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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NZX3V6A，133	0.0200	RFQ	151	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					NZX3				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PMST4403,115	0.0200	RFQ	179	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMST4				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
PBSS5260PAP，115	1.0000	RFQ	5054	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS5260		510MW	6-Huson（2x2）	下载			Ear99	8541.29.0075	1																				60V	2a	100NA（ICBO）			2 PNP （双）	500mv @ 200mA，2a	110 @ 1A，2V	100MHz
NZH20C，115	-	RFQ	4012	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					NZH2				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PZU7.5B，115	0.0300	RFQ	57	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PZU7.5				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PZU4.7B1,115	0.0400	RFQ	66	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PZU4.7				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PUMD10,115	-	RFQ	2443	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMD10				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
PZU8.2BA115	-	RFQ	9385	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载			Ear99	8541.10.0050	1
NZX27A，133	0.0200	RFQ	9877	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载			Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma		50 na @ 18.9 V							27 V	80欧姆
PSMN1R7-30YL，115	-	RFQ	8053	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
PBSS4021NT，215	-	RFQ	8026	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS4				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000
1N4735A，113	0.0400	RFQ	90	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					1N47				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000
BZX585-B24,115	-	RFQ	8213	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX585				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BCM857BV，315	-	RFQ	9091	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BCM857		300MW	SOT-666	下载			Ear99	8541.21.0075	1																				45V	100mA	15NA（icbo）			2（PNP （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	175MHz
BYR29-600,127	0.4800	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载			Ear99	8541.10.0080	628	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.5 V @ 8 A	75 ns	10 µA @ 600 V	150°C （最大）	8a	-
BUK7675-55A，118	-	RFQ	8633	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk76				-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BZX84-A3V6,215	0.1100	RFQ	304	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BUK962R8-60E，118	-	RFQ	8419	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	120A（TC）	5V	2.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	92 NC @ 5 V	±10V	15600 PF @ 25 V	-	324W（TC）
BZT52H-B22,115	0.0200	RFQ	318	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载			Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 15.4 V							22 v	25欧姆
BZV55-B13,115	0.0200	RFQ	290	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV55				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500
2PB709ASL，215	0.0200	RFQ	503	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2pb70				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PUMB16,115	0.0200	RFQ	112	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMB16		300MW	SOT-363	下载			Ear99	8541.21.0095	1																				50V	100mA	1µA			2 PNP-）	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	-	22KOHMS	47kohms
BUK7Y113-100EX	-	RFQ	1948年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	12A（TC）	10V	113MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	10.4 NC @ 10 V	±20V	601 PF @ 25 V	-	45W（TC）
PBLS1501Y，115	-	RFQ	6931	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS15				下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PSMN019-100YL，115	1.0000	RFQ	1461	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-				0000.00.0000	1
BZX79-C3V6,143	0.0200	RFQ	335	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载			Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V							3.6 v	90欧姆
PDTA123YMB315	0.0200	RFQ	97	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载			Ear99	8541.21.0075	1
BYC5B-600,118	0.3900	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		D2PAK	下载			Ear99	8541.10.0080	545	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												500 v	2.9 V @ 5 A	50 ns	100 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
MRF7S38010HR3,118	-	RFQ	8531	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载			Ear99	8541.29.0075	1
BAS516115	1.0000	RFQ	8224	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载			Ear99	8541.10.0070	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²