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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
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PHP21N06T，127	-	RFQ	7939	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP21		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	21a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	69W（TC）
PHP54N06T，127	-	RFQ	5698	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP54		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	54A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	1592 PF @ 25 V	-	118W（TC）
PHP71NQ03LT，127	-	RFQ	4406	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP71		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
PHT11N06LT，135	-	RFQ	8274	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT11		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	4.9a（ta）	5V	40mohm @ 5A，5V	2V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±13V	1400 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），8.3W（TC）
PHT8N06LT，135	-	RFQ	1176	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT8		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	3.5A（ta）	5V	80mohm @ 5A，5V	2V @ 1mA	11.2 NC @ 5 V	±13V	650 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），8.3W（TC）
PSMN008-75P，127	-	RFQ	8560	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					75 v	75A（TC）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	122.8 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	230W（TC）
PBSS2540E，115	-	RFQ	1310	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PBSS2			250兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	500 MA				100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，2V	450MHz
PBSS5160K，115	-	RFQ	3220	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS5			425 MW	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				60 V	700 MA				100NA			PNP	340mv @ 100mA，1a	150 @ 500mA，5V	185MHz
PBSS9110S，126	-	RFQ	9446	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PBSS9			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				100 v	1 a				100NA			PNP	320mv @ 100mA，1a	150 @ 500mA，5V	100MHz
BC879,112	-	RFQ	5165	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC87			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				80 V	1 a				50NA			npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
BFR31,215	-	RFQ	3834	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR31			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					25 v							4pf @ 10V									1 mA @ 10 V	2.5 V @ 0.5 Na									10 MA
BFG67/X，215	-	RFQ	9908	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG67			380MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-														10V	50mA							NPN		60 @ 15mA，5V	8GHz	1.3db @ 1GHz
BFR520T，115	-	RFQ	8371	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BFR52			150MW	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-														15V	70mA							NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz	1.1db〜2.1dB @ 900MHz
BLS2731-10,114	-	RFQ	9526	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的			200°C（TJ）	表面安装	SOT-445C	BLS2			145W	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4						10dB														75V	1.5a							NPN		40 @ 250mA，5V	3.1GHz	-
BF1204,115	-	RFQ	8977	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		10 v		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30dB											0.9dB					5 v
BF1206,115	-	RFQ	4985	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		6 V		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	18 ma	-	30dB											1.3dB					5 v
BUK75150-55A，127	-	RFQ	6536	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	11A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.5 NC @ 10 V	±20V	322 PF @ 25 V	-	36W（TC）
BUK753R1-40B，127	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK764R3-40B，118	-	RFQ	7936	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4824 PF @ 25 V	-	254W（TC）
BUK7E11-55B，127	-	RFQ	6209	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	2604 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BUK7L06-34ARC，127	-	RFQ	2374	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	buk7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					34 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 30a，10v	3.8V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	4533 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BUK9516-55A，127	-	RFQ	9062	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	66A（TC）	5V，10V	15mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3085 pf @ 25 V	-	138W（TC）
BUK9520-55A，127	-	RFQ	8220	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	54A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	2210 PF @ 25 V	-	118W（TC）
BUK96150-55A，118	-	RFQ	3555	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	13A（TC）	4.5V，10V	137mohm @ 13a，10v	2V @ 1mA		±10V	339 pf @ 25 V	-	53W（TC）
BUK98150-55,135	-	RFQ	2989	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	5.5A（TC）	5V	150MOHM @ 5A，5V	2V @ 1mA		±10V	330 pf @ 25 V	-	8.3W（TC）
BZX284-C33,115	-	RFQ	1304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 23.1 V							33 V	40欧姆
MRFG35010NR5	-	RFQ	4367	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		15 v			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	180 MA	9W	10dB											-					12 v
MRFG35002N6R5	-	RFQ	4922	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		8 V			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	65 ma	1.5W	10dB											-					6 V
MRF6P24190HR6	-	RFQ	9448	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321194128	Ear99	8541.29.0075	150			-	1.9 a	40W	14dB											-					28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²