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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PSMN8R5-100ESQ	0.6200	RFQ	975	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道					100 v	100A（TJ）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	111 NC @ 10 V	±20V	5512 PF @ 50 V	-	263W（TC）
PMP5501G，115	0.0700	RFQ	265	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	PMP5501			300MW	SOT-353	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																			45V	100mA		15NA（icbo）			2（PNP （双），共同发射器	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	175MHz
BT138-800E/DG127	0.4300	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	642
PSMN035-150B	-	RFQ	4207	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN035		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1														-
BZX884-B13315	0.0300	RFQ	6144	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	8,250																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V					13 V	10欧姆
PMCXB900UEL/S500,147	1.0000	RFQ	3823	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMCXB900		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1														-
MRF6V2300NBR5,578	-	RFQ	9389	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						MRF6V2300		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1														-
MRF6VP11KHR5,178	-	RFQ	8876	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						MRF6VP11		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1														-
NX3008PBKMB，315	0.0300	RFQ	721	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000	P通道					30 V	300mA（TA）		4.1OHM @ 200mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.72 NC @ 4.5 V	±8V	46 pf @ 15 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
PHC21025,118	0.2900	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PHC21					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BLF10M6200112	87.8100	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BLA6H1011-600	634.9400	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BLA6H1011		-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1														-
BUK7510-100B，127	0.8200	RFQ	779	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUK7510		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道					100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±20V	6773 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PSMN1R4-40YLD，115	-	RFQ	3385	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1,500	n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 25a，10v			±20V			238W（TC）
PMPB10XNE184	-	RFQ	2820	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMPB10		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			3,000														-
PDTB113ZU115	0.0400	RFQ	7128	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	5,980
BCP56-10H，115	-	RFQ	3757	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1,000
BLF888DU112	-	RFQ	2330	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BT137-600/L01127	-	RFQ	9054	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	390
PBSS5130QA，147	0.0500	RFQ	195	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	6,000
BYC10X-600P127	-	RFQ	9032	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
BZX84J-B6V2115	1.0000	RFQ	2357	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 4 V					6.2 v	10欧姆
PHD71NQ03LT，118	0.3400	RFQ	64	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD71NQ03		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
BLF6G15L-250PBRN，1	-	RFQ	6000	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		65 v			SOT-1110A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	2		64a	1.41 a	60W	18.5db											-					28 V
BT137X-600F/L02127	-	RFQ	5563	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BLA6H1011-600,112	634.9400	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						bla6					-	rohs3符合条件		到达不受影响			60
BLF2425M7LS140,112	127.3300	RFQ	6	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v			SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		-	1.3 a	140W	18.5db											-					28 V
BUK7507-30B，127	0.4100	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道					30 V	75A（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	2427 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BTA425X-800B127	-	RFQ	5978	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
PMT560ENEA，115	-	RFQ	8641	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMT560		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1														-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²