD 6765 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 750毫安 24W 18分贝 - 28V
BUK7Y7R6-40E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y7R6-40E/GFX -
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ECAD 3433 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 山毛禅7 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1,500人
BUK7528-55A,127 NXP USA Inc. BUK7528-55A,127 0.2800
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 55V 42A(温度) 10V 28毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 1165pF@25V - 99W(温度)
PSMN2R8-40BS,118 NXP USA Inc. PSMN2R8-40BS,118 0.8300
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ECAD 6 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 100A(温度) 10V 2.9毫欧@10A、10V 4V@1mA 71nC@10V ±20V 4491pF@20V - 211W(温度)
BF1205,135 NXP USA Inc. BF1205,135 -
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ECAD 4907 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 10V 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BF120 800兆赫 场效应管 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934056890135 EAR99 8541.21.0095 10,000 N 沟道双感应 30毫安 12毫安 - 35分贝 1.2分贝 5V
PZM18NB,115 NXP USA Inc. PZM18NB,115 -
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ECAD 5016 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM18 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 13V时为70nA 18V 20欧姆
PMEG45U10EPD139 NXP USA Inc. PMEG45U10EPD139 1.0000
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ECAD 8807 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 5,000
BUK9245-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK9245-55A/C1118 0.2400
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人
BUK7Y08-40B/C,115 NXP USA Inc. BUK7Y08-40B/C,115 -
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ECAD 4690 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 山毛蚀刻7Y08 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934064767115 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 40V 75A(温度) 10V 8毫欧@25A,10V 4V@1mA 10V时为36.3nC ±20V 2040pF@25V - 105W(温度)
BZX84-A8V2/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-A8V2/DG/B3215 0.1200
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ECAD 48 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 3,000
PZU12B2A115 NXP USA Inc. PZU12B2A115 -
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ECAD 7938 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
PDZ5.1B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ5.1B/ZL115 0.0200
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ECAD 8644 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 6,000
PVR100AD-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B3V0,115 -
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ECAD 3955 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 个人录像10 300毫W SC-74 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
MRF8S9202GNR3,528 NXP USA Inc. MRF8S9202GNR3,528 123.4300
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0075 1
BUK9675-55A118 NXP USA Inc. BUK9675-55A118 0.4800
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 第683章
BZV55-C11,135 NXP USA Inc. BZV55-C11,135 0.0200
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ECAD 160 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W LLDS;迷你梅尔夫 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 8V时为100nA 11伏 20欧姆
BC847C/DG/B2215 NXP USA Inc. BC847C/DG/B2215 0.0200
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ECAD 63 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTA114TK,115 NXP USA Inc. PDTA114TK,115 -
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ECAD 8396 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTA114 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 200@1mA,5V 10欧姆
A2I20H060GNR1 NXP USA Inc. A2I20H060GNR1 31.3312
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ECAD 8389 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 TO-270-15变体,鸥翼型 A2I20 1.84GHz LDMOS TO-270WBG-15 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935316306528 EAR99 8542.33.0001 500 双重的 - 24毫安 12W 28.9分贝 - 28V
PBSS5620PA,115 NXP USA Inc. PBSS5620PA,115 -
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ECAD 7805 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
MRF373ALSR5 NXP USA Inc. MRF373ALSR5 -
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ECAD 6713 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-360S MRF37 860兆赫 LDMOS NI-360S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 200毫安 75W 18.2分贝 - 32V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库