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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 噪声系数(dB Typ @ f) 电流消耗 (Id) - 最大
PMN48XPA115 NXP USA Inc. PMN48XPA115 -
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ECAD 4392 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 20V 4.1A(塔) 55毫欧@2.4A,4.5V 1.25V@250μA 13nC@4.5V ±12V 1000pF@10V - 530mW(Ta),6.25W(Tc)
PMT29EN,115 NXP USA Inc. PMT29EN,115 -
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ECAD 4432 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 脉冲MT2 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 30V 6A(塔) 4.5V、10V 29毫欧@6A,10V 2.5V@250μA 11nC@10V ±20V 492pF@15V - 820mW(Ta)、8.33W(Tc)
BFU530XVL NXP USA Inc. BFU530XVL 0.1380
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ECAD 8352 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFU530 450毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067707235 EAR99 8541.21.0075 10,000 16.5分贝 12V 40毫安 NPN 60@10mA,8V 11GHz 1.1dB@1.8GHz
PMWD15UN,518 NXP USA Inc. PMWD15UN,518 -
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ECAD 8556 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) PMWD15 MOSFET(金属O化物) 4.2W 8-TSSOP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 2 个 N 沟道(双) 20V 11.6A 18.5毫欧@5A,4.5V 700毫伏@1毫安 22.2nC@4.5V 1450pF@16V 逻辑电平门
PHX23NQ11T,127 NXP USA Inc. PHX23NQ11T,127 -
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ECAD 4323 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PHX23 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 110V 16A(温度) 10V 70毫欧@13A,10V 4V@1mA 22nC@10V ±20V 830pF@25V - 41.6W(温度)
BUK9611-55A,118 NXP USA Inc. BUK9611-55A,118 -
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ECAD 8772 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 10毫欧@25A,10V 2V@1mA ±10V 4230pF@25V - 166W(温度)
MRF5S21090HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21090HSR3 -
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ECAD 5055 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF5 2.11GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 850毫安 19W 14.5分贝 - 28V
BF420,116 NXP USA Inc. BF420,116 -
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ECAD 9865 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF420 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 300伏 50毫安 10nA(ICBO) NPN 600mV@5mA、30mA 50@25mA,20V 60兆赫
BUK9E3R2-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E3R2-40B,127 -
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ECAD 4450 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 布克9 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 100A(温度) 4.5V、10V 2.8毫欧@25A,10V 2V@1mA 94nC@5V ±15V 10502pF@25V - 300W(温度)
MRF8P23080HSR5 NXP USA Inc. MRF8P23080HSR5 -
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ECAD 3843 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 65V 表面贴装 NI-780S-4L MRF8 2.3GHz LDMOS NI-780S-4L - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 280毫安 16W 14.6分贝 - 28V
PHB108NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB108NQ03LT,118 -
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ECAD 2166 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB10 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 25V 75A(温度) 5V、10V 6毫欧@25A,10V 2V@1mA 16.3nC@4.5V ±20V 1375pF@12V - 187W(温度)
BLS3135-50,114 NXP USA Inc. BLS3135-50,114 -
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ECAD 7038 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 200°C(太焦) 表面贴装 SOT-422A BLS3 80W CDFM2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 4 8分贝 75V 6A NPN 40@1.5A,5V 3.5GHz -
A2T23H200W23SR6 NXP USA Inc. A2T23H200W23SR6 -
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ECAD 6130 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 安装结构 ACP-1230S-4L2S A2T23 2.3GHz~2.4GHz LDMOS ACP-1230S-4L2S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 10微安 500毫安 51W 15.5分贝 - 28V
BZX84-C20,235 NXP USA Inc. BZX84-C20,235 0.0200
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ECAD 165 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX84 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PMZ290UN315 NXP USA Inc. PMZ290UN315 0.0800
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ECAD 19号 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 10,000
BF1212R,215 NXP USA Inc. BF1212R,215 -
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ECAD 4180 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 6V 表面贴装 SOT-143R BF121 400兆赫 场效应管 SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 12毫安 - 30分贝 0.9分贝 5V
MRF7S38040HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38040HSR3 -
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ECAD 9099 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-400S-2S MRF7 3.4GHz~3.6GHz LDMOS NI-400S-2S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 450毫安 8W 14分贝 - 30V
A3I20X050NR1 NXP USA Inc. A3I20X050NR1 44.7930
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ECAD 3685 0.00000000 恩智浦 A3I20X050N 卷带式 (TR) 的积极 65V OM-400-8 1.8GHz~2.2GHz LDMOS OM-400-8 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8542.33.0001 500 双重的 10微安 145毫安 6.3W 29.3分贝 - 28V
PDTA124TS,126 NXP USA Inc. PDTA124TS,126 -
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ECAD 6291 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTA124 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 100 @ 1mA,5V 22欧姆
PBSS5620PA,115 NXP USA Inc. PBSS5620PA,115 -
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ECAD 7805 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
A2I20H060GNR1 NXP USA Inc. A2I20H060GNR1 31.3312
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ECAD 8389 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 TO-270-15变体,鸥翼型 A2I20 1.84GHz LDMOS TO-270WBG-15 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935316306528 EAR99 8542.33.0001 500 双重的 - 24毫安 12W 28.9分贝 - 28V
BZX84-C24/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C24/LF1VL -
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ECAD 5256 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C24 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069451235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 16.8V时为50nA 24V 70欧姆
MRF373ALSR5 NXP USA Inc. MRF373ALSR5 -
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ECAD 6713 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-360S MRF37 860兆赫 LDMOS NI-360S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 200毫安 75W 18.2分贝 - 32V
BC547,116 NXP USA Inc. BC547,116 -
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ECAD 7050 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC54 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 400毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V 100兆赫兹
BZX79-B3V3,113 NXP USA Inc. BZX79-B3V3,113 0.0200
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ECAD 90 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 1V时为5μA 3.3V 95欧姆
BF510 NXP USA Inc. BF510 1.1800
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ECAD 4406 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W TO-236AB - 不符合 RoHS 指令 不适用 供应商未定义 2832-BF510TR EAR99 8541.21.0075 214 N沟道 20V 5pF@10V 20V 3毫安@10伏 800 mV @ 10 µA 30毫安
J3A080YXS/T0BY4AG0 NXP USA Inc. J3A080YXS/T0BY4AG0 -
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ECAD 9807 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - - - J3A0 - - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935295485118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
BAS21/MI215 NXP USA Inc. BAS21/MI215 -
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ECAD 3283 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BAS21 下载 0000.00.0000 1
BZX84-B5V6/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B5V6/LF1R -
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ECAD 7085 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-B5V6 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069411215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 1μA@2V 5.6V 40欧姆
J110,126 NXP USA Inc. J110,126 -
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ECAD 4664 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 J110 400毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934003870126 EAR99 8541.21.0095 10,000 N沟道 25V 30pF@0V 25V 10毫安@5伏 4V@1μA 18欧姆
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    标准产品单位

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