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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电流 -峰值输出	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电压 -崩溃	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	当前 -崩溃
PDTD143ET215	-	RFQ	8280	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-					Ear99	8541.21.0075	1
BUJ105A，127	0.3000	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					buj1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BC81716215	-	RFQ	8643	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
PH9930L，115	-	RFQ	6535	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH99		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				n通道						30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9.9mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	13.3 NC @ 4.5 V	±20V	1565 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
BC636,116	-	RFQ	9699	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC63			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																			45 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
Byd17k，135	-	RFQ	4686	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-87	Byd17		雪崩		梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										800 v	1.05 V @ 1 A	3 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1.5a	21pf @ 0v，1MHz
Ph9030al，115	-	RFQ	2505	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	PH90		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				n通道						30 V	61A（TC）		8mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	17.8 NC @ 10 V		1006 pf @ 12 V	-	-
BUK761R7-40E/GFJ	-	RFQ	2888	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800											-	10V				±20V
BS108/01,126	-	RFQ	4910	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS10		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				n通道						200 v	300mA（TA）	2.8V	5ohm @ 100mA，2.8V	1.8V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
A2G22S160-01SR3	-	RFQ	7741	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125 v		表面安装	NI-400S-2S	A2G22	2.11GHz			NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250					-		150 ma	32W	19.6dB																		-										48 v
BFU550XVL	0.1553	RFQ	8873	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU550			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067708235	Ear99	8541.21.0075	10,000									15.5db																										12V	50mA			NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz	1.3db @ 1.8GHz
BFR93AW，135	-	RFQ	1759年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR93			300MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934022950135	Ear99	8541.21.0075	10,000									-																										12V	35mA			NPN		40 @ 30mA，5V	5GHz	1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
AFT18S260W31SR3	-	RFQ	8987	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-2L2LA	AFT18	1.88GHz	ldmos		NI-780S-2L2LA	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935322334128	Ear99	8541.29.0075	250					-		1.8 a	50W	19.6dB																		-										28 V
NocatStype	-	RFQ	9247	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
PBSS5160V，115	-	RFQ	9917	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000
BUK9875-100A，115	-	RFQ	7976	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				n通道						100 v	7A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 8A，10V	2V @ 1mA		±10V	1690 pf @ 25 V	-	8W（TC）
2n7002pm，315	-	RFQ	2556	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	2N70		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064133315	Ear99	8541.21.0095	10,000				n通道						60 V	300mA（TA）	5V，10V	-	-		±20V		-	250MW（TA）
MRF8VP13350NR5	160.8106	RFQ	3415	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v		表面安装	OM-780G-4L	MRF8VP13350	700MHz〜1.3GHz	ldmos		OM-780G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316089578	Ear99	8541.29.0075	50					10µA		100 ma	350W	19.2db																		-										50 V
MRF5P21240HR6	-	RFQ	5411	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-1230	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	150					-		2.2 a	52W	13DB																		-										28 V
MRF7S21080HSR5	-	RFQ	4824	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50					-		800 MA	22W	18db																		-										28 V
BC846BT，115	-	RFQ	7515	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC84			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			65 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
MMBT2222A，215	-	RFQ	7913	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MMBT2222					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PBSS5630PA，115	-	RFQ	9051	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MAC97A8/DG，412	0.1200	RFQ	24	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					TO-92-3	下载					Ear99	8541.30.0080	2,404	单身的					10 MA														逻辑 -敏感门	400 v	600 MA	2 v	8a，8.8a	5 ma
MRF9085LR3	-	RFQ	9090	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF90	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250					-		700 MA	90W	17.9db																		-										26 V
BUK766R0-60E，118	-	RFQ	4583	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1				n通道						60 V	75A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 25 V	-	182W（TC）
BUK751R6-30E，127	-	RFQ	6333	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				n通道						30 V	120A（TC）	10V	1.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	154 NC @ 10 V	±20V	11960 pf @ 25 V	-	349W（TC）
2pd602as，115	-	RFQ	1853年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pd60			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	12,000																																			50 V	500 MA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	170 @ 150mA，10v	180MHz
BR100/03,113	-	RFQ	4119	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		100°C（TJ）		DO-204AH，DO-35，轴向	BR10				Alf2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10,000			2 a																							28〜36V																		50 µA
MMRF1311HR5	-	RFQ	1220	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	50 V		底盘安装	SOT-979A	MMRF1	470MHz〜860MHz	ldmos		NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935312262178	Ear99	8541.29.0075	50					-			140W	20dB																		-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²