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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BAT85,113	0.0500	RFQ	26	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BAT85					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	10,000
BAV99W/DG/B3135	1.0000	RFQ	4333	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	BAV99		标准		SOT-323	下载				0000.00.0000	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																	1对系列连接	100 v	150mA（DC）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BUK9Y15-60E	1.0000	RFQ	3798	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				0000.00.0000	1
BZX79-B75,133	-	RFQ	9428	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX79					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZX585-C2V4135	0.0300	RFQ	104	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载			Ear99	8541.10.0050	10,764
BZB84-C5V6,215	0.0200	RFQ	6363	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZB84					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZV55-C43135	-	RFQ	3147	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载			Ear99	8541.10.0050	1
BUK7610-100B，118	-	RFQ	4013	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk76					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BYC8-600,127	0.3800	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BYC8					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000
BYC8X-600P，127	-	RFQ	6393	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F	下载			Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v		1.9 V @ 8 A	18 ns	20 µA @ 600 V	175°c （最大）	8a	-
BZX84-C15,215	-	RFQ	5976	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX84					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
NZX11C，133	0.0200	RFQ	19	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载			Ear99	8541.10.0050	1																					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 8 V								11 V	25欧姆
2N7002CK，215	-	RFQ	7064	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						2N70					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BZX84-C36,215	0.0200	RFQ	513	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX84					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PZU3.3B2,115	0.0400	RFQ	16	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						pzu3.3					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PDTA114ET，235	0.0200	RFQ	154	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA114			250兆	SOT-23	下载			Ear99	8541.21.0075	1																											50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	10 kohms	10 kohms
PMEG060V050EPD139	-	RFQ	2450	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				0000.00.0000	1
BUK953R2-40B，127	0.9400	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BSP100,135	1.0000	RFQ	2686	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
BLA1011S-200,112	353.1400	RFQ	48	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		75 v		底盘安装	SOT-502B		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0075	20			-	150 ma	200W	13DB											-												36 V
BLF6G27-75,112	87.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		65 v		底盘安装	SOT-502A		-	ldmos		SOT502A	下载	rohs3符合条件		5A991G	8541.29.0075	20			18a	600 MA	9W	-											-												28 V
BLA1011-2,112	86.6700	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	托盘	积极的						bla1					-	rohs3符合条件	到达不受影响			160
BUK9540-100A，127	1.0000	RFQ	9551	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
PMZB380XN，315	0.0900	RFQ	243	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					30 V	（930ma）（ta）	2.5V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.87 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BUK7526-100B，127	-	RFQ	3903	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	100		n通道					100 v	49A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2891 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BAV99/8,215	-	RFQ	3957	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BAV99	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV99		标准		TO-236AB	-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对系列连接	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
PLVA2656A，215	0.0900	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PLVA2					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PLVA2650A，215	0.0900	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PLVA2					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BUK6507-75C，127	0.4900	RFQ	6189	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件		Ear99	8541.29.0095	526		n通道					75 v	100A（TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	123 NC @ 10 V	±16V	7600 PF @ 25 V	-	204W（TC）
BUK9504-40A，127	0.8200	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²