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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前 - 最大 电流 - 保持 (Ih)(最大) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 全部可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻@If,F 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
PSMN035-150P,127 NXP USA Inc. PSMN035-150P,127 -
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ECAD 8619 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN0 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BC847BQA147 NXP USA Inc. BC847BQA147 1.0000
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ECAD 6120 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 5,000
PMP5501Y,115 NXP USA Inc. PMP5501Y,115 0.1000
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ECAD 22号 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PMP5501 300毫W SOT-363 下载 EAR99 8541.21.0095 3,056 45V 100毫安 15nA(ICBO) 2 PNP(双)匹配 400毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 175兆赫
BZT52H-C56,115 NXP USA Inc. BZT52H-C56,115 0.0200
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ECAD 9535 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZT52 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PDZ3.9BGW,115 NXP USA Inc. PDZ3.9BGW,115 -
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ECAD 7235 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
BAP51-05W,115 NXP USA Inc. BAP51-05W,115 -
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ECAD 3607 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) SC-70、SOT-323 BAP51 SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 50毫安 240毫W 0.35pF@5V、1MHz PIN - 1 对长江 50V 2.5欧姆@10mA,100MHz
PMCPB5530X NXP USA Inc. PMCPB5530X 1.0000
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ECAD 5685 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 1
MHT1807T1 NXP USA Inc. MHT1807T1 0.3200
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ECAD 114 0.00000000 恩智浦 * 大部分 不适合新设计 - 不适用 供应商未定义 可根据要求提供REACH信息 2832-MHT1807T1 EAR99 1
NZX2V7C,133 NXP USA Inc. NZX2V7C,133 0.0200
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ECAD 94 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
MRF372R5 NXP USA Inc. MRF372R5 -
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ECAD 3144 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-860C3 MRF37 857MHz~863MHz LDMOS NI-860C3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 17A 800毫安 180W 17分贝 - 32V
NZX8V2B,133 NXP USA Inc. NZX8V2B,133 0.0200
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ECAD 51 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX8 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BLC8G24LS-240AVU NXP USA Inc. BLC8G24LS-240AVU -
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ECAD 4646 0.00000000 恩智浦 - 托盘 的积极 65V 安装结构 SOT-1252-1 BLC8 2.3GHz~2.4GHz LDMOS SOT1252-1 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 934067995112 EAR99 8541.29.0075 20 双重的 - 800毫安 63W 15分贝 - 30V
BAT54CM315 NXP USA Inc. BAT54CM315 1.0000
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ECAD 4472 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 电池组54 下载 EAR99 8541.10.0070 1
BUK958R5-40E,127 NXP USA Inc. BUK958R5-40E,127 -
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ECAD 3037 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 5V、10V 6.6毫欧@20A,10V 2.1V@1mA 20.9nC@5V ±10V 2600pF@25V - 96W(温度)
A2T23H160-24SR3 NXP USA Inc. A2T23H160-24SR3 132.9651
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ECAD 4413 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 安装结构 NI-780S-4L2L A2T23 2.3GHz LDMOS NI-780S-4L2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935326016128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 350毫安 28W 17.7分贝 - 28V
MHT2025NR1 NXP USA Inc. MHT2025NR1 -
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ECAD 4929 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 MHT20 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 935341634528 过时的 500
BZX79-C27,133 NXP USA Inc. BZX79-C27,133 0.0200
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ECAD 147 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PMEG2005AESFC315 NXP USA Inc. PMEG2005AESFC315 0.0400
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ECAD 135 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 9,000
BZX84-A12215 NXP USA Inc. BZX84-A12215 -
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ECAD 7332 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
PZU8.2B1,115 NXP USA Inc. PZU8.2B1,115 -
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ECAD 9675 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PZU8.2 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PMG370XN,115 NXP USA Inc. PMG370XN,115 -
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ECAD 5529 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 永磁G37 MOSFET(金属O化物) 6-TSSOP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30V 960mA(塔) 2.5V、4.5V 440毫欧@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.65nC@4.5V ±12V 37pF@25V - 690mW(温度)
BT131-600/DG,116 NXP USA Inc. BT131-600/DG,116 0.1000
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ECAD 10 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 TO-92-3 下载 EAR99 8541.30.0080 3,037 单身的 5毫安 逻辑 - 敏感门 600伏 1A 1.5V 12.5A、13.8A 3毫安
PUMH15,115 NXP USA Inc. PUMH15,115 -
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ECAD 2531 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PUMH15 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BTA310X-600D,127 NXP USA Inc. BTA310X-600D,127 0.4100
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 TO-220F 下载 EAR99 8541.30.0080 628 单身的 10毫安 逻辑 - 敏感门 600伏 10A 1.5V 85A、93A 5毫安
BZT52H-B5V1/DLT115 NXP USA Inc. BZT52H-B5V1/DLT115 1.0000
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ECAD 7470 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZT52 下载 0000.00.0000 1
BZV90-C6V2135 NXP USA Inc. BZV90-C6V2135 0.1600
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
PH3330L,115 NXP USA Inc. PH3330L,115 -
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ECAD 6520 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH33 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 100A(温度) 4.5V、10V 3.3毫欧@25A,10V 2.15V@1mA 30.5nC@4.5V ±20V 4840pF@12V - 62.5W(温度)
J2A020YXS/T0BY425, NXP USA Inc. J2A020YXS/T0BY425, -
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ECAD 5955 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - - - J2A0 - - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935295719118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
MRF8S18120HSR3,128 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3,128 -
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ECAD 2731 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 MRF8S18120 - 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1 -
BZX84-C4V7/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C4V7/LF1R -
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ECAD 5265 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C4V7 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069495215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 2V时为3μA 4.7V 80欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库