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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDTA115TU,115 | 0.0200 | ![]() | 206 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA11 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS2001D,115 | 0.0700 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBLS20 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A,113 | - | ![]() | 2069 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 1N47 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA124EU,135 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA124 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4021SN,115 | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBSS4 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C5V6,115 | 0.0200 | ![]() | 3976 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX384 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C15,115 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZT52 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-06W,115 | 0.0300 | ![]() | 1573年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BAS40 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA216-800B,127 | 1.0000 | ![]() | 1020 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 60 ma | 标准 | 800 v | 16 a | 1.5 v | 140a,150a | 50 mA | |||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5220T,215 | - | ![]() | 9502 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBSS5 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX9V1B,133 | 0.0200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX9 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C12215 | 0.0200 | ![]() | 81 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU2.7BL315 | 0.0300 | ![]() | 138 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C51,115 | 0.0200 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZV55 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS76SB21145 | 0.0400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 1PS76 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C10,115 | - | ![]() | 2351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB19,115 | 0.0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PEMB1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10B,133 | 0.0200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH7,115 | 0.0400 | ![]() | 147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PEMH7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123EM,315 | 0.0300 | ![]() | 129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA12 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008NBKV,115 | - | ![]() | 3080 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | NX3008 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | SOT-666 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 30V | 400mA | 1.4OHM @ 350mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.68nc @ 4.5V | 50pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B3115 | 0.0300 | ![]() | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX15X,133 | 0.0200 | ![]() | 79 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS8110X,135 | - | ![]() | 3741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBSS8 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144VT215 | - | ![]() | 7005 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMX2,115 | 0.0200 | ![]() | 4970 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | PUMX2 | 300MW | SOT-363 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 150mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 250mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX14A,133 | 0.0200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.8 V | 14 V | 35欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX3V3B,133 | - | ![]() | 9002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB30XN,115 | - | ![]() | 2435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | PMDPB30 | MOSFET (金属 o化物) | 490MW | 6-Huson(2x2) | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 4a | 40mohm @ 3A,4.5V | 900mv @ 250µA | 21.7nc @ 4.5V | 660pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||
![]() | NZX4V7B,133 | 0.0200 | ![]() | 114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX4 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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