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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BF1205,135	-	RFQ	4907	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		10 v		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	800MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934056890135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	35DB													1.2dB					5 v
MRF8S21120HR3	-	RFQ	8601	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314244128	Ear99	8541.29.0075	250			-	850 MA	28W	17.6dB													-					28 V
BZX84-C36,215	0.0200	RFQ	513	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX84					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX79-B24,113	0.0200	RFQ	111	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 16.8 V					24 V	70欧姆
A2T09D400-23NR6	95.1720	RFQ	4344	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		70 v		底盘安装	OM-1230-4L2S	A2T09	716MHz〜960MHz	ldmos		OM-1230-4L2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318726528	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	1.2 a	400W	17.8db													-					28 V
MRFE6VP6300HR5	127.0900	RFQ	191	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		130 v		底盘安装	NI-780-4	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	300W	26.5db													-					50 V
OT410,115	-	RFQ	9304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	OT41				SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934062729115	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的																标准	-
PMV60en，215	-	RFQ	6319	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	55mohm @ 2a，10v	2V @ 1mA	9.4 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	280MW（TJ）
MRF7S21080HR5	-	RFQ	6933	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	800 MA	22W	18db													-					28 V
PBSS5160DS，115	-	RFQ	5615	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRFG35005NT1	-	RFQ	3730	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		15 v		表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-	80 ma	4.5W	11DB													-					12 v
MRFX1K80NR5578	-	RFQ	4259	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		179 v		底盘安装	OM-1230-4L2L		1.8MHz〜400MHz	ldmos		OM-1230-4L2L	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				50	双重的		100mA	100 ma	1800W	24.4db													-					65 v
PZU5.1B1,115	0.0400	RFQ	230	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PZU5.1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BUK9611-55A，118	-	RFQ	8772	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	4230 PF @ 25 V	-	166W（TC）
PSMN9R0-30LL，115	-	RFQ	2816	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PSMN9		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,400		n通道					30 V	21a（TC）	4.5V，10V	9MOHM @ 5A，10V	2.15V @ 1mA	20.6 NC @ 10 V	±20V	1193 PF @ 15 V	-	50W（TC）
MRF9045LR5	-	RFQ	2873	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v			NI-360	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360短领先	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	350 MA	45W	18.8db													-					28 V
MRF7S35015HSR3	-	RFQ	5286	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	50 mA	15W	16dB													-					32 v
BC857B，215	-	RFQ	1643年	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			250兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1																						45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
AFT21H350W03SR6	-	RFQ	1901年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-1230S	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150			-	750 MA	63W	16.4dB													-					28 V
MRF5S19100HSR3	-	RFQ	4518	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-	1 a	22W	13.9db													-					28 V
BZX79-C10,143	0.0200	RFQ	225	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V					10 v	20欧姆
PDTA124XMB，315	0.0200	RFQ	154	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA124			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																						50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	180 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
PDTA114YU	1.0000	RFQ	4603	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
BUK9Y65-100E，115	1.0000	RFQ	4295	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	19a（tc）	5V	63.3MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	14 NC @ 5 V	±10V	1523 PF @ 25 V	-	64W（TC）
1N4748A，133	0.0400	RFQ	49	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 16.7 V					22 v	23欧姆
BUK662R7-55C，118	-	RFQ	9034	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	120A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
BZX284-B6V8,115	-	RFQ	5286	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.1 V @ 100 mA	2 µA @ 4 V					6.8 v	15欧姆
MRF5S19130HR3	-	RFQ	9790	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	1.99GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-	1.2 a	26W	13DB													-					28 V
BZX84-C2V7/LF1R	-	RFQ	6270	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-C2V7			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069454215	Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma	20 µA @ 1 V					2.7 v	100欧姆
BZX884-B4V7315	1.0000	RFQ	9536	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma	3 µA @ 2 V					4.7 v	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²