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![]() | PZM3.0NB1,115 | - | ![]() | 3742 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM3.0 | 300兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||
![]() | PZM3.3NB2A,115 | - | ![]() | 9326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±4% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM3.3 | 220兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | |||||||||||||
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![]() | PZM7.5NB2,115 | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM7.5 | 300兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 9,000 | 1.1 V @ 100 mA | 1 µA @ 4 V | 7.5 v | 10欧姆 | |||||||||||||
![]() | PZM8.2NB1,115 | - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM8.2 | 300兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 10欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZX284-C33,115 | - | ![]() | 1304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-110 | BZX284 | 400兆 | SOD-110 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 23.1 V | 33 V | 40欧姆 | |||||||||||||
![]() | PHB55N03LTA,118 | - | ![]() | 4559 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | PHB55 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 25 v | 55A(TC) | 5V,10V | 14mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 20 nc @ 5 V | ±20V | 950 pf @ 25 V | - | 85W(TC) | |||||||
![]() | PHB96NQ03LT,118 | - | ![]() | 1908年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | PHB96 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 25 v | 75A(TC) | 5V,10V | 4.95MOHM @ 25a,10V | 2V @ 1mA | 26.7 NC @ 5 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 115W(TC) | |||||||
![]() | PHD108NQ03LT,118 | - | ![]() | 9462 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | PhD10 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 75A(TC) | 5V,10V | 6mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 16.3 NC @ 4.5 V | ±20V | 1375 PF @ 12 V | - | 187W(TC) | |||||||
![]() | PHD34NQ10T,118 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | PHD34 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 35A(TC) | 10V | 40mohm @ 17a,10v | 4V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1704 PF @ 25 V | - | 136W(TC) | |||||||
![]() | PHD37N06LT,118 | - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | PHD37 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 37A(TC) | 5V,10V | 32MOHM @ 17a,10v | 2V @ 1mA | 22.5 NC @ 5 V | ±13V | 1400 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | |||||||
![]() | PHK24NQ04LT,518 | - | ![]() | 1983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | PHK24 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 21.2A(TC) | 4.5V,10V | 7.7MOHM @ 14A,10V | 2V @ 1mA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 2985 pf @ 25 V | - | 6.25W(TC) | |||||||
![]() | PHP110NQ08LT,127 | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 75A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 127.3 NC @ 10 V | ±20V | 6631 PF @ 25 V | - | 230W(TC) | |||||||
![]() | PHP110NQ08T,127 | - | ![]() | 4764 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 75 v | 75A(TC) | 10V | 9mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 113.1 NC @ 10 V | ±20V | 4860 pf @ 25 V | - | 230W(TC) | |||||||
![]() | PHP160NQ08T,127 | - | ![]() | 3905 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP16 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 75A(TC) | 10V | 5.6mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 91 NC @ 10 V | ±20V | 5585 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||
![]() | PHP21N06T,127 | - | ![]() | 7939 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP21 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 21a(TC) | 10V | 75mohm @ 10a,10v | 4V @ 1mA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 500 pf @ 25 V | - | 69W(TC) | |||||||
![]() | PHP54N06T,127 | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP54 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 54A(TC) | 10V | 20mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1592 PF @ 25 V | - | 118W(TC) | |||||||
![]() | PHP71NQ03LT,127 | - | ![]() | 4406 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP71 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 30 V | 75A(TC) | 5V,10V | 10mohm @ 25a,10v | 2.5V @ 1mA | 13.2 NC @ 5 V | ±20V | 1220 pf @ 25 V | - | 120W(TC) |
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