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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -测试
BCP69-16/DG，115	-	RFQ	5398	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP69			SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9Y11-30B/C1,115	-	RFQ	6143	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
NX2020N2X	-	RFQ	3899	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					NX20				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
PSMN0R9-25YLC/GFX	-	RFQ	8789	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					PSMN0				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
MRF24301HSR5	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			底盘安装	NI-780	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-		300W	13.5dB											-
MRFX600HSR5	140.6500	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	179 v		表面安装	NI-780S-4L	MRFX600	1.8MHz〜400MHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			10µA	100 ma	600W	26.4db											-								65 v
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买					A3G35				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
A3V09H521-24SR6	-	RFQ	6352	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					A3v09				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
A3G26H501W17SR3	140.6060	RFQ	9327	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3G26				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
A3T21H456W23SR6	93.4511	RFQ	9541	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3T21				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
A3G20S250-01SR3	87.3364	RFQ	2843	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3G20				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
A2G22S190-01SR3	84.2912	RFQ	6434	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A2G22				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
PLVA2650A，215	0.0900	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PLVA2				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
PMZB380XN，315	0.0900	RFQ	243	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）	DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道					30 V	（930ma）（ta）	2.5V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.87 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BUK7526-100B，127	-	RFQ	3903	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100			n通道					100 v	49A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2891 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BLA1011S-200,112	353.1400	RFQ	48	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	75 v		底盘安装	SOT-502B		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20				-	150 ma	200W	13DB											-								36 V
BAV99/8,215	-	RFQ	3957	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BAV99	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV99		标准	TO-236AB	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对系列连接	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BLF6G27-75,112	87.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A		-	ldmos	SOT502A	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20				18a	600 MA	9W	-											-								28 V
BUK9540-100A，127	1.0000	RFQ	9551	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK953R2-40B，127	0.9400	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BSP100,135	1.0000	RFQ	2686	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
BLA1011-2,112	86.6700	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	托盘	积极的					bla1				-	rohs3符合条件		到达不受影响				160
PMFPB8040XP，115	0.1800	RFQ	161	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	102MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	8.6 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	485MW（TA），6.25W（tc）
BLD6G22L-50,112	85.0500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-1130A		2.14GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源			10.2a	170 MA	8W	14dB											-								28 V
BUK6507-75C，127	0.4900	RFQ	6189	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	526			n通道					75 v	100A（TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	123 NC @ 10 V	±16V	7600 PF @ 25 V	-	204W（TC）
BUK9504-40A，127	0.8200	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PLVA2656A，215	0.0900	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PLVA2				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
A3G26D055N-100	315.0000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		100MHz〜2.69GHz	甘	6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	568-A3G26D055N-100	Ear99	8541.29.0095	1				-	40 MA	8W	13.9db											-								48 v
A3G26D055N-1805	675.0000	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		100MHz〜2.69GHz	甘	6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1				-	40 MA	8W	13.9db											-								48 v
BAS16/LF1215	0.0200	RFQ	96	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BAS16				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²