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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -测试 | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
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![]() | BUK7230-55A/C1118 | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF904215 | - | ![]() | 5420 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BF904215-NXP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6208-40C,118 | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | Buk62 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 90A(TC) | 4.5V,10V | 6.2MOHM @ 15a,10v | 2.8V @ 1mA | 67 NC @ 10 V | ±16V | 3720 PF @ 25 V | - | 128W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9135HSR5 | - | ![]() | 2240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 66 v | 表面安装 | NI-880S | MRFE6 | 940MHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1 a | 39W | 21dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PLVA2653A215 | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 5.3 v | 250欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C2V7315 | - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 9,450 | 900 mv @ 10 ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFG35005NR5 | - | ![]() | 5665 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 15 v | 表面安装 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 80 ma | 4.5W | 11DB | - | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB85ENEA115 | 0.0900 | ![]() | 4498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB75UPE147 | 0.0600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,009 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ13B/ZLX | - | ![]() | 9111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | PDZ13 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934069118115 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T07D160W04SR3 | 79.2330 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 70 v | 表面安装 | NI-780S-4L | A2T07 | 803MHz | ldmos | NI-780S-4L | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 935315451128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 450 MA | 30W | 21.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99S/MI115 | - | ![]() | 1751年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | BAV99 | 标准 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005EJ,115 | 0.0500 | ![]() | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMEG2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN70XP115 | 0.0600 | ![]() | 523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B7V5,135 | 0.0200 | ![]() | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB202LX,315 | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜85°C(TJ) | 表面安装 | SOD-882 | BB20 | SOD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 11.2pf @ 2.3V,1MHz | 单身的 | 6 V | 2.5 | C0.2/C2.3 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV90ENE215 | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHM12NQ20T,518 | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | PHM12 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hvson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 14.4A(TC) | 5V,10V | 130mohm @ 12a,10v | 4V @ 1mA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1230 PF @ 25 V | - | 62.5W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C13,215 | 0.0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3020CPA,115 | - | ![]() | 3709 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMEG3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B3V6,115 | - | ![]() | 3062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-110 | BZX284 | 400兆 | SOD-110 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C20,133 | - | ![]() | 7348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX79 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737A,113 | 0.0400 | ![]() | 202 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 1N47 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610035NK115 | - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK95180-100A,127 | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Buk95 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 11A(TC) | 4.5V,10V | 173MOHM @ 5A,10V | 2V @ 1mA | ±15V | 619 pf @ 25 V | - | 54W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9907-55,127 | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | BUK99 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 4.5V,10V | 6.2MOHM @ 50a,10v | 2V @ 1mA | 108 NC @ 5 V | ±15V | 5836 pf @ 25 V | 温度传感二极管 | 272W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8X-600P,127 | - | ![]() | 6393 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | TO-220F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 8 A | 18 ns | 20 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70H,215 | - | ![]() | 4005 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BCX70 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99/LF1235 | 1.0000 | ![]() | 5720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | TO-236AB | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB108NQ03LT,118 | - | ![]() | 2166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | PHB10 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 25 v | 75A(TC) | 5V,10V | 6mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 16.3 NC @ 4.5 V | ±20V | 1375 PF @ 12 V | - | 187W(TC) |
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