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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
BUK7230-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK7230-55A/C1118 0.2900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 2,500
BF904215 NXP USA Inc. BF904215 -
RFQ
ECAD 5420 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BF904215-NXP Ear99 8541.21.0095 1
BUK6208-40C,118 NXP USA Inc. BUK6208-40C,118 -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 Buk62 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 90A(TC) 4.5V,10V 6.2MOHM @ 15a,10v 2.8V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±16V 3720 PF @ 25 V - 128W(TC)
MRFE6S9135HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9135HSR5 -
RFQ
ECAD 2240 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 表面安装 NI-880S MRFE6 940MHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1 a 39W 21dB - 28 V
PLVA2653A215 NXP USA Inc. PLVA2653A215 -
RFQ
ECAD 9734 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 - - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 3,000 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 5.3 v 250欧姆
BZX884-C2V7315 NXP USA Inc. BZX884-C2V7315 -
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ECAD 8011 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 9,450 900 mv @ 10 ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 100欧姆
MRFG35005NR5 NXP USA Inc. MRFG35005NR5 -
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ECAD 5665 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v 表面安装 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz Phemt fet PLD-1.5 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 80 ma 4.5W 11DB - 12 v
PMPB85ENEA115 NXP USA Inc. PMPB85ENEA115 0.0900
RFQ
ECAD 4498 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000
PMXB75UPE147 NXP USA Inc. PMXB75UPE147 0.0600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 5,009
PDZ13B/ZLX NXP USA Inc. PDZ13B/ZLX -
RFQ
ECAD 9111 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 PDZ13 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069118115 Ear99 8541.10.0050 3,000
A2T07D160W04SR3 NXP USA Inc. A2T07D160W04SR3 79.2330
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 70 v 表面安装 NI-780S-4L A2T07 803MHz ldmos NI-780S-4L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935315451128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 450 MA 30W 21.5db - 28 V
BAV99S/MI115 NXP USA Inc. BAV99S/MI115 -
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ECAD 1751年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 BAV99 标准 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
PMEG2005EJ,115 NXP USA Inc. PMEG2005EJ,115 0.0500
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMEG2 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
PMN70XP115 NXP USA Inc. PMN70XP115 0.0600
RFQ
ECAD 523 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
BZV55-B7V5,135 NXP USA Inc. BZV55-B7V5,135 0.0200
RFQ
ECAD 106 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 1 µA @ 5 V 7.5 v 15欧姆
BB202LX,315 NXP USA Inc. BB202LX,315 -
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜85°C(TJ) 表面安装 SOD-882 BB20 SOD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 11.2pf @ 2.3V,1MHz 单身的 6 V 2.5 C0.2/C2.3 -
PMV90ENE215 NXP USA Inc. PMV90ENE215 -
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
PHM12NQ20T,518 NXP USA Inc. PHM12NQ20T,518 -
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 PHM12 MOSFET (金属 o化物) 8-hvson(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 14.4A(TC) 5V,10V 130mohm @ 12a,10v 4V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±20V 1230 PF @ 25 V - 62.5W(TC)
BZX84-C13,215 NXP USA Inc. BZX84-C13,215 0.0200
RFQ
ECAD 140 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PMEG3020CPA,115 NXP USA Inc. PMEG3020CPA,115 -
RFQ
ECAD 3709 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMEG3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
BZX284-B3V6,115 NXP USA Inc. BZX284-B3V6,115 -
RFQ
ECAD 3062 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
BZX79-C20,133 NXP USA Inc. BZX79-C20,133 -
RFQ
ECAD 7348 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
1N4737A,113 NXP USA Inc. 1N4737A,113 0.0400
RFQ
ECAD 202 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 1N47 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000
PHPT610035NK115 NXP USA Inc. PHPT610035NK115 -
RFQ
ECAD 6813 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1,500
BUK95180-100A,127 NXP USA Inc. BUK95180-100A,127 -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 11A(TC) 4.5V,10V 173MOHM @ 5A,10V 2V @ 1mA ±15V 619 pf @ 25 V - 54W(TC)
BUK9907-55ATE,127 NXP USA Inc. BUK9907-55,127 -
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 BUK99 MOSFET (金属 o化物) TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 6.2MOHM @ 50a,10v 2V @ 1mA 108 NC @ 5 V ±15V 5836 pf @ 25 V 温度传感二极管 272W(TC)
BYC8X-600P,127 NXP USA Inc. BYC8X-600P,127 -
RFQ
ECAD 6393 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 标准 TO-220F 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.9 V @ 8 A 18 ns 20 µA @ 600 V 175°c (最大) 8a -
BCX70H,215 NXP USA Inc. BCX70H,215 -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCX70 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BAV99/LF1235 NXP USA Inc. BAV99/LF1235 1.0000
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV99 标准 TO-236AB 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 100 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
PHB108NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB108NQ03LT,118 -
RFQ
ECAD 2166 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB PHB10 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 6mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 16.3 NC @ 4.5 V ±20V 1375 PF @ 12 V - 187W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库