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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前 - 最大 电流 - 保持 (Ih)(最大) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻@If,F 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
BT131-800E,412 NXP USA Inc. BT131-800E,412 0.1200
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 TO-92-3 下载 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 10毫安 逻辑 - 敏感门 800V 1A 1.5V 12.5A、13.7A 10毫安
BZV55-C5V6,135 NXP USA Inc. BZV55-C5V6,135 0.0200
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ECAD 390 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZV55 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
MRFE6VS25NR1 NXP USA Inc. MRFE6VS25NR1 35.3500
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ECAD 9281 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270AA MRFE6 512兆赫 LDMOS TO-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 500 - 10毫安 25W 25.4分贝 - 50V
BAS16/LF1215 NXP USA Inc. BAS16/LF1215 0.0200
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ECAD 96 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BAS16 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 3,000
PZM5.1NB2A,115 NXP USA Inc. PZM5.1NB2A,115 -
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ECAD 3703 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM5.1 220毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 1.5V时为3μA 5.1V 60欧姆
PZM10NB2,115 NXP USA Inc. PZM10NB2,115 -
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ECAD 5193 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM10 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 7V时为200nA 10V 10欧姆
NZX27B,133 NXP USA Inc. NZX27B,133 0.0200
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ECAD 24 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@200mA 18.9V时为50nA 27V 80欧姆
BC857CT,115 NXP USA Inc. BC857CT,115 -
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ECAD 1946年 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 BC857 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 400毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V 100兆赫兹
PZU8.2BA115 NXP USA Inc. PZU8.2BA115 -
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ECAD 9385 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
BCW60D,215 NXP USA Inc. BCW60D,215 0.0300
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 11,493 32V 100毫安 20nA(ICBO) NPN 550mV@1.25mA、50mA 380@2mA,5V 250兆赫
PBSS9410PA,115 NXP USA Inc. PBSS9410PA,115 -
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ECAD 8162 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS9 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 3,000
BSP100,135 NXP USA Inc. BSP100,135 1.0000
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ECAD 2686 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA MOSFET(金属O化物) SOT-223 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 30V 3.2A(塔) 4.5V、10V 100毫欧@2.2A,10V 2.8V@1mA 6nC@10V ±20V 250pF@20V - 8.3W(温度)
SI9410DY,518 NXP USA Inc. SI9410DY,518 -
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ECAD 8384 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI9 MOSFET(金属O化物) 8-SO 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 7A(Tj) 4.5V、10V 30mOhm@7A,10V 1V@250μA 50nC@10V ±20V - 2.5W(塔)
BTA206X-800CT/L01127 NXP USA Inc. BTA206X-800CT/L01127 0.3200
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ECAD 18 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8541.30.0080 1
CLF1G0035-100P NXP USA Inc. CLF1G0035-100P 202.5400
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ECAD 994 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150伏 安装结构 SOT-1228A 3.5GHz HEMT LDMOST 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 - 330毫安 100W 12.5分贝 - 50V
BAS21AVD/DG/B2135 NXP USA Inc. BAS21AVD/DG/B2135 1.0000
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ECAD 6678 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BAS21 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 10,000
J2A012ZXZ/S1AZ3CHJ NXP USA Inc. J2A012ZXZ/S1AZ3CHJ -
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ECAD 7717 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J2A0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
PZM4.3NB2A,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB2A,115 -
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ECAD 5346 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM4.3 220毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 1V时为3μA 4.3V 90欧姆
BUK9840-55/CUX NXP USA Inc. BUK9840-55/CUX -
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ECAD 6412 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA MOSFET(金属O化物) SOT-223 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 5A(Ta)、10.7A(Tc) 5V 40mOhm@5A、5V 2V@1mA ±10V 1400pF@25V - 8.3W(温度)
PUMB2/DG/B3115 NXP USA Inc. PUMB2/DG/B3115 0.0300
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ECAD 84 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 泵MB2 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BFS19,235 NXP USA Inc. BFS19,235 0.0900
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ECAD 81 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 3,213 20V 30毫安 100nA(ICBO) NPN - 65@1mA,10V 260兆赫
BUK961R4-30E,118 NXP USA Inc. BUK961R4-30E,118 -
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ECAD 6794 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼96 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 30V 120A(温度) 5V、10V 1.4毫欧@25A,5V 2.1V@1mA 113nC@5V ±10V 16150pF@25V - 357W(温度)
BZX79-B4V3,143 NXP USA Inc. BZX79-B4V3,143 0.0200
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ECAD 5374 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 14,048 900毫伏@10毫安 1V时为3μA 4.3V 90欧姆
BAP64-05W,115 NXP USA Inc. BAP64-05W,115 0.4500
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ECAD 8689 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) SC-70、SOT-323 BAP64 SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 100毫安 240毫W 0.35pF@20V、1MHz PIN - 1 对共轭 100V 1.35欧姆@100mA、100MHz
BZX84-B9V1/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B9V1/DG/B3215 0.0200
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ECAD 8574 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 6,000
BUK7509-75A,127 NXP USA Inc. BUK7509-75A,127 0.8200
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ECAD 7 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛秃75 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
NZX30B,133 NXP USA Inc. NZX30B,133 0.0200
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ECAD 149 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX3 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
MMRF1019NR4 NXP USA Inc. MMRF1019NR4 77.8600
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ECAD 35 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 100伏 表面贴装 PLD-1.5 MMRF1019 1.09GHz LDMOS PLD-1.5 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 100 - 10毫安 10W 25分贝 - 50V
BZX284-B68,115 NXP USA Inc. BZX284-B68,115 -
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ECAD 7127 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-110 BZX284 400毫W SOD-110 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 50nA@47.6V 68V 160欧姆
MRF6S9060NR1 NXP USA Inc. MRF6S9060NR1 -
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ECAD 5779 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 TO-270AA MRF6 880兆赫 LDMOS TO-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 450毫安 14W 21.4分贝 - 28V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库