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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 电容比 电容比条件
PZU3.6BA,115 NXP USA Inc. PZU3.6BA,115 0.0300
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ECAD 20 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-76、SOD-323 320毫W SOD-323 下载 EAR99 8541.10.0050 11,010 1.1V@100mA 1V时为5μA 3.6V 90欧姆
BY329-1500S,127 NXP USA Inc. BY329-1500S,127 -
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ECAD 2354 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2 32年前后 标准 TO-220AC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1500伏 1.6V@6.5A 160纳秒 1300V时为250μA 150℃(最高) 6A -
NZX24B,133 NXP USA Inc. NZX24B,133 0.0200
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ECAD 27 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BZX585-C2V7,115 NXP USA Inc. BZX585-C2V7,115 0.0300
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ECAD 99 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SC-79、SOD-523 300毫W SOD-523 下载 EAR99 8541.10.0050 10,764 1.1V@100mA 1V时为20μA 2.7V 100欧姆
MRF8HP21130HR5 NXP USA Inc. MRF8HP21130HR5 -
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ECAD 7232 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780-4 MRF8 2.17GHz LDMOS NI-780-4 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 360毫安 28W 14分贝 - 28V
BZX384-C5V6/ZLX NXP USA Inc. BZX384-C5V6/ZLX -
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ECAD 3174 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SC-76、SOD-323 BZX384 300毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934068953115 过时的 0000.00.0000 3,000 1.1V@100mA 50nA@700mV 5.6V 40欧姆
PEMB4,115 NXP USA Inc. PEMB4,115 0.0400
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ECAD 56 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMB4 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0095 1 50V 100毫安 1微安 2 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 200@1mA,5V - 10k欧姆 -
J111,126 NXP USA Inc. J111,126 -
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ECAD 1823年 0.00000000 恩智浦 - 切带 (CT) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 J111 400毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 N沟道 40V 6pF @ 10V (VGS) 40V 20毫安@15伏 10V@1μA 30欧姆
PH2625L,115 NXP USA Inc. PH2625L,115 0.3000
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PH26 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. BUK7Y7R2-60EX -
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ECAD 2919 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 0000.00.0000 1 N沟道 60V - 10V - - ±20V - 167W(温度)
BZX84-C4V3/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C4V3/LF1VL -
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ECAD 9688 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C4V3 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069494235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 1V时为3μA 4.3V 90欧姆
TDZ27J,115 NXP USA Inc. TDZ27J,115 0.0300
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ECAD 5674 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TDZxJ 大部分 的积极 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-90、SOD-323F TDZ27 500毫W SOD-323F 下载 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 18.9V时为50nA 27V 40欧姆
NZH15B,115 NXP USA Inc. NZH15B,115 0.0300
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ECAD 第738章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZH1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
BZX79-B2V4,113 NXP USA Inc. BZX79-B2V4,113 0.0200
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ECAD 57 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PDTD123YU115 NXP USA Inc. PDTD123YU115 -
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ECAD 4220 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 3,000
BZV85-C12,133 NXP USA Inc. BZV85-C12,133 -
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ECAD 2768 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZV85 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000
BF1105R,215 NXP USA Inc. BF1105R,215 -
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ECAD 2047 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 SOT-143R BF110 800兆赫 场效应管 SOT-143R 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 - 20分贝 1.7分贝 5V
BZB84-B12,215 NXP USA Inc. BZB84-B12,215 -
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ECAD 7248 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZB84-B12 300毫W TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 1对共阳极 900毫伏@10毫安 8V时为100nA 12V 25欧姆
BZX84-C33,215 NXP USA Inc. BZX84-C33,215 1.0000
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ECAD 5847 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 900毫伏@10毫安 23.1V时为50nA 33V 80欧姆
BB156135 NXP USA Inc. BB156135 0.2800
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ECAD 7 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 SC-76、SOD-323 SOD-323 下载 EAR99 8541.10.0070 1 5.4pF@7.5V,1MHz 单身的 10V 3.9 C1/C7.5
PEMH2,115 NXP USA Inc. PEMH2,115 0.0600
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ECAD 9821 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMH2 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 960 50V 100毫安 1微安 2 NPN - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 80@5mA,5V - 47k欧姆 47k欧姆
BC857,215 NXP USA Inc. BC857,215 0.0200
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ECAD 88 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC857 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BZB84-C30,215 NXP USA Inc. BZB84-C30,215 0.0200
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ECAD 59 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 300毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1对共阳极 900毫伏@10毫安 21V时为50nA 30V 80欧姆
BAW56W/DG/B3115 NXP USA Inc. BAW56W/DG/B3115 -
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ECAD 7199 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BAW56W 下载 0000.00.0000 1
PZM18NB2,115 NXP USA Inc. PZM18NB2,115 -
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ECAD 7838 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM18 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 13V时为70nA 18V 20欧姆
BAT854W/S911115 NXP USA Inc. BAT854W/S911115 0.0300
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ECAD 156 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 3,000
PDTD143XQA147 NXP USA Inc. PDTD143XQA147 0.0300
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ECAD 29 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 5,000
MRF7S18125AHSR5 NXP USA Inc. MRF7S18125AHSR5 -
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ECAD 6379 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 1.88GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1安 125W 17分贝 - 28V
BUK962R5-60E118 NXP USA Inc. BUK962R5-60E118 1.0000
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ECAD 6166 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 1
2N7002K,215 NXP USA Inc. 2N7002K,215 -
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ECAD 2954 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2N70 MOSFET(金属O化物) SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 340mA(塔) 4.5V、10V 3.9欧姆@500mA,10V 2V@1mA ±15V 40pF@10V - 830毫W(塔)
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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    15,000米2

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