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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BF821,215 | - | ![]() | 7876 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BF821 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN25EN,115 | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | 中性粒细胞2 | MOSFET(金属O化物) | SC-74 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 6.2A(塔) | 4.5V、10V | 23毫欧@6.2A,10V | 2.5V@250μA | 11nC@10V | ±20V | 492pF@15V | - | 540mW(Ta),6.25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BW/MI115 | 0.0200 | ![]() | 第732章 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA204-600B,127 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BTA20 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5421,127 | - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | ON54 | - | - | TO-220AB | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934060114127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU11B3A115 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV170235 | 1.0000 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHN210,118 | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | PHN210 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | - | 100毫欧@2.2A,10V | 2.8V@1mA | 6nC@10V | 250pF@20V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ5.6B145 | 0.0200 | ![]() | 5046 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,807 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBRP113ZS,126 | - | ![]() | 3665 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | PBRP113 | 500毫W | TO-92-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 800毫安 | - | PNP - 预偏置 | - | - | 1欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9K89-100E,115 | 1.0000 | ![]() | 6523 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SOT-1205、8-LFPAK56 | 山毛洼9K89 | MOSFET(金属O化物) | 38W | LFPAK56D | 下载 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 100V | 12.5A | 85毫欧@5A,10V | 2.1V@1mA | 16.8nC@10V | 1108pF@25V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMR290XN,115 | - | ![]() | 第1678章 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | PMR2 | MOSFET(金属O化物) | SC-75 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N沟道 | 20V | 970mA(温度) | 2.5V、4.5V | 350mOhm@200mA,4.5V | 1.5V@250μA | 0.72nC@4.5V | ±12V | 34pF@20V | - | 530mW(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP225NQ04T,127 | - | ![]() | 2195 | 0.00000000 | 恩智浦 | TrenchMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | PHP22 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 40V | 75A(温度) | 10V | 3.1毫欧@25A,10V | 4V@1mA | 94nC@10V | ±20V | 5100pF@25V | - | 300W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B30,115 | 0.0300 | ![]() | 8786 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BZX84 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3G20S250-01SR3 | 87.3364 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | A3G20 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU910F | - | ![]() | 5055 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9832-55A,115 | - | ![]() | 7389 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | 山毛洼98 | MOSFET(金属O化物) | SC-73 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 55V | 12A(温度) | 4.5V、10V | 29毫欧@8A,10V | 2V@1mA | ±10V | 1594pF@25V | - | 8W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I25X050GNR1 | 40.8710 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 65V | 表面贴装 | OM-400G-8 | 2.3GHz~2.7GHz | LDMOS(双) | OM-400G-8 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 568-A3I25X050GNR1TR | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2 N 沟道 | 10微安 | 130毫安 | 5.6W | 28.8dB@3.84GHz | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4617QMB,315 | 0.0400 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | 250毫W | DFN1006B-3 | 下载 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 200毫伏@5毫安,50毫安 | 120@1mA,6V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV25G-600,127 | 0.3700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BYV25 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX3V0A,133 | 0.0200 | ![]() | 89 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | NZX3 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV42G-200,127 | - | ![]() | 4544 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | BYV42 | 标准 | I2PAK (TO-262) | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 15A | 850毫伏@15安 | 28纳秒 | 100μA@200V | 150℃(最高) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C56,215 | 0.0200 | ![]() | 695 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BZX84 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144ET,235 | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | PDTA14 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP61K25HSR6 | - | ![]() | 3547 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 133伏 | 安装结构 | NI-1230S | MRFE6 | 230兆赫 | LDMOS | NI-1230S | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 双重的 | - | 100毫安 | 1250W | 24分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT85,113 | 0.0500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 电池组85 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN35EN,115 | - | ![]() | 2233 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | 中性粒细胞N3 | MOSFET(金属O化物) | SC-74 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 5.1A(塔) | 4.5V、10V | 31毫欧@5.1A,10V | 2.5V@250μA | 9.3nC@10V | ±20V | 15V时为334pF | - | 500毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123EK,115 | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | PDTC123 | 250毫W | SMT3;帕金克 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 1微安 | NPN - 预偏置 | 150mV@500μA,10mA | 30@20mA,5V | 2.2欧姆 | 2.2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7C2R2-60EJ | - | ![]() | 6677 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 表面贴装 | TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) | 山毛凹7C2 | MOSFET(金属O化物) | D2PAK-7 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934067492118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 60V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B8V2,115 | - | ![]() | 3231 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BZV55 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 |

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