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6133）
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| PHD110NQ03LT，118 | - | | 3628 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 | 博士学位 | MOSFET （金属 o化物） | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 75A（TC） | 5V，10V | 4.6mohm @ 25a，10v | 2V @ 1mA | 26.7 NC @ 5 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 115W（TC） |
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