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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PDTA144VM，315	0.0300	RFQ	140	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
BZV49-C20,115	-	RFQ	6494	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV49				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000
BAW56SRA147	1.0000	RFQ	7923	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BAW56				下载				0000.00.0000	1
BZV85-C20,133	0.0400	RFQ	109	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载			Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 50 mA	50 na @ 14 V				20 v	24欧姆
BUK7K13-60EX	1.0000	RFQ	3589	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	buk7k13	MOSFET （金属 o化物）	64W	LFPAK56D	下载				0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			60V	40a		10mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	30.1nc @ 10V		2163pf @ 25V	-
BZX84-C20,215	0.0200	RFQ	350	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
NZX11A133	-	RFQ	8898	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载			Ear99	8541.10.0050	9,800
1N4748A，133	0.0400	RFQ	49	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载			Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
BZT52H-C24,115	0.0200	RFQ	25	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZT52				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZV90-C4V3,115	0.1700	RFQ	24	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载			Ear99	8541.10.0050	1,745																				1 V @ 50 mA	3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
BCW61C，235	0.0300	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW61				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000
BZX84-C20,235	0.0200	RFQ	165	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
ACT108-600E，126	0.1700	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				TO-92-3	下载			Ear99	8541.30.0080	1,799	单身的		25 ma											逻辑 -敏感门	600 v	800 MA	1 V	8a，8.8a	10 MA
PDTC123YM，315	0.0300	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
BUJ303B，127	0.3600	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			100 W	TO-220AB	下载			Ear99	8541.29.0095	825																						400 v	5 a	100µA			NPN	1.5V @ 1a，3a	23 @ 800mA，3v	-
BZX884-C3V0,315	0.0300	RFQ	33	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载			Ear99	8541.10.0050	10,606																				900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V				3 V	95欧姆
BUJD203AD，118	-	RFQ	6387	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			80 W	DPAK	下载			Ear99	8541.29.0095	1																						425 v	4 a	100µA			NPN	1V @ 600mA，3a	11 @ 2a，5v	-
BZX384-B2V4,115	0.0200	RFQ	7031	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX384				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84J-C11,115	-	RFQ	1419	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84J-C30115	-	RFQ	4228	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载			Ear99	8541.10.0050	1
BUK7606-75B，118	-	RFQ	8912	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk76				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BZV85-C11,113	0.0300	RFQ	67	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载			Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 50 mA	200 NA @ 7.7 V				11 V	10欧姆
1N4748A，113	0.0400	RFQ	138	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					1N47				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000
BZX884-C3V9,315	-	RFQ	9048	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX884				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZX384-B13,115	-	RFQ	9604	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX384				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BC807-25W，115	0.0200	RFQ	133	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC80				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9Y59-60E，115	-	RFQ	7203	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载				0000.00.0000	1		n通道		60 V	16.7A（TC）	5V	52MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	6.1 NC @ 5 V	±10V	715 PF @ 25 V	-	37W（TC）
MAC97A8,116	0.1100	RFQ	15	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				TO-92-3	下载			Ear99	8541.30.0080	2,777	单身的		10 MA											逻辑 -敏感门	600 v	600 MA	2 v	8a，8.8a	5 ma
BZX79-C20,133	-	RFQ	7348	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX79				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZX79-B43,113	0.0200	RFQ	74	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载			Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 30.1 V				43 V	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²