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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
PZM24NB2,115 NXP USA Inc. PZM24NB2,115 -
RFQ
ECAD 4347 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM24 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 na @ 19 V 24 V 30欧姆
PZM27NB,115 NXP USA Inc. PZM27NB,115 -
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM27 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 NA @ 21 V 27 V 40欧姆
PZM3.0NB1,115 NXP USA Inc. PZM3.0NB1,115 -
RFQ
ECAD 3742 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM3.0 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
PZM3.3NB2A,115 NXP USA Inc. PZM3.3NB2A,115 -
RFQ
ECAD 9326 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±4% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM3.3 220兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
PZM3.6NB,115 NXP USA Inc. PZM3.6NB,115 -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM3.6 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
PZM3.6NB2,115 NXP USA Inc. PZM3.6NB2,115 -
RFQ
ECAD 8384 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM3.6 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
PZM3.9NB,115 NXP USA Inc. PZM3.9NB,115 -
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM3.9 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
PZM3.9NB2,115 NXP USA Inc. PZM3.9NB2,115 -
RFQ
ECAD 4070 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM3.9 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
PZM4.3NB1,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB1,115 -
RFQ
ECAD 8135 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM4.3 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90欧姆
PZM4.7NB2A,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB2A,115 -
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM4.7 220兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 4.7 v 80欧姆
PZM6.2NB2,115 NXP USA Inc. PZM6.2NB2,115 -
RFQ
ECAD 6063 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM6.2 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 2 µA @ 3 V 6.2 v 10欧姆
PZM6.2NB3,115 NXP USA Inc. PZM6.2NB3,115 -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM6.2 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 2 µA @ 3.5 V 6.8 v 15欧姆
PZM6.8NB2,115 NXP USA Inc. PZM6.8NB2,115 -
RFQ
ECAD 2037 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM6.8 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 2 µA @ 3.5 V 6.8 v 15欧姆
PZM6.8NB3,115 NXP USA Inc. PZM6.8NB3,115 -
RFQ
ECAD 3289 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM6.8 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 2 µA @ 3.5 V 6.8 v 15欧姆
PZM7.5NB,115 NXP USA Inc. PZM7.5NB,115 -
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM7.5 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 1 µA @ 4 V 7.5 v 10欧姆
PZM7.5NB2,115 NXP USA Inc. PZM7.5NB2,115 -
RFQ
ECAD 9246 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM7.5 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 9,000 1.1 V @ 100 mA 1 µA @ 4 V 7.5 v 10欧姆
PZM8.2NB1,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB1,115 -
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM8.2 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 700 na @ 5 V 8.2 v 10欧姆
BZX284-C33,115 NXP USA Inc. BZX284-C33,115 -
RFQ
ECAD 1304 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 23.1 V 33 V 40欧姆
PHB55N03LTA,118 NXP USA Inc. PHB55N03LTA,118 -
RFQ
ECAD 4559 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB55 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 25 v 55A(TC) 5V,10V 14mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 20 nc @ 5 V ±20V 950 pf @ 25 V - 85W(TC)
PHB96NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB96NQ03LT,118 -
RFQ
ECAD 1908年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 4.95MOHM @ 25a,10V 2V @ 1mA 26.7 NC @ 5 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 115W(TC)
PHD108NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHD108NQ03LT,118 -
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 PhD10 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 6mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 16.3 NC @ 4.5 V ±20V 1375 PF @ 12 V - 187W(TC)
PHD34NQ10T,118 NXP USA Inc. PHD34NQ10T,118 -
RFQ
ECAD 9369 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 PHD34 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 35A(TC) 10V 40mohm @ 17a,10v 4V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 1704 PF @ 25 V - 136W(TC)
PHD37N06LT,118 NXP USA Inc. PHD37N06LT,118 -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 PHD37 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 37A(TC) 5V,10V 32MOHM @ 17a,10v 2V @ 1mA 22.5 NC @ 5 V ±13V 1400 pf @ 25 V - 100W(TC)
PHK24NQ04LT,518 NXP USA Inc. PHK24NQ04LT,518 -
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PHK24 MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 21.2A(TC) 4.5V,10V 7.7MOHM @ 14A,10V 2V @ 1mA 64 NC @ 10 V ±20V 2985 pf @ 25 V - 6.25W(TC)
PHP110NQ08LT,127 NXP USA Inc. PHP110NQ08LT,127 -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP11 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 75A(TC) 4.5V,10V 8.5mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 127.3 NC @ 10 V ±20V 6631 PF @ 25 V - 230W(TC)
PHP110NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP110NQ08T,127 -
RFQ
ECAD 4764 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP11 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 75 v 75A(TC) 10V 9mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 113.1 NC @ 10 V ±20V 4860 pf @ 25 V - 230W(TC)
PHP160NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP160NQ08T,127 -
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP16 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 75A(TC) 10V 5.6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 5585 pf @ 25 V - 300W(TC)
PHP21N06T,127 NXP USA Inc. PHP21N06T,127 -
RFQ
ECAD 7939 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP21 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 21a(TC) 10V 75mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 13 NC @ 10 V ±20V 500 pf @ 25 V - 69W(TC)
PHP54N06T,127 NXP USA Inc. PHP54N06T,127 -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP54 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 54A(TC) 10V 20mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 1592 PF @ 25 V - 118W(TC)
PHP71NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP71NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP71 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 75A(TC) 5V,10V 10mohm @ 25a,10v 2.5V @ 1mA 13.2 NC @ 5 V ±20V 1220 pf @ 25 V - 120W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库