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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前 - 最大 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电容@Vr, F 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻 - RDS(On) 电阻@If,F 电流消耗 (Id) - 最大 电容比 电容比条件 Q@Vr,F
BZX79-C3V6,113 NXP USA Inc. BZX79-C3V6,113 0.0200
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ECAD 220 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 1V时为5μA 3.6V 90欧姆
BA277,135 NXP USA Inc. BA277,135 -
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ECAD 7570 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) SC-79、SOD-523 BA27 SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934054935135 EAR99 8541.10.0070 10,000 100毫安 715毫W 1.2pF@6V、1MHz 标准 - 单人间 35V -
PZM22NB1,115 NXP USA Inc. PZM22NB1,115 -
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ECAD 1630 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM22 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 17V时为70nA 22V 25欧姆
BZX284-B5V1,115 NXP USA Inc. BZX284-B5V1,115 -
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ECAD 5294 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-110 BZX284 400毫W SOD-110 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 2V时为2μA 5.1V 60欧姆
1PS66SB82115 NXP USA Inc. 1PS66SB82115 0.0800
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ECAD 97 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 1PS66 下载 EAR99 8541.10.0070 1
PZU6.2B1A115 NXP USA Inc. PZU6.2B1A115 -
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ECAD 7835 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
MRF7S18170HR5 NXP USA Inc. MRF7S18170HR5 -
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ECAD 1668 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 1.81GHz LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 1.4A 50W 17.5分贝 - 28V
BC847BMB315 NXP USA Inc. BC847BMB315 -
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ECAD 7265 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 2156-BC847BMB315 0000.00.0000 1
BZX884-C4V3315 NXP USA Inc. BZX884-C4V3315 -
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ECAD 6967 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
PH3120L,115-NXP NXP USA Inc. PH3120L,115-恩智浦 -
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ECAD 3809 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1,500人 N沟道 20V 100A(温度) 4.5V、10V 2.65毫欧@25A,10V 2V@1mA 48.5nC@4.5V ±20V 4457pF@10V - 62.5W(温度)
BFR31,215 NXP USA Inc. BFR31,215 -
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ECAD 3834 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFR31 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 25V 4pF@10V 1毫安@10伏 2.5V@0.5nA 10毫安
PMPB13XNE,115 NXP USA Inc. PMPB13XNE,115 0.1100
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ECAD 18 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-XFDFN 裸露焊盘 PMPB13 MOSFET(金属O化物) DFN1010B-6 下载 EAR99 8541.29.0095 2,876 N沟道 30V 8A(塔) 1.8V、4.5V 16mOhm@8A,4.5V 900mV@250μA 36nC@4.5V ±12V 15V时为2195pF - 1.7W(Ta)、12.5W(Tc)
BUK9506-40B,127 NXP USA Inc. BUK9506-40B,127 0.5200
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ECAD 6 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛洼95 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BZX79-B2V4143 NXP USA Inc. BZX79-B2V4143 -
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ECAD 4217 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
BZB84-C20,215 NXP USA Inc. BZB84-C20,215 0.0200
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ECAD 29 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1对共阳极 900毫伏@10毫安 14V时为50nA 20V 55欧姆
A2T26H165-24SR3128 NXP USA Inc. A2T26H165-24SR3128 127.1600
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ECAD 第497章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0075 1
PMBFJ108,215 NXP USA Inc. PMBFJ108,215 -
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ECAD 第1537章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMBFJ1 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 25V 30pF @ 10V (VGS) 25V 80毫安@15伏 10V@1μA 8欧姆
J2A012YXS/T1AY403, NXP USA Inc. J2A012YXS/T1AY403, -
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ECAD 5258 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - - - J2A0 - - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935296266118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
PDTC143EM,315 NXP USA Inc. PDTC143EM,315 0.0300
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ECAD 132 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000
BZX585-C11,135 NXP USA Inc. BZX585-C11,135 -
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ECAD 2201 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SC-79、SOD-523 300毫W SOD-523 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@100mA 8V时为100μA 11伏 10欧姆
BZX84-C11,235 NXP USA Inc. BZX84-C11,235 0.0200
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ECAD 30 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 8V时为100nA 11伏 20欧姆
BZX84-B56,215 NXP USA Inc. BZX84-B56,215 0.0200
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ECAD 60 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 39.2V时为50nA 56V 200欧姆
BZX585-B30,115 NXP USA Inc. BZX585-B30,115 -
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ECAD 7758 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX585 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
BZX585-B68,115 NXP USA Inc. BZX585-B68,115 0.0400
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ECAD 9 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX585 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
BC56-16PAS115 NXP USA Inc. BC56-16PAS115 1.0000
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ECAD 2080 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC856B/DG/B2235 NXP USA Inc. BC856B/DG/B2235 0.0200
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ECAD 70 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC856 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 10,000
BC850C/AU235 NXP USA Inc. BC850C/AU235 0.0200
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ECAD 20 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 15,000
J3D016YXV/T1AY599J NXP USA Inc. J3D016YXV/T1AY599J -
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ECAD 1222 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J3D0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
BB171X NXP USA Inc. BB171X -
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ECAD 3226 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 SC-76、SOD-323 BB17 SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 2.89pF@28V、1MHz 单身的 32V 22号 C1/C28 -
BUK765R3-40E,118 NXP USA Inc. BUK765R3-40E,118 -
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ECAD 3258 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.9毫欧@25A,10V 4V@1mA 10V时为35.5nC ±20V 2772pF@25V - 137W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库