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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX84J-B24,115	0.0300	RFQ	6052	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX79-C11,113	-	RFQ	3509	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX79				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZV55-C6V2,135	0.0200	RFQ	190	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV55				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BC860C，215	-	RFQ	5687	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC86				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
1N4733A，113	-	RFQ	7973	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					1N47				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000
BZX79-C2V7	-	RFQ	2927	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					0000.00.0000	1																								1.5 V @ 100 ma	75 µA @ 1 V					2.7 v	100欧姆
PZU8.2B3,115	0.0400	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PZU8.2				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BCM857BV，315	-	RFQ	9091	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BCM857		300MW	SOT-666	下载				Ear99	8541.21.0075	1																											45V	100mA	15NA（icbo）			2（PNP （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	175MHz
BZX79-C4V3,143	0.0200	RFQ	199	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																								900 mv @ 10 ma	3 µA @ 1 V					4.3 v	90欧姆
PDTC123TT，215	0.0200	RFQ	42	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC123		250兆	SOT-23	下载				Ear99	8541.21.0095	1																											50 V	100 ma	1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms
BZX585-C4V3,115	1.0000	RFQ	4422	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载				Ear99	8541.10.0050	1																								1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V					4.3 v	90欧姆
MRF1550NT1,528	-	RFQ	1983	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.29.0075	1
PZU10B3A115	-	RFQ	5800	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0050	1
PDTA124XM，315	-	RFQ	9115	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA124				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
BTA202X-800E，127	0.2300	RFQ	17	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡				TO-220F	下载				Ear99	8541.30.0080	995	单身的			12 ma											逻辑 -敏感门	800 v	2 a	1.5 v	14a，15.4a	10 MA
PBSS302PZ，135	-	RFQ	9222	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	4,000
BC807-40QA，147	0.0300	RFQ	35	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.21.0095	1
PhD20N06T，118	0.2300	RFQ	6334	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			n通道		55 v	18A（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	422 PF @ 25 V	-	51W（TC）
PDZ12BGW115	0.0200	RFQ	8884	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0050	1
PHE13003A，412	-	RFQ	7567	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			2.1 w	TO-92-3	下载				Ear99	8541.29.0095	950																											400 v	1 a	1ma			NPN	1.5V @ 250mA，750mA	10 @ 400mA，5V	-
MRF8S9202GNR3,528	123.4300	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.29.0075	1
MRF8P20100HSR3,128	1.0000	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
BZX79-B68113	0.0200	RFQ	7066	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0050	10,000
BAS70-05235	0.0200	RFQ	26	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装		BAS70	肖特基			下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	10 µA @ 70 V	150°C （最大）
BZV55-B39,115	-	RFQ	1272	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV55				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500
BSN20,215	-	RFQ	3849	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSN2				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BTA316-600ET，127	0.4200	RFQ	829	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BTA31				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1,000
PIMH9,115	1.0000	RFQ	4063	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	PIMH9		600MW	6-TSOP	下载					0000.00.0000	1																											50V	100mA	1µA			2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V	-	10KOHMS	47kohms
PMZB290UNE，315	-	RFQ	6671	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道		20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	380MOHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.68 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BAT74S135	-	RFQ	3420	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0070	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²