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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电流消耗 (Id) - 最大 电容比 电容比条件 Q@Vr,F
BZX79-B13,133 NXP USA Inc. BZX79-B13,133 0.0200
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ECAD 82 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 8V时为100nA 13伏 30欧姆
2PB709ART,215 NXP USA Inc. 2PB709ART,215 0.0200
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ECAD 第366章 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0095 1 45V 100毫安 10nA(ICBO) 国民党 500毫伏@10毫安,100毫安 210@2mA,10V 70兆赫兹
BZX284-C20,115 NXP USA Inc. BZX284-C20,115 -
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ECAD 1735 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-110 BZX284 400毫W SOD-110 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 14V时为50nA 20V 20欧姆
1PS70SB85,115 NXP USA Inc. 1PS70SB85,115 0.1000
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ECAD 第362章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 1PS70 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000
BAS40W,115 NXP USA Inc. BAS40W,115 0.0300
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ECAD 65 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BAS40 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000
BUK7Y22-100E115 NXP USA Inc. BUK7Y22-100E115 -
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ECAD 7119 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1,500人
BZX84-B12/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B12/LF1R -
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ECAD 3940 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-B12 250毫W SOT-23 (TO-236AB) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069516215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 8V时为100nA 12V 30欧姆
PZM6.8NB3,115 NXP USA Inc. PZM6.8NB3,115 -
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ECAD 3289 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM6.8 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 2μA@3.5V 6.8V 15欧姆
PMV48XPA215 NXP USA Inc. PMV48XPA215 -
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ECAD 1736 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T18H410-24SR6 -
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ECAD 7044 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230-4LS2L A2T18 1.81GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935323767128 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 800毫安 71W 17.4分贝 - 28V
PMXB65ENE,147 NXP USA Inc. PMXB65ENE,147 0.2100
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
BZX84-C18/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C18/LF1R -
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ECAD 8944 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C18 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069446215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 12.6V时为50nA 18V 45欧姆
BZX84-B39,215 NXP USA Inc. BZX84-B39,215 0.0200
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ECAD 603 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX84 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C36115 NXP USA Inc. BZX585-C36115 -
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ECAD 3147 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
PZU15B3A115 NXP USA Inc. PZU15B3A115 1.0000
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ECAD 1726 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
PSMN3R5-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN3R5-30LL,115 -
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ECAD 1040 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 PSMN3 MOSFET(金属O化物) 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,400 N沟道 30V 40A(温度) 4.5V、10V 3.6毫欧@10A、10V 2.15V@1mA 37nC@10V ±20V 2061pF@15V - 71W(温度)
BAT54J NXP USA Inc. 电池BAT54J -
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ECAD 5426 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 电池组54 下载 0000.00.0000 1
PZU4.3B,115 NXP USA Inc. PZU4.3B,115 -
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ECAD 6236 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PZU4.3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
BY329X-1500,127 NXP USA Inc. BY329X-1500,127 -
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ECAD 8881 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2全包 32年前后 标准 TO-220FP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934054895127 EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1500伏 1.45V@6.5A 230纳秒 150℃(最高) 6A -
BFR31,235 NXP USA Inc. BFR31,235 -
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ECAD 5520 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFR31 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 933163490235 EAR99 8541.21.0095 10,000 N沟道 25V 4pF@10V 1毫安@10伏 2.5V@0.5nA 10毫安
1N4747A,113 NXP USA Inc. 1N4747A,113 0.0400
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ECAD 290 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 1N47 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000
J112,126 NXP USA Inc. J112,126 -
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ECAD 2286 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 J112 400毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 N沟道 40V 6pF @ 10V (VGS) 40V 5毫安@15伏 1V@1μA 50欧姆
BB145,115 NXP USA Inc. BB145,115 -
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ECAD 4554 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 BB14 SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 3.25pF @ 4V、1MHz 单身的 6V 2 C1/C4 -
PH1875L,115 NXP USA Inc. PH1875L,115 -
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ECAD 2801 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PH18 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 75V 45.8A(温度) 4.5V、10V 16.5毫欧@20A,10V 2V@1mA 5V时为33.4nC ±15V 2600pF@25V - 62.5W(温度)
BUK7Y153-100E115 NXP USA Inc. BUK7Y153-100E115 -
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ECAD 1495 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1,500人
BLF888DS112 NXP USA Inc. BLF888DS112 249.6100
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ECAD 40 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
BZB784-C2V4,115 NXP USA Inc. BZB784-C2V4,115 0.0300
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ECAD 23 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZB784 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
2PB709ARW,115 NXP USA Inc. 2PB709ARW,115 0.0200
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ECAD 18 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0095 1 45V 100毫安 10nA(ICBO) 国民党 500毫伏@10毫安,100毫安 210@2mA,10V 70兆赫兹
BZX84-C22/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C22/LF1R -
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ECAD 2440 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C22 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069449215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 15.4V时为50nA 22V 55欧姆
BUK9Y14-40B,115 NXP USA Inc. BUK9Y14-40B,115 -
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ECAD 1516 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 56A(温度) 5V 11毫欧@20A,10V 2V@1mA 21nC@5V ±15V 1800pF@25V - 85W(温度)
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    日平均询价量

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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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