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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTC144EE，135	-	RFQ	8225	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC144			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																									50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
BUK9623-75A，118	-	RFQ	6142	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					75 v	53A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3120 PF @ 25 V	-	138W（TC）
PBR951,215	-	RFQ	9894	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBR95			365MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																		10V	100mA					NPN		50 @ 5mA，6v	8GHz			1.3db〜2dB @ 1GHz〜2GHz
BFR93A，215	-	RFQ	8135	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR93			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																		12V	35mA					NPN		40 @ 30mA，5V	6GHz			1.9db〜3db @ 1GHz〜2GHz
MRF7S21080HSR5	-	RFQ	4824	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-	800 MA	22W	18db											-									28 V
BF994S，215	-	RFQ	4868	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		20 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF994	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门			30mA	10 MA	-	25DB											1dB									15 v
BSH112,235	-	RFQ	4783	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSH1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道					60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±15V	40 pf @ 10 V	-	830MW（TC）
BZX84-B5V1/LF1VL	-	RFQ	4623	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-B5V1			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069409235	Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma	2 µA @ 2 V								5.1 v	60欧姆
PMEG2010AEK，115	-	RFQ	8568	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMEG2		肖特基		SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	20 v	450 MV @ 1 A	200 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	70pf @ 5V，1MHz
BZT52H-C27,115	0.0200	RFQ	54	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZT52					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BUK751R6-30E，127	-	RFQ	6333	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					30 V	120A（TC）	10V	1.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	154 NC @ 10 V	±20V	11960 pf @ 25 V	-	349W（TC）
MRF7S18170HSR5	-	RFQ	1611	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-880S	MRF7	1.81GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-	1.4 a	50W	17.5db											-									28 V
BUK761R7-40E/GFJ	-	RFQ	2888	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800									-	10V				±20V
BS108/01,126	-	RFQ	4910	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS10		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					200 v	300mA（TA）	2.8V	5ohm @ 100mA，2.8V	1.8V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
2pd602as，115	-	RFQ	1853年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pd60			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	12,000																									50 V	500 MA		10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	170 @ 150mA，10v	180MHz
BFR93AW，135	-	RFQ	1759年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR93			300MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934022950135	Ear99	8541.21.0075	10,000							-																		12V	35mA					NPN		40 @ 30mA，5V	5GHz			1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
BUK9875-100A，115	-	RFQ	7976	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	7A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 8A，10V	2V @ 1mA		±10V	1690 pf @ 25 V	-	8W（TC）
MRF5P21240HR6	-	RFQ	5411	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v			NI-1230	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	150				-	2.2 a	52W	13DB											-									28 V
MRF6S18140HR3	-	RFQ	2204	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.88GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-	1.2 a	29W	16dB											-									28 V
PMPB12UN，115	-	RFQ	9143	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB12		MOSFET （金属 o化物）		6-DFN2020MD（2x2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					20 v	7.9a（ta）	1.8V，4.5V	18mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±8V	886 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PMV30UN，215	-	RFQ	9868	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					20 v	5.7A（TC）	1.8V，4.5V	36mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	7.4 NC @ 4.5 V	±8V	460 pf @ 20 V	-	1.9W（TC）
MRF7P20040HSR5	-	RFQ	8023	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF7	2.03GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	150 ma	10W	18.2db											-									32 v
BF904A，215	-	RFQ	9224	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		7 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门			30mA	10 MA	-	-											1dB									4 V
MRF5S9100NBR1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	TO-272BB	MRF5	880MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500				-	950 MA	20W	19.5db											-									26 V
BFS17,215	-	RFQ	5533	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFS17			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																		15V	25mA					NPN		25 @ 2mA，1V	1GHz			4.5db @ 500MHz
MRFE6VP5150NR1	37.5700	RFQ	1508	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		133 v		表面安装	TO-270AB	MRFE6	230MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500	双重的			-	100 ma	150W	26.1db											-									50 V
BLF4G22S-100,112	-	RFQ	3367	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20				12a	900 MA	25W	13.5dB											-									28 V
PZU16B1,115	0.0400	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Pzu16					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BUK7Y41-80E/GFX	-	RFQ	7199	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
BC556A，112	-	RFQ	4479	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC55			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																									65 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²