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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZX284-C2V4,115	-	RFQ	5731	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											1.1 V @ 100 mA		50 µA @ 1 V										2.4 v	100欧姆
BTA204-600C/DG，127	0.2400	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1,110	单身的				20 ma														标准	600 v	4 a	1.5 v	25a，27a	35 MA
BUK9610-55A，118	-	RFQ	6033	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	68 NC @ 5 V	±15V	4307 PF @ 25 V	-	200W（TC）
PIMD2,115	-	RFQ	4348	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PIMD2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PBLS4001V，115	-	RFQ	5690	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOT-563，SOT-666	PBLS4001			300MW	SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																																	50V，40V	100mA，500mA				1µA			1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 350mv @ 50mA，500mA	30 @ 20mA，5v / 150 @ 100mA，2V	300MHz	2.2kohms	2.2kohms
BB179B，115	-	RFQ	9814	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB17				SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																2.25pf @ 28V，1MHz				单身的	32 v											10	C1/C28	-
MRFG35003NT1	-	RFQ	6593	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		15 v		表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000				-		55 MA	3W	11.5db																	-										12 v
BUK7C1R4-40EJ	-	RFQ	9023	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c1		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067489118	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						40 V	-		-	-				-	-
MRF7P20040HR5	-	RFQ	5714	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF7	2.03GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-		150 ma	10W	18.2db																	-										32 v
PBR941B，215	-	RFQ	5671	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBR94			360MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								-																									10V	50mA							NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz			1.5db〜2.5db @ 1GHz
BTA420X-800BT，127	-	RFQ	1135	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡					TO-220F	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的				60 ma														标准	800 v	20 a	1.5 v	200a，220a	50 mA
MRF5S21045NBR1	-	RFQ	6626	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	TO-272BB	MRF5	2.12GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500				-		500 MA	10W	14.5db																	-										28 V
PMEG2015EPK，315	0.0900	RFQ	386	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	2-XDFN			肖特基		DFN1608D-2	下载					Ear99	8541.10.0080	3,256		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								20 v	420 MV @ 1.5 A	5 ns	350 µA @ 10 V	150°C （最大）	1.5a	120pf @ 1V，1MHz
BFG590,215	-	RFQ	6423	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG59			400MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								-																									15V	200mA							NPN		60 @ 70mA，8v	5GHz			-
PDTC114EU，115	-	RFQ	6671	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PDTC11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRFE6VP61K25HR6	225.7800	RFQ	188	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		133 v		底盘安装	NI-1230	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的			-		100 ma	1250W	24dB																	-										50 V
BZX79-B3V3,113	0.0200	RFQ	90	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																											900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V										3.3 v	95欧姆
PSMN3R4-30PL，127	-	RFQ	5432	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
BZX84-B5V6/LF1R	-	RFQ	7085	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-B5V6			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069411215	Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V										5.6 v	40欧姆
MMRF1019NR4	77.8600	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		100 v		表面安装	PLD-1.5	MMRF1019	1.09GHz	ldmos		PLD-1.5	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100				-		10 MA	10W	25DB																	-										50 V
PMFPB8040XP，115	0.1800	RFQ	161	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道						20 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	102MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	8.6 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	485MW（TA），6.25W（tc）
PMEG3010BEA/ZLF	-	RFQ	4074	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						PMEG3010					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068957135	Ear99	8541.10.0080	3,000
PRF13750HR9	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	条	过时的		105 v			SOT-979A	PRF13	700MHz〜1.3GHz	ldmos		NI-1230-4H	-		（1 （无限）	到达不受影响	568-13415	Ear99	8541.29.0075	1	双重的			10µA			650W	20.6dB																	-
BZX84-A13/LF1R	-	RFQ	5421	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84			250兆	SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069509215	过时的	0000.00.0000	3,000																											900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V										13 V	30欧姆
MRF8P9040NR1	-	RFQ	2791	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		70 v		底盘安装	TO-272BB	MRF8P9040	960MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319637528	Ear99	8541.29.0095	500	双重的			-		320 MA	4W	19.1db																	-										28 V
PLVA659A/LF1R	-	RFQ	1489	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						PLVA659					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069468215	Ear99	8541.10.0050	3,000
MRFE6VS25NR1	35.3500	RFQ	9281	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		133 v		表面安装	TO-270AA	MRFE6	512MHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				-		10 MA	25W	25.4db																	-										50 V
BZV55-C6V2,135	0.0200	RFQ	190	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZV55					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
PMZB380XN，315	0.0900	RFQ	243	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道						30 V	（930ma）（ta）	2.5V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.87 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BLF6G27-75,112	87.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		65 v		底盘安装	SOT-502A		-	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20				18a		600 MA	9W	-																	-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²