SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -测试
MRF6VP41KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP41KHR5 -
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 110 v 底盘安装 NI-1230 MRF6 450MHz ldmos NI-1230 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935309956178 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 150 ma 1000W 20dB - 50 V
MRF7P20040HR5 NXP USA Inc. MRF7P20040HR5 -
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780-4 MRF7 2.03GHz ldmos NI-780-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 150 ma 10W 18.2db - 32 v
MRF7S18125AHSR3 NXP USA Inc. MRF7S18125AHSR3 -
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 1.88GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.1 a 125W 17dB - 28 V
PMN38EN,165 NXP USA Inc. PMN38en,165 -
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN3 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934060023165 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 30 V 5.4A(TC) 4.5V,10V 38mohm @ 3a,10v 2V @ 1mA 6.1 NC @ 4.5 V ±20V 495 pf @ 25 V - 1.75W(TC)
BUK7213-40A,118 NXP USA Inc. BUK7213-40A,118 -
RFQ
ECAD 9516 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 Buk72 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934058199118 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 55A(TC) 10V 13mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 47 NC @ 10 V ±20V 2245 PF @ 25 V - 150W(TC)
PH2030AL,115 NXP USA Inc. PH2030al,115 -
RFQ
ECAD 7299 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 PH20 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934062275115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V - - - - -
PH3430AL,115 NXP USA Inc. PH3430al,115 -
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 PH34 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934063086115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 100A(TC) 3.5MOHM @ 15A,10V 2.15V @ 1mA 41 NC @ 10 V 2458 pf @ 12 V - -
MRF6V12500HSR5 NXP USA Inc. MRF6V12500HSR5 580.3800
RFQ
ECAD 2047 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 110 v 底盘安装 NI-780 MRF6V12500 1.03GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935314145178 Ear99 8541.29.0075 50 - 200 ma 500W 19.7db - 50 V
MRF8P9300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P9300HSR6 -
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-1230S MRF8 960MHz ldmos NI-1230S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935310166128 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 2.4 a 100W 19.4dB - 28 V
MRF8S21200HSR5 NXP USA Inc. MRF8S21200HSR5 -
RFQ
ECAD 7216 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 NI-1230S MRF8 2.14GHz ldmos NI-1230S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4 a 48W 18.1db - 28 V
MRF8S9260HR5 NXP USA Inc. MRF8S9260HR5 -
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 960MHz ldmos NI-880H-2L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935317145178 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.7 a 75W 18.6dB - 28 V
MRF8S9260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HSR3 -
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 NI-880S MRF8 960MHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935319595128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.7 a 75W 18.6dB - 28 V
MRF8S7120NR3 NXP USA Inc. MRF8S7120NR3 -
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 768MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935314209528 Ear99 8541.29.0075 250 - 600 MA 32W 19.2db - 28 V
MRF8P20160HSR3 NXP USA Inc. MRF8P20160HSR3 -
RFQ
ECAD 8154 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-4L MRF8 1.92GHz ldmos NI-780S-4L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935310235128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 550 MA 37W 16.5db - 28 V
MRF8S26060HR5 NXP USA Inc. MRF8S26060HR5 -
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400-240 MRF8 2.69GHz ldmos NI-400-240 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 - 450 MA 15.5W 16.3db - 28 V
BUK754R3-75C,127 NXP USA Inc. BUK754R3-75C,127 -
RFQ
ECAD 9112 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 100A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 142 NC @ 10 V ±20V 11659 PF @ 25 V - 333W(TC)
BUK7609-55A,118 NXP USA Inc. BUK7609-55A,118 -
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 10V 9mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 62 NC @ 0 V ±20V 3271 PF @ 25 V - 211W(TC)
BUK761R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK761R8-30C,118 -
RFQ
ECAD 1442 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 100A(TC) 10V 1.8mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 150 NC @ 10 V ±20V 10349 PF @ 25 V - 333W(TC)
BUK7E4R3-75C,127 NXP USA Inc. BUK7E4R3-75C,127 -
RFQ
ECAD 7802 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk7 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 100A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 142 NC @ 10 V ±20V 11659 PF @ 25 V - 333W(TC)
PHP165NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP165NQ08T,127 -
RFQ
ECAD 1562 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP16 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934062188127 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 75A(TC) 10V 5mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 165 NC @ 10 V ±20V 8250 pf @ 25 V - 250W(TC)
PMN38EN,135 NXP USA Inc. PMN38en,135 -
RFQ
ECAD 4802 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN3 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 30 V 5.4A(TC) 4.5V,10V 38mohm @ 3a,10v 2V @ 1mA 6.1 NC @ 4.5 V ±20V 495 pf @ 25 V - 1.75W(TC)
MRF19045LR5 NXP USA Inc. MRF19045LR5 -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-400 MRF19 1.93GHz ldmos NI-400-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 550 MA 9.5W 14.5db - 26 V
MRF19090SR3 NXP USA Inc. MRF19090SR3 -
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-880S MRF19 1.93GHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 - 750 MA 90W 11.5db - 26 V
MRF21045LSR5 NXP USA Inc. MRF21045LSR5 -
RFQ
ECAD 1666年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 Ni-400s MRF21 2.16GHz〜2.17GHz ldmos Ni-400s 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 500 MA 10W 15DB - 28 V
MRF21045LR5 NXP USA Inc. MRF21045LR5 -
RFQ
ECAD 6138 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400 MRF21 2.16GHz〜2.17GHz ldmos NI-400 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 500 MA 10W 15DB - 28 V
MRF21030LR5 NXP USA Inc. MRF21030LR5 -
RFQ
ECAD 5533 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400 MRF21 2.14GHz ldmos NI-400 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 250 MA 30W 13DB - 28 V
MRF21010LSR5 NXP USA Inc. MRF21010LSR5 -
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-360S MRF21 2.17GHz ldmos NI-360S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 100 ma 10W 13.5dB - 28 V
MRF7S19170HR5 NXP USA Inc. MRF7S19170HR5 -
RFQ
ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.99GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 1.4 a 50W 17.2db - 28 V
MRF7S21170HR3 NXP USA Inc. MRF7S21170HR3 -
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 2.17GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 - 1.4 a 50W 16dB - 28 V
MRF9030GNR1 NXP USA Inc. MRF9030GNR1 -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-270BA MRF90 - ldmos TO-270-2鸥 - Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库