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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC857CM315	1.0000	RFQ	6082	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC857			150兆	SOT-883	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			10,000																				45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BSH121,135	0.0900	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BSH1					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
BAS70VV115	-	RFQ	2735	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1
MRFE6VP6600NR3,528	-	RFQ	7796	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
MRF6VP3450HSR5-NXP	225.1400	RFQ	13	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		110 v		底盘安装	NI-1230-4S		470MHz〜860MHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	1.4 a	450W	22.5dB											-					50 V
PMN27UP，115-nxp	-	RFQ	2799	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000		P通道					20 v	5.7A（ta）		32MOHM @ 2.4a，4.5V	950mv @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±8V	2340 pf @ 10 V	-	540MW（TA），6.25W（tc）
PMV30XPEA，215-NXP	-	RFQ	4120	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMV30		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
BLF8G10LS-270,112	71.4300	RFQ	36	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v		底盘安装	SOT-502B		820MHz〜960MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	5			4.2µA	2 a	270W	18.5db											-					28 V
PSMN2R0-60ES，127	1.4000	RFQ	610	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						PSMN2R0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BTA316X-800B/L01127	-	RFQ	2455	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
PUMF12,115	-	RFQ	1953年	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMF12			300MW	6-TSSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																				50V，40V	100mA		1µA			1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 200mv @ 5mA，50mA	80 @ 5mA，5v / 120 @ 1mA，6V	100MHz	22KOHMS	47kohms
BLF574XR112	192.3000	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BAW156235	0.0300	RFQ	1724年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BAW156					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	7,000
PSMN070-200B	-	RFQ	3024	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN070		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1															-
BZX884-C3V3315	1.0000	RFQ	3386	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1																		900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V					3.3 v	95欧姆
BUK624R5-30C，118	0.4400	RFQ	24	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道					30 V	90A（TC）	10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±16V	4707 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK7509-75A，127	0.8200	RFQ	7	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk75					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PMBT4401YS115	0.0300	RFQ	2633	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	9,316
BZX884-B4V7315	1.0000	RFQ	9536	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 ma	3 µA @ 2 V					4.7 v	80欧姆
BUK7109-75AIE，118	1.1300	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BUK71					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BTA208X-1000C0/L01127	-	RFQ	2236	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BUK762R0-40C，118	0.9200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk76					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK9107-55，118	1.0000	RFQ	2160	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）		SOT-426	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 1mA	108 NC @ 5 V	±15V	5836 pf @ 25 V	温度传感二极管	272W（TC）
PSMN035-150B，118	-	RFQ	9888	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK963R2-40B，118	0.8500	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk96					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
PZU6.2B3A115	-	RFQ	9182	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			3,000																		1.1 V @ 100 mA	500 na @ 3 V					6.2 v	30欧姆
BYC20DX-600P127	0.7500	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1
BLF10M6LS200U112	95.3500	RFQ	260	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BUK663R7-75C，118	-	RFQ	9920	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	234 NC @ 10 V	±16V	15450 pf @ 25 V	-	306W（TC）
BUK664R6-40C，118	0.4400	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	800

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²