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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 电流 - 保持 (Ih)(最大) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 全部可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 噪声系数 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
BZB984-C8V2115 NXP USA Inc. BZB984-C8V2115 -
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ECAD 8086 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
PHD34NQ10T,118 NXP USA Inc. PHD34NQ10T,118 -
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ECAD 9369 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 博士34 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100V 35A(温度) 10V 40毫欧@17A,10V 4V@1mA 40nC@10V ±20V 1704pF@25V - 136W(温度)
PMEG4005EGW115 NXP USA Inc. PMEG4005EGW115 1.0000
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ECAD 7167 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 1
MRF8S21100HSR3,128 NXP USA Inc. MRF8S21100HSR3,128 -
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ECAD 6770 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 MRF8S21100 - 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1 -
PSMN2R4-30MLD115 NXP USA Inc. PSMN2R4-30MLD115 -
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ECAD 9137 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1,500人
ACTT4X-800C,127 NXP USA Inc. ACTT4X-800C,127 0.3000
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 TO-220F 下载 EAR99 8541.30.0080 995 单身的 35毫安 标准 800V 4A 1V 35A、39A 35毫安
PZU15BL,315 NXP USA Inc. PZU15BL,315 1.0000
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ECAD 7780 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -55℃~150℃ 表面贴装 SOD-882 250毫W DFN1006-2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@100mA 11V时为50nA 15V 15欧姆
BF1105,215 NXP USA Inc. BF1105,215 -
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ECAD 6128 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BF110 800兆赫 场效应管 SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 - 20分贝 1.7分贝 5V
BUK662R7-55C NXP USA Inc. BUK662R7-55C -
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ECAD 6957 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 1
BZX84-B4V3/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B4V3/LF1R -
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ECAD 6285 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-B4V3 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069407215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 1V时为3μA 4.3V 90欧姆
ON5213,118 NXP USA Inc. ON5213,118 -
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ECAD 4336 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-263-5、D²Pak(4引脚+接片)、TO-263BB ON52 - - D2PAK - 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 934056669118 EAR99 8541.29.0095 800 - - - - -
BF1108215 NXP USA Inc. BF1108215 -
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ECAD 6481 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 3V 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA - 场效应管 SOT-143B - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 10毫安 - - -
MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc. MRFE6VS25LR5 76.8700
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ECAD 7077 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 安装结构 NI-360 MRFE6 512兆赫 LDMOS NI-360 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 - 10毫安 25W 25.9分贝 - 50V
PMEG3005EB115 NXP USA Inc. PMEG3005EB115 -
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ECAD 9127 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-79、SOD-523 聚B二醇3005 肖特基 SOD-523 下载 EAR99 8541.10.0070 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 500毫伏@500毫安 30V时为500μA 150℃(最高) 500毫安 30pF@1V、1MHz
PUMB11,135 NXP USA Inc. 泵11,135 1.0000
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ECAD 8128 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PUMB11 300毫W SOT-363 下载 EAR99 8541.21.0095 1 50V 100毫安 1微安 2 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V - 10k欧姆 10k欧姆
MRF6S27050HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27050HSR5 -
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ECAD 8775 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 2.62GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 500毫安 7W 16分贝 - 28V
NZX2V4B,133 NXP USA Inc. NZX2V4B,133 0.0200
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ECAD 134 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BC640,126 NXP USA Inc. BC640,126 -
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ECAD 7198 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC64 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 80V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 145兆赫
BCX17,235 NXP USA Inc. BCX17,235 0.0300
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ECAD 133 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0095 10,927 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 620mV@50mA、500mA 100@100mA,1V 80兆赫
MRFE6VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HSR5 -
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ECAD 3050 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 130伏 安装结构 NI-1230S MRFE6 860兆赫 LDMOS NI-1230S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4A 125W 19.3分贝 - 50V
PSMN004-55W,127 NXP USA Inc. PSMN004-55W,127 -
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ECAD 8607 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 25 N沟道 55V 100A(温度) 4.5V、10V 4.2毫欧@25A,10V 2V@1mA 226nC@5V ±15V 13000pF@25V - 300W(温度)
MRF8S18120HSR3 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3 -
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ECAD 7139 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF8 1.81GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 800毫安 72W 18.2分贝 - 28V
BZX284-C75,115 NXP USA Inc. BZX284-C75,115 -
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ECAD 5614 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-110 BZX284 400毫W SOD-110 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 50nA@52.5V 75V 175欧姆
BUK9E04-40A,127 NXP USA Inc. BUK9E04-40A,127 -
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ECAD 7608 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 84 N沟道 40V 75A(温度) 4.3V、10V 4mOhm@25A,10V 2V@1mA 128nC@5V ±15V 8260pF@25V - 300W(温度)
BZX84-C36/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C36/LF1VL -
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ECAD 8119 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C36 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069466235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 23.1V时为50nA 36V 90欧姆
MRF7S21210HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21210HSR3 -
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ECAD 4188 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 63W 18.5分贝 - 28V
BC69-16PASX NXP USA Inc. BC69-16PASX 0.0700
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ECAD 63 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-UDFN 裸露焊盘 420毫W DFN2020D-3 下载 EAR99 8541.29.0075 1 20V 2A 100nA(ICBO) 国民党 600mV@200mA,2A 85@500mA,1V 140兆赫
AFT18S230-12NR3 NXP USA Inc. AFT18S230-12NR3 -
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ECAD 3805 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 OM-780-2L2L AFFT18 1.88GHz LDMOS OM-780-2L2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935312781528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 50W 17.6分贝 - 28V
PDTA143EU,115 NXP USA Inc. PDTA143EU,115 -
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ECAD 8257 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BYC20X-600P127 NXP USA Inc. BYC20X-600P127 0.7600
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ECAD 35 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库