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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 电流 - 保持 (Ih)(最大) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 全部可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 噪声系数 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
BZX384-C22,115 NXP USA Inc. BZX384-C22,115 -
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ECAD 7085 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX384 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PDTC144EMB315 NXP USA Inc. PDTC144EMB315 0.0300
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ECAD 72 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.21.0075 1
MRF24G300HR5 NXP USA Inc. MRF24G300HR5 113.2852
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ECAD 3352 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 125V 安装结构 NI-780-4 2.4GHz~2.5GHz N化镓 NI-780-4 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 568-MRF24G300HR5TR EAR99 8541.29.0095 50 2 N 沟道 - 300W 15.2分贝 - 48V
BYC8B-600PQP NXP USA Inc. BYC8B-600PQP -
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ECAD 8908 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYC8B 标准 D2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934068322116 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 3.4V@8A 18纳秒 600V时为20μA 175℃(最高) 8A -
PMN52XP115 NXP USA Inc. PMN52XP115 0.0800
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ECAD 第636章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
PDTC114YU,115 NXP USA Inc. PDTC114YU,115 0.0200
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ECAD 17号 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 PDTC114 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 17,125 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@5mA,5V 230兆赫 10欧姆 47欧姆
A2T21S260W12NR3 NXP USA Inc. A2T21S260W12NR3 -
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ECAD 9301 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 OM-880X-2L2L A2T21 2.11GHz~2.2GHz LDMOS OM-880X-2L2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935339757528 EAR99 8541.29.0075 250 10微安 1.6安 218W 17.9分贝 - 28V
MRF6V13250HR5 NXP USA Inc. MRF6V13250HR5 -
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ECAD 3701 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 120V 安装结构 SOT-957A MRF6 1.3GHz LDMOS NI-780H-2L - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935314557178 EAR99 8541.29.0075 50 - 100毫安 250W 22.7分贝 - 50V
NX7002AK.215 NXP USA Inc. NX7002AK.215 1.0000
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ECAD 9268 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 1
MRF8S9232NR3 NXP USA Inc. MRF8S9232NR3 -
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ECAD 3622 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 表面贴装 OM-780-2 MRF8S9232 960兆赫 场效应晶体管 OM-780-2 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935310851528 EAR99 8541.29.0095 250 N沟道 - 1.4A 63W 18.1分贝 - 28V
PHB222NQ04LT,118 NXP USA Inc. PHB222NQ04LT,118 -
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ECAD 4382 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB22 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 40V 75A(温度) 4.5V、10V 2.8毫欧@25A,10V 2V@1mA 93.6nC@5V ±15V 7880pF@25V - 300W(温度)
MRF1535FNT1 NXP USA Inc. MRF1535FNT1 -
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ECAD 9304 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 40V 安装结构 TO-272BA MRF15 520兆赫 LDMOS TO-272-6 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 500 6A 500毫安 35W 13.5分贝 - 12.5V
PMEG4030ER/BX NXP USA Inc. PMEG4030ER/BX -
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ECAD 6893 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 聚B二醇4030 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 10,000
BUK9Y3R0-40E/CX NXP USA Inc. BUK9Y3R0-40E/CX -
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ECAD 6430 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 布克9 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1,500人
PDTC144EU/DG/B3115 NXP USA Inc. PDTC144EU/DG/B3115 -
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ECAD 第1273章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC807-40,235 NXP USA Inc. BC807-40,235 -
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ECAD 2638 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 0000.00.0000 1 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 250@100mA,1V 80兆赫
MRF5S9101MBR1 NXP USA Inc. MRF5S9101MBR1 -
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ECAD 8320 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 TO-272BB MRF5 960兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 700毫安 100W 17.5分贝 - 26V
BUK7909-75AIE,127 NXP USA Inc. BUK7909-75AIE,127 0.9200
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛洼79 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BYC5X-600,127 NXP USA Inc. BYC5X-600,127 -
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ECAD 2191 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2全包 标准 TO-220F 下载 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 2.9V@5A 50纳秒 100 µA @ 600 V 150℃(最高) 5A -
PHB146NQ06LT,118 NXP USA Inc. PHB146NQ06LT,118 -
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ECAD 第1453章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB14 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 5.4毫欧@25A,10V 2V@1mA 60nC@5V ±15V 5675pF@25V - 250W(温度)
BTA216X-800B/L02127 NXP USA Inc. BTA216X-800B/L02127 0.7200
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ECAD 3 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.30.0080 1
A5G35S008N-3400 NXP USA Inc. A5G35S008N-3400 105.4700
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ECAD 8662 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125V 表面贴装 6-LDFN 裸露焊盘 3.3GHz~3.8GHz - 6-PDFN (4x4.5) 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1 - - 24毫安 27分贝 18.6分贝 - 48V
MRFE6VP61K25GNR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25GNR6 195.5361
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ECAD 8842 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 安装结构 OM-1230G-4L MRFE6 230兆赫 LDMOS OM-1230G-4L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935315986528 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 100毫安 1250W 23分贝 - 50V
PMDPB95XNE,115 NXP USA Inc. PMDPB95XNE,115 -
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ECAD 6669 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-UDFN 裸露焊盘 PMDPB95 MOSFET(金属O化物) 475毫W 6-休森 (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 30V 2.4A 120毫欧@2A,4.5V 1.5V@250μA 2.5nC@4.5V 143pF@15V 逻辑电平门
PZU27B/L135 NXP USA Inc. PZU27B/L135 -
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ECAD 9902 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 1
BUK961R7-40E,118 NXP USA Inc. BUK961R7-40E,118 -
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ECAD 7882 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 40V 120A(温度) 5V、10V 1.5毫欧@25A,10V 2.1V@1mA 105.4nC@5V ±10V 15010pF@25V - 324W(温度)
BT136-600E/L01,127 NXP USA Inc. BT136-600E/L01,127 0.2500
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 TO-220AB 下载 EAR99 8541.30.0080 1,184 单身的 15毫安 逻辑 - 敏感门 600伏 4A 1.5V 25A、27A 10毫安
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. PDTB113ES,126 -
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ECAD 3482 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTB113 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 500毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 33@50mA,5V 1欧姆 1欧姆
BUK952R3-40E,127 NXP USA Inc. BUK952R3-40E,127 -
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ECAD 8266 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 120A(温度) 5V、10V 2.2毫欧@25A,10V 2.1V@1mA 87.8nC@5V ±10V 13160pF@25V - 293W(温度)
MRF6P23190HR5 NXP USA Inc. MRF6P23190HR5 -
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ECAD 2966 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-1230 MRF6 2.39GHz LDMOS NI-1230 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.9安 40W 14分贝 - 28V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库