SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f) (ID) - 最大
PHX9NQ20T,127 NXP USA Inc. PHX9NQ20T,127 -
RFQ
ECAD 9179 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PHX9 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 5.2A(TC) 10V 400MOHM @ 4.5A,10V 4V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 959 pf @ 25 V - 25W(TC)
PSMN004-60P,127 NXP USA Inc. PSMN004-60P,127 -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PSMN0 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 75A(TC) 3.6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 168 NC @ 10 V 8300 PF @ 25 V - -
BC547C,112 NXP USA Inc. BC547C,112 -
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC54 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
BUK752R7-30B,127 NXP USA Inc. BUK752R7-30B,127 -
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 75A(TC) 10V 2.7MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 6212 PF @ 25 V - 300W(TC)
BUK754R3-40B,127 NXP USA Inc. BUK754R3-40B,127 -
RFQ
ECAD 4691 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 69 NC @ 10 V ±20V 4824 PF @ 25 V - 254W(TC)
BUK76150-55A,118 NXP USA Inc. BUK76150-55A,118 -
RFQ
ECAD 5926 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 11A(TC) 10V 150MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA 5.5 NC @ 10 V ±20V 322 PF @ 25 V - 36W(TC)
BUK7E2R7-30B,127 NXP USA Inc. BUK7E2R7-30B,127 -
RFQ
ECAD 6208 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk7 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 75A(TC) 10V 2.7MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 6212 PF @ 25 V - 300W(TC)
BUK9506-55B,127 NXP USA Inc. BUK9506-55B,127 -
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 5.4mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 60 NC @ 5 V ±15V 7565 PF @ 25 V - 258W(TC)
BUK9509-55A,127 NXP USA Inc. BUK9509-55A,127 -
RFQ
ECAD 8053 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 60 NC @ 5 V ±15V 4633 PF @ 25 V - 211W(TC)
BUK95150-55A,127 NXP USA Inc. BUK95150-55A,127 -
RFQ
ECAD 5425 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 13A(TC) 4.5V,10V 137mohm @ 13a,10v 2V @ 1mA ±10V 339 pf @ 25 V - 53W(TC)
BUK9516-75B,127 NXP USA Inc. BUK9516-75B,127 -
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 67A(TC) 4.5V,10V 14mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 35 NC @ 5 V ±15V 4034 PF @ 25 V - 157W(TC)
BUK95180-100A,127 NXP USA Inc. BUK95180-100A,127 -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 11A(TC) 4.5V,10V 173MOHM @ 5A,10V 2V @ 1mA ±15V 619 pf @ 25 V - 54W(TC)
BUK9528-55A,127 NXP USA Inc. BUK9528-55A,127 -
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 40a(TC) 4.5V,10V 28mohm @ 20a,5v 2V @ 1mA ±10V 1700 PF @ 25 V - 99W(TC)
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A,118 -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 60 NC @ 5 V ±15V 4633 PF @ 25 V - 211W(TC)
BUK9907-55ATE,127 NXP USA Inc. BUK9907-55,127 -
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 BUK99 MOSFET (金属 o化物) TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 6.2MOHM @ 50a,10v 2V @ 1mA 108 NC @ 5 V ±15V 5836 pf @ 25 V 温度传感二极管 272W(TC)
BUK9E3R2-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E3R2-40B,127 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk9 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 100A(TC) 4.5V,10V 2.8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 94 NC @ 5 V ±15V 10502 PF @ 25 V - 300W(TC)
BUK9E4R4-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E4R4-40B,127 -
RFQ
ECAD 6907 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk9 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 4.5V,10V 4mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 64 NC @ 5 V ±15V 7124 PF @ 25 V - 254W(TC)
PBSS4160K,115 NXP USA Inc. PBSS4160K,115 -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PBSS4 425 MW SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 750 MA 100NA NPN 280mv @ 100mA,1a 200 @ 500mA,5V 220MHz
PBSS4350S,126 NXP USA Inc. PBSS4350,126 -
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PBSS4 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 3 a 100NA(ICBO) NPN 290mv @ 200mA,2a 100 @ 2a,2v 100MHz
PBSS5350S,126 NXP USA Inc. PBSS5350,126 -
RFQ
ECAD 4268 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PBSS5 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 200mA,2a 100 @ 2a,2v 100MHz
BFT46,215 NXP USA Inc. BFT46,215 -
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFT46 250兆 SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 25 v 5pf @ 10V 200 µA @ 10 V 1.2 V @ 0.5 na 10 MA
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. PDTD113EK,115 -
RFQ
ECAD 7770 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTD113 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 33 @ 50mA,5V 1 kohms 1 kohms
BC327-40,112 NXP USA Inc. BC327-40,112 -
RFQ
ECAD 3118 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC32 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 700mv @ 50mA,500mA 250 @ 100mA,1V 80MHz
BFG31,115 NXP USA Inc. BFG31,115 -
RFQ
ECAD 7404 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BFG31 1W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 15V 100mA PNP 25 @ 70mA,10V 5GHz -
BLF4G10-160,112 NXP USA Inc. BLF4G10-160,112 -
RFQ
ECAD 6208 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 65 v 底盘安装 SOT-502A BLF4 894MHz ldmos 最多 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 60 15a 900 MA 160W 19.7db - 28 V
BLS3135-50,114 NXP USA Inc. BLS3135-50,114 -
RFQ
ECAD 7038 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 200°C(TJ) 表面安装 SOT-422A bls3 80W CDFM2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4 8DB 75V 6a NPN 40 @ 1.5A,5V 3.5GHz -
PRF947,115 NXP USA Inc. PRF947,115 -
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PRF94 250MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 10V 50mA NPN 50 @ 5mA,6v 8.5GHz 1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
PH16030L,115 NXP USA Inc. PH16030L,115 -
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PH16 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 38A(TC) 4.5V,10V 16.9mohm @ 15a,10v 2V @ 1mA 8.2 NC @ 4.5 V ±15V 680 pf @ 12 V - 41.6W(TC)
PHB108NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB108NQ03LT,118 -
RFQ
ECAD 2166 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB10 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 6mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 16.3 NC @ 4.5 V ±20V 1375 PF @ 12 V - 187W(TC)
MRFG35010ANR5 NXP USA Inc. MRFG35010ANR5 -
RFQ
ECAD 5304 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v 底盘安装 NI-360HF MRFG35 3.55GHz Phemt fet NI-360HF - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 130 MA 1W 10dB - 12 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库