SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
BC52-16PA,115 NXP USA Inc. BC52-16PA,115 -
RFQ
ECAD 9453 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-Powerudfn 420兆W 3-Huson(2x2) 下载 Ear99 8541.29.0075 1 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
BZX79-B22,143 NXP USA Inc. BZX79-B22,143 0.0200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 15.4 V 22 v 55欧姆
BZB84-B47,215 NXP USA Inc. BZB84-B47,215 0.0300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 11,823 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 32.9 V 47 V 170欧姆
BZX84J-C62115 NXP USA Inc. BZX84J-C62115 -
RFQ
ECAD 9742 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
BUK764R2-80E,118 NXP USA Inc. BUK764R2-80E,118 -
RFQ
ECAD 6782 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 80 V 120A(TC) 10V 4.2MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 136 NC @ 10 V ±20V 10426 pf @ 25 V - 324W(TC)
BZX79-C13,143 NXP USA Inc. BZX79-C13,143 0.0200
RFQ
ECAD 375 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 13 V 30欧姆
PMBD354,215 NXP USA Inc. PMBD354,215 0.0800
RFQ
ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMBD3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
NZX15C,133 NXP USA Inc. NZX15C,133 0.0200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PDTA144TM,315 NXP USA Inc. PDTA144TM,315 0.0300
RFQ
ECAD 158 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000
PMP4501Y,115 NXP USA Inc. PMP4501Y,115 -
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMP4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
NZX2V7A,133 NXP USA Inc. NZX2V7A,133 0.0200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX2 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PSMN014-80YLX NXP USA Inc. PSMN014-80ylx 1.0000
RFQ
ECAD 6224 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 80 V 62A(TC) 5V,10V 14mohm @ 15a,10v 2.1V @ 1mA 28.9 NC @ 5 V ±20V 4640 pf @ 25 V - 147W(TC)
PDZ12B/S911115 NXP USA Inc. PDZ12B/S911115 0.0200
RFQ
ECAD 9811 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 4,600
BZX84-B5V1,215 NXP USA Inc. BZX84-B5V1,215 0.0200
RFQ
ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
NZX15B133 NXP USA Inc. NZX15B133 0.0200
RFQ
ECAD 157 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
BZX79-B68,133 NXP USA Inc. BZX79-B68,133 0.0200
RFQ
ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 47.6 V 68 v 240欧姆
BZX84J-C2V4115 NXP USA Inc. BZX84J-C2V4115 0.0300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 11,823
BZV85-C4V7,113 NXP USA Inc. BZV85-C4V7,113 0.0400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.3 w do-41 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 mA 3 µA @ 1 V 4.7 v 13欧姆
BZX884-B51315 NXP USA Inc. BZX884-B51315 -
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BUK7Y98-80E,115 NXP USA Inc. BUK7Y98-80E,115 -
RFQ
ECAD 2693 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BZX79-C9V1,113 NXP USA Inc. BZX79-C9V1,113 0.0200
RFQ
ECAD 180 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BUK9E04-40A,127 NXP USA Inc. BUK9E04-40A,127 -
RFQ
ECAD 7608 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 Ear99 8541.29.0095 84 n通道 40 V 75A(TC) 4.3V,10V 4mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 128 NC @ 5 V ±15V 8260 pf @ 25 V - 300W(TC)
2PB709ARW,115 NXP USA Inc. 2PB709ARW,115 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 ma 10NA(ICBO) PNP 500mv @ 10mA,100mA 210 @ 2mA,10v 70MHz
NZX2V7C,133 NXP USA Inc. NZX2V7C,133 0.0200
RFQ
ECAD 94 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX2 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PZU12B,115 NXP USA Inc. PZU12B,115 -
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PZU12 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BUK9230-100B,118 NXP USA Inc. BUK9230-100B,118 -
RFQ
ECAD 9343 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk92 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
BZX884-B8V2,315 NXP USA Inc. BZX884-B8V2,315 -
RFQ
ECAD 2498 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX884 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BZV55-B51,115 NXP USA Inc. BZV55-B51,115 -
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV55 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500
BZX84-C33/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-C33/DG/B3215 0.0700
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 3,800
PMEG6020ETP,115 NXP USA Inc. PMEG6020ETP,115 0.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SOD-128 PMEG6020 肖特基 SOD-128/CFP5 下载 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 530 mv @ 2 a 8.6 ns 150 µA @ 60 V 175°c (最大) 2a 240pf @ 1V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库