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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -测试
MRF21030LR5	-	RFQ	5533	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-400	MRF21	2.14GHz	ldmos	NI-400	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	250 MA	30W	13DB											-								28 V
MRF21010LSR5	-	RFQ	1980	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360S	MRF21	2.17GHz	ldmos	NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	100 ma	10W	13.5dB											-								28 V
MRF7S19170HR5	-	RFQ	4331	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	1.4 a	50W	17.2db											-								28 V
MRF7S21170HR3	-	RFQ	9394	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	1.4 a	50W	16dB											-								28 V
MRF9030GNR1	-	RFQ	5772	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-270BA	MRF90	-	ldmos	TO-270-2鸥	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-		-	-											-
MRF7S19170HSR3	-	RFQ	7830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF7	1.99GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935319253128	Ear99	8541.21.0075	250			-	1.4 a	50W	17.2db											-								28 V
MRF9210R5	-	RFQ	1437	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860C3	MRF92	880MHz	ldmos	NI-860C3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	1.9 a	40W	16.5db											-								26 V
MRF9135LSR5	-	RFQ	1874年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF91	880MHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-	1.1 a	25W	17.8db											-								26 V
MRF9120LR3	-	RFQ	5795	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860	MRF91	880MHz	ldmos	NI-860	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250			-	1 a	120W	16.5db											-								26 V
MRF9085LSR3	-	RFQ	7844	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF90	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250			-	700 MA	90W	17.9db											-								26 V
MRFG35005NR5	-	RFQ	5665	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet	PLD-1.5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	80 ma	4.5W	11DB											-								12 v
MRF9060NBR1	-	RFQ	5083	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			TO-272-2	MRF90	945MHz	ldmos	TO-272-2	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	450 MA	60W	18db											-								26 V
MRFG35010R5	-	RFQ	3303	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet	NI-360HF	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	180 MA	10W	10dB											-								12 v
MRF9060LSR1	-	RFQ	3597	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	500			-	450 MA	60W	17dB											-								26 V
MRF9030LR5	-	RFQ	5419	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	250 MA	30W	19db											-								26 V
MRF9030LR1	-	RFQ	7051	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	250 MA	30W	19db											-								26 V
MRF9045LSR5	-	RFQ	4467	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	50			-	350 MA	45W	18.8db											-								28 V
MRF9045LR5	-	RFQ	2873	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-360	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360短领先	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	350 MA	45W	18.8db											-								28 V
BUK961R4-30E，118	-	RFQ	6794	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	120A（TC）	5V，10V	1.4mohm @ 25a，5v	2.1V @ 1mA	113 NC @ 5 V	±10V	16150 pf @ 25 V	-	357W（TC）
NUR460/L02,112	-	RFQ	9169	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	NUR460		标准	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v	1.28 V @ 4 A	65 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	4a	-
BLM7G22S-60pb，118	-	RFQ	1440	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BLM7				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066082118	Ear99	8541.29.0075	100
PSMN023-40YLCX	-	RFQ	5066	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					40 V	24A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 5a，10v	1.95V @ 1mA	8.4 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 20 V	-	25W（TC）
MW7IC2020NT1	30.7569	RFQ	3693	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	24-PowerQfn	MW7IC2020	2.14GHz	ldmos	24-PQFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8542.33.0001	1,000			-	40 MA	2.4W	32.6dB											-								28 V
BLP7G22-10,135	-	RFQ	4909	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP7	700MHz〜2.2GHz	ldmos	12-hvson（4x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934065973135	Ear99	8541.29.0075	500			-	110 MA	2W	27dB											-								28 V
BUK961R5-30E，118	-	RFQ	3018	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	120A（TC）	5V，10V	1.3MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	93.4 NC @ 5 V	±10V	14500 PF @ 25 V	-	324W（TC）
BUK9Y7R8-80E，115	-	RFQ	2261	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	buk9y7		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067026115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	-		-	-				-	-
BUK753R5-60E，127	-	RFQ	8901	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	120A（TC）	10V	3.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	8920 PF @ 25 V	-	293W（TC）
BUK754R7-60E，127	-	RFQ	1264	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	6230 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK9E3R2-40E，127	-	RFQ	8556	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	100A（TC）	5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	69.5 NC @ 5 V	±10V	9150 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK9E4R4-80E，127	-	RFQ	3574	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					80 V	120A（TC）	5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	123 NC @ 5 V	±10V	17130 PF @ 25 V	-	349W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²