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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUK664R6-40C，118	0.4400	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	800
SI2304DS，215	0.1400	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Si2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000
BUK6212-40C，118	-	RFQ	6413	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500			n通道					40 V	50a（ta）		11.2MOHM @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 NC @ 10 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	80W
BLF10M6LS200U112	95.3500	RFQ	260	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
CLF1G0035-100P	202.5400	RFQ	994	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150 v		底盘安装	SOT-1228A		3.5GHz	hemt		最多	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1				-	330 MA	100W	12.5db											-								50 V
CLF1G0060S-10	1.0000	RFQ	1622	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150 v		表面安装	SOT-1227B		6GHz	甘姆特		SOT1227B	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1				-	50 mA	10W	16dB											-								50 V
BZV49-C5V6115	0.1600	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1,000																				1 V @ 50 mA		1 µA @ 2 V						5.6 v	40欧姆
BC857CM315	1.0000	RFQ	6082	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC857			150兆	SOT-883	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			10,000																								45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BSH121,135	0.0900	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BSH1					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
BUK7107-55，118	-	RFQ	1603	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trechplus™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	75a（ta）		7mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	116 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	272W（TA）
MRFX1K80NR5578	-	RFQ	4259	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		179 v		底盘安装	OM-1230-4L2L		1.8MHz〜400MHz	ldmos		OM-1230-4L2L	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			50	双重的			100mA	100 ma	1800W	24.4db											-								65 v
BT137-600/DG/L01127	0.2800	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1,065
BFU550W135	-	RFQ	8609	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	10,000
BUK762R0-40C，118	0.9200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk76					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BUK9107-55，118	1.0000	RFQ	2160	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）		SOT-426	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 1mA	108 NC @ 5 V	±15V	5836 pf @ 25 V	温度传感二极管	272W（TC）
BUK963R2-40B，118	0.8500	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk96					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
PZU6.2B3A115	-	RFQ	9182	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			3,000																				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 3 V						6.2 v	30欧姆
BYC20DX-600P127	0.7500	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1
BFU530W，115	0.2500	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1
BLF7G24LS-160P，112	113.5700	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v			SOT539B	BLF7G24	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源			-	1.2 a	30W	18.5db											-								28 V
BC846BM315	-	RFQ	9382	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN				250兆	DFN1006B-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	10,000																								65 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	200mv @ 500µA，10mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BUK662R7-55C，118	-	RFQ	9034	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1			n通道					55 v	120A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
MMRF5017HSR5138	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
PDTD113ZQA147	0.0300	RFQ	18	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	5,000
BYC5-600P127	0.3600	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1
BZX84-C13235	1.0000	RFQ	8878	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			10,000
PHKD13N03LT，518	-	RFQ	9048	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHKD13		MOSFET （金属 o化物）	3.57W	8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500	2 n 通道（双）							30V	10.4a		20mohm @ 8a，10v	2V @ 250µA	10.7nc @ 5V		752pf @ 15V	逻辑级别门
BYC15-600P127	0.4800	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2			标准		TO-220AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	628		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v	3.2 V @ 15 A	18 ns	10 µA @ 600 V	175°c （最大）
BFU910F	-	RFQ	5055	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	3,000
PSMN050-80B，118	-	RFQ	9168	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	800			n通道					80 V	22a（TC）	10V	46mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	633 pf @ 12 V	-	56W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²