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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
PZM6.8NB2A，115	-	RFQ	7689	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM6.8			220兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	2 µA @ 3.5 V							6.8 v	15欧姆
PZM7.5NB1,115	-	RFQ	9696	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM7.5			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	9,000																		1.1 V @ 100 mA	1 µA @ 4 V							7.5 v	10欧姆
PZM7.5NB3,115	-	RFQ	2881	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM7.5			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	1 µA @ 4 V							7.5 v	10欧姆
PZM8.2NB，115	-	RFQ	3033	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM8.2			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.1 V @ 100 mA	700 na @ 5 V							8.2 v	10欧姆
PDTA114ES，126	-	RFQ	2746	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的				通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA114			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																				50 V	100 ma				1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V		10 kohms	10 kohms
PDTA143TK，115	-	RFQ	5976	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma				1µA			pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	200 @ 1mA，5V		4.7科姆斯
PDTB123TS，126	-	RFQ	7639	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的				通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTB123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																				50 V	500 MA				500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V		2.2 kohms
PDTC123EK，115	-	RFQ	7375	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma				1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms	2.2 kohms
SI4800,518	-	RFQ	6206	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Si4		MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	9a（9a）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	800MV @ 250µA	11.8 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
PHB108NQ03LT，118	-	RFQ	2166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB10		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V	±20V	1375 PF @ 12 V	-	187W（TC）
PHN210,118	-	RFQ	1226	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHN210		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）						30V	-		100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6NC @ 10V		250pf @ 20V	逻辑级别门
PHP55N03LTA，127	-	RFQ	2739	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP55		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
PHX18NQ20T，127	-	RFQ	1895年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX18		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	8.2A（TC）	10V	180mohm @ 8a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	30W（TC）
PHX23NQ10T，127	-	RFQ	1564年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX23		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	13A（TC）	10V	70MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	1187 PF @ 25 V	-	27W（TC）
PHX9NQ20T，127	-	RFQ	9179	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	5.2A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	959 pf @ 25 V	-	25W（TC）
PSMN004-60P，127	-	RFQ	7318	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	75A（TC）		3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	168 NC @ 10 V		8300 PF @ 25 V	-	-
BC547C，112	-	RFQ	9494	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC54			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,000																				45 v	100 ma				15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
PBSS4160K，115	-	RFQ	4859	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBSS4			425 MW	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																				60 V	750 MA				100NA			NPN	280mv @ 100mA，1a	200 @ 500mA，5V	220MHz
PBSS4350，126	-	RFQ	9788	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PBSS4			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																				50 V	3 a				100NA（ICBO）			NPN	290mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，2v	100MHz
PBSS5350，126	-	RFQ	4268	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PBSS5			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000																				50 V	3 a				100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，2v	100MHz
BFT46,215	-	RFQ	8664	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFT46			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					25 v							5pf @ 10V									200 µA @ 10 V	1.2 V @ 0.5 na											10 MA
PDTD113EK，115	-	RFQ	7770	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTD113			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	500 MA				500NA			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V		1 kohms	1 kohms
BC327-40,112	-	RFQ	3118	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC32			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000																				45 v	500 MA				100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
BFG31,115	-	RFQ	7404	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG31			1W	SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000						-														15V	100mA							PNP		25 @ 70mA，10V	5GHz			-
BLF4G10-160,112	-	RFQ	6208	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF4	894MHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	60			15a	900 MA	160W	19.7db											-					28 V
BLS3135-50,114	-	RFQ	7038	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的			200°C（TJ）	表面安装	SOT-422A	bls3			80W	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	4						8DB														75V	6a							NPN		40 @ 1.5A，5V	3.5GHz			-
PRF947,115	-	RFQ	6646	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PRF94			250MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000						-														10V	50mA							NPN		50 @ 5mA，6v	8.5GHz			1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
PH16030L，115	-	RFQ	4965	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH16		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	38A（TC）	4.5V，10V	16.9mohm @ 15a，10v	2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	±15V	680 pf @ 12 V	-	41.6W（TC）
BUK752R7-30B，127	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	6212 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK754R3-40B，127	-	RFQ	4691	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4824 PF @ 25 V	-	254W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²