RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PDTA144WM，315	0.0300	RFQ	200	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
PSMN2R6-60PSQ127	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			n通道	60 V	150a（ta）		2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±20V	7629 PF @ 25 V	-	326W（TA）
BZX585-C2V7135	1.0000	RFQ	2200	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
PDTB113ET，215	0.0300	RFQ	6173	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTB11				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BYV25FD-600,118	0.3200	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		DPAK	下载				Ear99	8541.10.0080	944		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.9 V @ 5 A	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
PMV50EPEAR	1.0000	RFQ	8964	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV50	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载				Ear99	8541.29.0095	1			P通道	30 V	4.2A（ta）	4.5V，10V	45mohm @ 4.2A，10V	3V @ 250µA	19.2 NC @ 10 V	±20V	793 PF @ 15 V	-	310MW（TA），455MW（TC）
BUK954R8-60E，127	1.0000	RFQ	6060	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道	60 V	100A（TC）	5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	65 NC @ 5 V	±10V	9710 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BZV90-C3V9,115	0.1700	RFQ	83	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载				Ear99	8541.10.0050	1,745															1 V @ 50 mA		3 µA @ 1 V							3.9 v	90欧姆
PMEG4002ELD315	-	RFQ	5203	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
BZX84-C27,235	0.0200	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PDTC115EMB	1.0000	RFQ	5375	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
BC69PA，115	0.0700	RFQ	1004	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			420兆W	3-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0075	2,050																					20 v	2 a	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	140MHz
BZX884-C36,315	-	RFQ	6973	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX884				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PBSS4240ZX	0.1000	RFQ	4159	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA				SOT-223	下载				Ear99	8541.29.0075	1
BUK9608-55A，118	-	RFQ	2117	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
2PB709ASL，215	0.0200	RFQ	503	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2pb70				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BC847CW，135	1.0000	RFQ	2816	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载					0000.00.0000	1																					45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BZB784-C4V3,115	0.0300	RFQ	113	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZB784				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BC856AW，115	0.0200	RFQ	317	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC856				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BZX84-B2V4,215	0.0200	RFQ	1546年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PMBT4403YSX	0.0300	RFQ	179	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载				Ear99	8541.21.0075	10,414																					40 V	600 MA	50NA（iCBO）			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，1V	200MHz
PDTA115EMB，315	0.0300	RFQ	199	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA115		250兆	DFN1006B-3	下载				Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	20 ma	1µA			pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	180 MHz	100 kohms	100 kohms
BZX384-B51,115	-	RFQ	3114	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX384				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BUK9K5R1-30EX	-	RFQ	2017	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk9k5	MOSFET （金属 o化物）	68W	LFPAK56D	下载				Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			30V	40a		5.3MOHM @ 10a，5v	2.1V @ 1mA	26.7nc @ 5V		3065pf @ 25V	逻辑级别门
BCV62C，215	0.1400	RFQ	675	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCV62				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9275-100A，118	-	RFQ	8015	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk92				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BCW61d，215	0.0300	RFQ	538	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW61				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
PZU3.0B，115	0.0300	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					pzu3.0				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PMBT3904,215	-	RFQ	2896	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT3				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000
1PS300,115	0.0300	RFQ	83	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					1PS30				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²