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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (ih)(IH)) triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
PZU4.7BL315 NXP USA Inc. PZU4.7BL315 0.0300
RFQ
ECAD 4743 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 7,240
PBLS1502Y,115 NXP USA Inc. PBLS1502Y,115 0.0700
RFQ
ECAD 79 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 PBLS1502 300MW SOT-363 下载 Ear99 8541.21.0075 4,873 50V,15V 100mA,500mA 1µA,100NA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 250mv @ 50mA,500mA 30 @ 10mA,5v / 150 @ 100mA,2V 280MHz 4.7kohms 4.7kohms
PZU9.1B2L,315 NXP USA Inc. PZU9.1B2L,315 -
RFQ
ECAD 3324 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 mA 500 na @ 6 V 9.1 v 10欧姆
PBSS301NX,115 NXP USA Inc. PBSS301NX,115 0.2000
RFQ
ECAD 432 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2.1 w SOT-89 下载 Ear99 8541.29.0075 1,495 12 v 5.3 a 100NA(ICBO) NPN 200mv @ 265mA,5.3a 250 @ 2a,2v 140MHz
PSMN3R0-60BS NXP USA Inc. PSMN3R0-60BS -
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.29.0095 1
NZX30B,133 NXP USA Inc. NZX30B,133 0.0200
RFQ
ECAD 149 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX3 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
NZX33B,133 NXP USA Inc. NZX33B,133 -
RFQ
ECAD 2367 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX3 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PBSS5620PA,115 NXP USA Inc. PBSS5620PA,115 -
RFQ
ECAD 7805 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BZX79-B30,113 NXP USA Inc. BZX79-B30,113 0.0200
RFQ
ECAD 7052 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 21 V 30 V 80欧姆
NZX5V6B,133 NXP USA Inc. NZX5V6B,133 -
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
BSP61,115 NXP USA Inc. BSP61,115 0.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 1.25 w SOT-223 下载 Ear99 8541.29.0075 1,632 60 V 1 a 50NA pnp-达灵顿 1.3V @ 500µA,500mA 2000 @ 500mA,10V 200MHz
BZX79-B3V9,143 NXP USA Inc. BZX79-B3V9,143 0.0200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
BC850B,215 NXP USA Inc. BC850B,215 0.0200
RFQ
ECAD 6728 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC85 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PBSS5240ZX NXP USA Inc. PBSS5240ZX 0.1000
RFQ
ECAD 202 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 650兆 SOT-223 下载 Ear99 8541.29.0075 1 40 V 2 a 100NA(ICBO) PNP 650mv @ 200mA,2a 300 @ 1mA,5v 150MHz
BTA410-600ET,127 NXP USA Inc. BTA410-600ET,127 0.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TO-220AB 下载 Ear99 8541.30.0080 614 单身的 15 ma 逻辑 -敏感门 600 v 10 a 1.5 v 100a,110a 10 MA
BZB84-C75215 NXP USA Inc. BZB84-C75215 -
RFQ
ECAD 8545 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BYC8X-600,127 NXP USA Inc. BYC8X-600,127 0.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 标准 TO-220F 下载 Ear99 8541.10.0080 630 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.9 V @ 8 A 52 ns 150 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
BZV49-C62,115 NXP USA Inc. BZV49-C62,115 -
RFQ
ECAD 4990 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV49 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000
PDTA115ET,215 NXP USA Inc. PDTA115ET,215 0.0200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA11 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
PBHV8115X,115 NXP USA Inc. PBHV8115X,115 0.1400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 1.5 w SOT-89 下载 Ear99 8541.29.0075 2,197 150 v 1 a 100NA NPN 50mv @ 20mA,100mA 100 @ 50mA,10V 30MHz
PDTA115TT,215 NXP USA Inc. PDTA115TT,215 -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA11 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
ACTT6-800E,127 NXP USA Inc. ACTT6-800E,127 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.30.0080 875
BZV55-B16,115 NXP USA Inc. BZV55-B16,115 0.0200
RFQ
ECAD 431 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 11.2 V 16 V 40欧姆
BZX84-C10,215 NXP USA Inc. BZX84-C10,215 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 18,560 900 mv @ 10 ma 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
BC807-16W,115 NXP USA Inc. BC807-16W,115 0.0200
RFQ
ECAD 7328 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC80 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BYV10X-600P127 NXP USA Inc. BYV10X-600P127 1.0000
RFQ
ECAD 4140 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 标准 TO-220F 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 10 A 50 ns 10 µA @ 600 V 175°C 10a -
BZX79-C24,143 NXP USA Inc. BZX79-C24,143 0.0200
RFQ
ECAD 215 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 16.8 V 24 V 70欧姆
BZX79-C27,113 NXP USA Inc. BZX79-C27,113 -
RFQ
ECAD 8303 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PBLS6023D,115 NXP USA Inc. PBLS6023D,115 -
RFQ
ECAD 6723 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS60 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PDTA143TMB,315 NXP USA Inc. PDTA143TMB,315 0.0300
RFQ
ECAD 129 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 PDTA143 250兆 DFN1006B-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 200 @ 1mA,5V 180 MHz 4.7科姆斯
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库