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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMRF1019NR4	77.8600	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		100 v		表面安装	PLD-1.5	MMRF1019	1.09GHz	ldmos		PLD-1.5	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100			-	10 MA	10W	25DB											-					50 V
PMFPB8040XP，115	0.1800	RFQ	161	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	102MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	8.6 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	485MW（TA），6.25W（tc）
PMEG3010BEA/ZLF	-	RFQ	4074	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						PMEG3010					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068957135	Ear99	8541.10.0080	3,000
PRF13750HR9	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	条	过时的		105 v			SOT-979A	PRF13	700MHz〜1.3GHz	ldmos		NI-1230-4H	-		（1 （无限）	到达不受影响	568-13415	Ear99	8541.29.0075	1	双重的		10µA		650W	20.6dB											-
BZX84-A13/LF1R	-	RFQ	5421	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84			250兆	SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069509215	过时的	0000.00.0000	3,000																		900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V					13 V	30欧姆
MRF8P9040NR1	-	RFQ	2791	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		70 v		底盘安装	TO-272BB	MRF8P9040	960MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319637528	Ear99	8541.29.0095	500	双重的		-	320 MA	4W	19.1db											-					28 V
PLVA659A/LF1R	-	RFQ	1489	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						PLVA659					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069468215	Ear99	8541.10.0050	3,000
MRFE6VS25NR1	35.3500	RFQ	9281	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		133 v		表面安装	TO-270AA	MRFE6	512MHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			-	10 MA	25W	25.4db											-					50 V
BZV55-C6V2,135	0.0200	RFQ	190	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZV55					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
A3G26H501W17SR3	140.6060	RFQ	9327	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						A3G26					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
PMZB380XN，315	0.0900	RFQ	243	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					30 V	（930ma）（ta）	2.5V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.87 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BLF6G27-75,112	87.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		65 v		底盘安装	SOT-502A		-	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20			18a	600 MA	9W	-											-					28 V
BUK9540-100A，127	1.0000	RFQ	9551	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK953R2-40B，127	0.9400	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK6507-75C，127	0.4900	RFQ	6189	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	526		n通道					75 v	100A（TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	123 NC @ 10 V	±16V	7600 PF @ 25 V	-	204W（TC）
BUK9504-40A，127	0.8200	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
A3G26D055N-100	315.0000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		100MHz〜2.69GHz	甘		6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	568-A3G26D055N-100	Ear99	8541.29.0095	1			-	40 MA	8W	13.9db											-					48 v
BAS21AVD/DG/B2135	1.0000	RFQ	6678	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BAS21					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000
BC857BQA147	-	RFQ	7709	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BC857					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
BC857B/DG/B3215	0.0200	RFQ	69	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			250兆	TO-236AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
PMN48XPA115	-	RFQ	4392	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	4.1a（ta）		55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）
PMV65XP/MI215	1.0000	RFQ	7181	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BAT54/DG，215	0.0200	RFQ	52	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BAT54					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BC856B/DG/B2215	0.0200	RFQ	90	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BC856					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMDXB950UPEL147	-	RFQ	9746	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
BSS84AKW-B115	0.0500	RFQ	199	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BSS84		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000															-
BYC5X-600PQ127	0.3500	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	687
BC807-25/L215	0.0200	RFQ	8878	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMDPB760EN115	0.1600	RFQ	9	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PDTA144EU/ZL115	0.0400	RFQ	5199	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	6,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²