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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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BZX284-B43,115	-	RFQ	5376	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284		400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000												1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 30.1 V				43 V	80欧姆
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BZX284-C56,115	-	RFQ	8218	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284		400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000												1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 39.2 V				56 v	120欧姆
BZX284-C6V2,135	-	RFQ	5302	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284		400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	11,000												1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
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PHB143NQ04T，118	-	RFQ	3944	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB14	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	75A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	200W（TC）
PHB225NQ04T，118	-	RFQ	4245	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PHD14NQ20T，118	-	RFQ	4157	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD14	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	200 v	14A（TC）	5V，10V	230MOHM @ 7A，10V	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	125W（TC）
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PHM21NQ15T，518	-	RFQ	8989	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PHM21	MOSFET （金属 o化物）		8-hvson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	22.2A（TC）	5V，10V	55mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
PHP119NQ06T，127	-	RFQ	8987	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	53 NC @ 10 V	±20V	2820 PF @ 25 V	-	200W（TC）
PHP143NQ04T，127	-	RFQ	7997	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	75A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	200W（TC）
PHP225NQ04T，127	-	RFQ	2195	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
php34nq11t，127	-	RFQ	5111	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	110 v	35A（TC）	10V	40mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
PHP78NQ03LT，127	-	RFQ	6482	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP78	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	25 v	75A（TC）	5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	13 NC @ 5 V	±20V	1074 PF @ 25 V	-	93W（TC）
PHU66NQ03LT，127	-	RFQ	9126	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU66	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	66A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	93W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²