SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1)
PDTC123EMB NXP USA Inc. PDTC123EMB 1.0000
RFQ
ECAD 5216 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTC123 下载 0000.00.0000 1
NZH5V1B,115 NXP USA Inc. NZH5V1B,115 -
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZH5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PUMH10,115 NXP USA Inc. PUMH10,115 -
RFQ
ECAD 6356 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PUMH10 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PBSS4540X,135 NXP USA Inc. PBSS4540X,135 -
RFQ
ECAD 3296 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000
PBSS5112PAP NXP USA Inc. PBSS5112PAP 1.0000
RFQ
ECAD 4335 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BZB84-B51,215 NXP USA Inc. BZB84-B51,215 0.0300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 11,823 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 35.7 V 51 v 180欧姆
BZX79-B6V2,133 NXP USA Inc. BZX79-B6V2,133 0.0200
RFQ
ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BAT46WH/DG/B2115 NXP USA Inc. BAT46WH/DG/B2115 0.0300
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0070 2,590
BF820,235 NXP USA Inc. BF820,235 1.0000
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 0000.00.0000 1 300 v 50 mA 10NA(ICBO) NPN 600mv @ 5mA,30mA 50 @ 25mA,20V 60MHz
BZX84-C68,235 NXP USA Inc. BZX84-C68,235 -
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 47.6 V 68 v 240欧姆
BZV55-B4V7,135 NXP USA Inc. BZV55-B4V7,135 0.0200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 2 V 4.7 v 80欧姆
PZU12B2A115 NXP USA Inc. PZU12B2A115 -
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
BZT52H-B75,115 NXP USA Inc. BZT52H-B75,115 0.0200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C(TA) 表面安装 SOD-123F BZT52 375兆 SOD-123F 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 52.5 V 75 v 175欧姆
PDTC143TMB,315 NXP USA Inc. PDTC143TMB,315 0.0300
RFQ
ECAD 117 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 PDTC143 250兆 DFN1006B-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mV @ 250µA,5mA 200 @ 1mA,5V 230 MHz 4.7科姆斯
BZX79-B16,133 NXP USA Inc. BZX79-B16,133 0.0200
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PMP4501G,115 NXP USA Inc. PMP4501G,115 0.0500
RFQ
ECAD 121 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMP4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
2PB1219AQ,115 NXP USA Inc. 2PB1219AQ,115 0.0200
RFQ
ECAD 113 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 500 MA 100NA(ICBO) PNP 600mv @ 30mA,300mA 85 @ 150mA,10V 100MHz
BZX79-B24,113 NXP USA Inc. BZX79-B24,113 0.0200
RFQ
ECAD 111 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 16.8 V 24 V 70欧姆
BZV55-C12,135 NXP USA Inc. BZV55-C12,135 -
RFQ
ECAD 2755 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 0000.00.0000 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 12 v 25欧姆
BZX79-C16,143 NXP USA Inc. BZX79-C16,143 0.0200
RFQ
ECAD 161 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 16 V 40欧姆
1N4730A,133 NXP USA Inc. 1N4730A,133 0.0400
RFQ
ECAD 41 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 50 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
PMMT591A,235 NXP USA Inc. PMMT591A,235 -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMMT5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
PDTC143ZU,115 NXP USA Inc. PDTC143ZU,115 -
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTC14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
PBSS8110T,215 NXP USA Inc. PBSS8110T,215 -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS8 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PHB20N06T,118 NXP USA Inc. PHB20N06T,118 0.3600
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 n通道 55 v 20.3A(TC) 10V 75mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±20V 483 pf @ 25 V - 62W(TC)
PBSS9410PA,115 NXP USA Inc. PBSS9410PA,115 -
RFQ
ECAD 8162 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS9 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000
NZX3V0A,133 NXP USA Inc. NZX3V0A,133 0.0200
RFQ
ECAD 89 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX3 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
NZX3V6A,133 NXP USA Inc. NZX3V6A,133 0.0200
RFQ
ECAD 151 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX3 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PZU13B2A,115 NXP USA Inc. PZU13B2A,115 -
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 PZU13 320兆W SOD-323 下载 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 10 V 13 V 10欧姆
BC817-25,215 NXP USA Inc. BC817-25,215 0.0200
RFQ
ECAD 452 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC817 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库