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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -测试	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BUK7E04-40A，127	0.8000	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						buk7					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK9907-40ATC，127	-	RFQ	4375	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						BUK99					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK9606-55B，118	0.6800	RFQ	7	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk96					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK7528-55A，127	0.2800	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	42A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1165 PF @ 25 V	-	99W（TC）
PZU4.7B3A115	-	RFQ	2229	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	2 µA @ 1 V		4.7 v	80欧姆
NUR460P/L07112	0.1400	RFQ	169	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						NUR460					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
BLL6H0514LS-130112	-	RFQ	5119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BUK7513-75B，127	0.4400	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk75					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7620-100A，118	0.6200	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk76					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK9575-100A，127	-	RFQ	6432	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PZU12DB2,115	0.0300	RFQ	18	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353				250兆	5-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000	2独立																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 9 V		12 v	10欧姆
BAV170235	1.0000	RFQ	4641	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1
BYV10EX-600P127	0.4100	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1
PZU15B1115	1.0000	RFQ	7689	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SOD-323F	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	50 na @ 11 V		15 v	15欧姆
PMN80XP，115	-	RFQ	6986	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道					20 v	2.5a（ta）		102MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	-	385MW（TA），4W（TC）
MRFX1K80NR5578	-	RFQ	4259	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		179 v		底盘安装	OM-1230-4L2L		1.8MHz〜400MHz	ldmos		OM-1230-4L2L	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			50	双重的		100mA	100 ma	1800W	24.4db											-			65 v
BUK7107-55，118	-	RFQ	1603	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trechplus™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75a（ta）		7mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	116 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	272W（TA）
BUK6E3R2-55C，127	-	RFQ	8042	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						buk6					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BLF644P112	150.6000	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BUK663R5-55C，118	0.7200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	800
OT413127	0.5600	RFQ	671	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BT137-600/DG/L01127	0.2800	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1,065
BFU550W135	-	RFQ	8609	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	10,000
PMN45en，135	0.1800	RFQ	450	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	10,000		n通道					30 V	5.2A（TC）		40mohm @ 3a，10v	2V @ 1mA	6.1 NC @ 4.5 V	20V	495 pf @ 25 V	-	1.75W（TC）
MMRF5017HSR5138	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
PSMN7R8-120ESQ	1.0800	RFQ	430	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN7R8		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）
BLF7G10LS-250,112	97.2300	RFQ	55	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v		底盘安装	SOT-502B		869MHz〜960MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	4			5µA	1.8 a	250W	19.5db											-			30 V
UJA1168TK/FD，118	-	RFQ	7125	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
PEMD16115	-	RFQ	1061	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1
BZX100A115	-	RFQ	9134	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SOD-323F	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		1.1 V @ 100 mA	200 na @ 76 V		100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²