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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | (ih)(IH)) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDTA144TU,115 | 0.0200 | ![]() | 143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA14 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB390UNE315 | - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S21050LSR3 | - | ![]() | 9100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | Ni-400s | MRF6 | 2.16GHz | ldmos | Ni-400s | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 450 MA | 11.5W | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS59SB20,115 | - | ![]() | 2219 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 1PS59 | 肖特基 | SMT3; mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 500 mA | 100 µA @ 35 V | 125°c (最大) | 500mA | 90pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM7.5NB3,115 | - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM7.5 | 300兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 1 µA @ 4 V | 7.5 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA410-800CT,127 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220AB | 下载 | Ear99 | 8541.30.0080 | 614 | 单身的 | 35 MA | 标准 | 800 v | 10 a | 1.5 v | 100a,110a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB143XU115 | 0.0300 | ![]() | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1201R,215 | - | ![]() | 5254 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 10 v | 表面安装 | SOT-143R | BF120 | 400MHz | MOSFET | SOT-143R | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道双门 | 30mA | 15 ma | - | 29dB | 1dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61C,235 | 0.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BCW61 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA115EMB,315 | 0.0300 | ![]() | 199 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | PDTA115 | 250兆 | DFN1006B-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 20 ma | 1µA | pnp-预先偏见 | 150mv @ 250µA,5mA | 80 @ 5mA,5V | 180 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0060S-10 | 1.0000 | ![]() | 1622 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150 v | 表面安装 | SOT-1227B | 6GHz | 甘姆特 | SOT1227B | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 50 mA | 10W | 16dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK13N03LT,518 | - | ![]() | 4335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PHK13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS6021D,115 | 0.1200 | ![]() | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBLS60 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19100NR1 | - | ![]() | 1651年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | TO-270AB | MRF7 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935322766528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1 a | 29W | 17.5db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9516-75B,127 | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Buk95 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 67A(TC) | 4.5V,10V | 14mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 35 NC @ 5 V | ±15V | 4034 PF @ 25 V | - | 157W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB129NQ04LT,118 | - | ![]() | 3732 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | PHB12 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 44.2 NC @ 5 V | ±15V | 3965 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB15,115 | 0.0400 | ![]() | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | PEMB15 | 300MW | SOT-666 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 PNP-) | 150MV @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | - | 4.7kohms | 4.7kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S21050LR3 | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-400 | MRF6 | 2.16GHz | ldmos | NI-400 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 450 MA | 11.5W | 16dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX5V6C,133 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX5 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT74V/DG115 | 0.0500 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C11,115 | - | ![]() | 1419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF2005NR1 | - | ![]() | 3251 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | TO-270-16变体,平面线 | MMRF2 | 940MHz | ldmos | TO-270 WBL-16 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935324908528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 106 MA | 3.2W | 35.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZQA147 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHU11NQ10T,127 | - | ![]() | 8552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | Phu11 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 10.9a(TC) | 10V | 180mohm @ 9a,10v | 4V @ 1mA | 14.7 NC @ 10 V | ±20V | 360 pf @ 25 V | - | 57.7W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR220,118 | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR2 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 4.8A(TC) | 10V | 800MOHM @ 2.9a,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 280 pf @ 25 V | - | 42W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18S261W12NR3 | - | ![]() | 6553 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | OM-880X-2L2L | A2T18 | 1.805GHZ〜1.88GHz | ldmos | OM-880X-2L2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935338749528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 1.5 a | 280W | 18.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU14DB2,115 | 0.0300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | 250兆 | 5-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 14 V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G27LS-50亿,118 | - | ![]() | 5685 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-1112B | BLF6G27 | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | CDFM6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934064687118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 双重的 | 12a | 430 MA | 3W | 16.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-06/ZLVL | - | ![]() | 6516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23(TO-236AB) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y18-55B,115 | - | ![]() | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | 47.4A(TC) | 10V | 18mohm @ 20a,10v | 4V @ 1mA | 21.9 NC @ 10 V | ±20V | 1263 PF @ 25 V | - | 85W(TC) |
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