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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NZX16B，133	-	RFQ	7153	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					NZX1				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PXTA14,115	0.1100	RFQ	93	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PXTA14				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PBSS9110D，115	0.0700	RFQ	15	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			700兆	6-TSOP	下载				Ear99	8541.21.0075	4,092																						100 v	1 a	100NA			PNP	320mv @ 100mA，1a	150 @ 500mA，5V	100MHz
PBSS301NZ，135	0.2200	RFQ	26	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	4,000
PHD13003C，412	0.0800	RFQ	23	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHD13				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000
PZU11B3,115	0.0400	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Pzu11				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PZU3.9B1,115	0.0400	RFQ	16	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					pzu3.9				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PSMN012-80PS，127	-	RFQ	6968	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PDTC123YM，315	0.0300	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
NZX11A133	-	RFQ	8898	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0050	9,800
PBSS5250T，215	1.0000	RFQ	9036	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS5250		480兆	TO-236AB	下载					0000.00.0000	1																						50 V	2 a	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 100mA，2a	200 @ 1A，2V	100MHz
NZX3V3C，133	0.0200	RFQ	64	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±3％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							3.3 v	100欧姆
BAV70S135	1.0000	RFQ	6730	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BAV70	标准		6-TSSOP	下载				Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2对普通阴极	100 v	250ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BUK762R4-60E，118	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	158 NC @ 10 V	±20V	11180 pf @ 25 V	-	357W（TC）
BCM857BV，115	-	RFQ	8323	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCM85				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	4,000
BCM857B，115	-	RFQ	8067	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCM85				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9Y6R0-60E，115	-	RFQ	8369	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					0000.00.0000	1		n通道	60 V	100A（TC）	5V	5.2MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	39.4 NC @ 5 V	±10V	6319 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
PDTC115EMB	1.0000	RFQ	5375	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
BC69PA，115	0.0700	RFQ	1004	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			420兆W	3-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0075	2,050																						20 v	2 a	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	140MHz
BZX884-C36,315	-	RFQ	6973	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX884				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PBSS4240ZX	0.1000	RFQ	4159	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA				SOT-223	下载				Ear99	8541.29.0075	1
BUK9608-55A，118	-	RFQ	2117	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BZX384-C11	-	RFQ	1234	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX384				下载					0000.00.0000	1
BZV55-C8V2,135	0.0200	RFQ	430	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载				Ear99	8541.10.0050	1																900 mv @ 10 ma		700 na @ 5 V							8.2 v	15欧姆
BC860B，215	0.0200	RFQ	152	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC86				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
PDTA144WM，315	0.0300	RFQ	200	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
PSMN2R6-60PSQ127	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1		n通道	60 V	150a（ta）		2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±20V	7629 PF @ 25 V	-	326W（TA）
BZX585-C2V7135	1.0000	RFQ	2200	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
PDTB113ET，215	0.0300	RFQ	6173	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTB11				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BYV25FD-600,118	0.3200	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		DPAK	下载				Ear99	8541.10.0080	944	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.9 V @ 5 A	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²