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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -测试	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
PSMN070-200B	-	RFQ	3024	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN070		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1															-
BUK7109-75AIE，118	1.1300	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BUK71					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BTA208X-1000C0/L01127	-	RFQ	2236	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
PDTB113ZQA147	-	RFQ	7763	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1
PMN80XP，115	-	RFQ	6986	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道					20 v	2.5a（ta）		102MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	-	385MW（TA），4W（TC）
PSMN5R0-100ES，127	-	RFQ	4441	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						PSMN5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK6E3R2-55C，127	-	RFQ	8042	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						buk6					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BLF644P112	150.6000	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BUK663R5-55C，118	0.7200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	800
OT413127	0.5600	RFQ	671	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BUK6211-75C，118	-	RFQ	2638	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	74a（ta）		11mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TA）
BUK6218-40C，118	-	RFQ	8859	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±16V	1170 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BUK96180-100A，118	1.0000	RFQ	1557年	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	11a（11a）		173MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±15V	619 pf @ 25 V	-	54W（ta）
BZX84J-B13115	-	RFQ	7335	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		1.1 V @ 100 mA	100 na @ 8 V		13 V	10欧姆
PMK35EP，518	-	RFQ	6361	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道					30 V	14.9a（TC）	10V	19mohm @ 9.2a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±25V	2100 PF @ 25 V	-	6.9W（TC）
PMZB290Une2315	-	RFQ	1067	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMZB290		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	10,000															-
PZU14DB2,115	0.0300	RFQ	45	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353				250兆	5-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	2独立																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 11 V		14 V	10欧姆
BYV10-600P127	0.2100	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1,154
BUK7E2R3-40C，127	0.9700	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						buk7					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
A3V09H521-24SR6	-	RFQ	6352	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						A3v09					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	150
A3G26H501W17SR3	140.6060	RFQ	9327	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						A3G26					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	250
A3T21H456W23SR6	93.4511	RFQ	9541	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						A3T21					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	150
A3G20S250-01SR3	87.3364	RFQ	2843	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						A3G20					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	250
A2G22S190-01SR3	84.2912	RFQ	6434	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						A2G22					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	250
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买						A3G35					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	250
BUK7606-55A，118	0.8800	RFQ	800	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA		±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BCX55,115	-	RFQ	8695	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BCX55					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BLF8G27LS-100V，112	52.4000	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		65 v		底盘安装	SOT-1244B		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		CDFM6	下载				Ear99	8541.29.0075	6			-	900 MA	25W	17dB											-			28 V
BLF8G27LS-100V，118	57.2300	RFQ	74	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		65 v		底盘安装	SOT-1244B		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		CDFM6	下载				Ear99	8541.29.0075	6			-	900 MA	25W	17dB											-			28 V
BZX84-B24,215	-	RFQ	1183	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX84					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²