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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前 - 最大 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻@If,F 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PMEG3005EB115 NXP USA Inc. PMEG3005EB115 -
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ECAD 9127 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-79、SOD-523 聚B二醇3005 肖特基 SOD-523 下载 EAR99 8541.10.0070 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 30V 500毫伏@500毫安 30V时为500μA 150℃(最高) 500毫安 30pF@1V、1MHz
PUMB11,135 NXP USA Inc. 泵11,135 1.0000
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ECAD 8128 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PUMB11 300毫W SOT-363 下载 EAR99 8541.21.0095 1 50V 100毫安 1微安 2 PNP - 预偏置(双) 150mV@500μA,10mA 30@5mA,5V - 10k欧姆 10k欧姆
MRF6S27050HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27050HSR5 -
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ECAD 8775 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 2.62GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 500毫安 7W 16分贝 - 28V
NZX2V4B,133 NXP USA Inc. NZX2V4B,133 0.0200
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ECAD 134 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BC640,126 NXP USA Inc. BC640,126 -
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ECAD 7198 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC64 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 80V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 145兆赫
BCX17,235 NXP USA Inc. BCX17,235 0.0300
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ECAD 133 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0095 10,927 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 620mV@50mA、500mA 100@100mA,1V 80兆赫
PSMN004-55W,127 NXP USA Inc. PSMN004-55W,127 -
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ECAD 8607 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 25 N沟道 55V 100A(温度) 4.5V、10V 4.2毫欧@25A,10V 2V@1mA 226nC@5V ±15V 13000pF@25V - 300W(温度)
MRF8S18120HSR3 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3 -
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ECAD 7139 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF8 1.81GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 800毫安 72W 18.2分贝 - 28V
BUK9E04-40A,127 NXP USA Inc. BUK9E04-40A,127 -
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ECAD 7608 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 84 N沟道 40V 75A(温度) 4.3V、10V 4mOhm@25A,10V 2V@1mA 128nC@5V ±15V 8260pF@25V - 300W(温度)
BZX84-C36/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C36/LF1VL -
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ECAD 8119 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C36 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069466235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 23.1V时为50nA 36V 90欧姆
MRF7S21210HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21210HSR3 -
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ECAD 4188 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 63W 18.5分贝 - 28V
BC69-16PASX NXP USA Inc. BC69-16PASX 0.0700
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ECAD 63 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-UDFN 裸露焊盘 420毫W DFN2020D-3 下载 EAR99 8541.29.0075 1 20V 2A 100nA(ICBO) 国民党 600mV@200mA,2A 85@500mA,1V 140兆赫
AFT18S230-12NR3 NXP USA Inc. AFT18S230-12NR3 -
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ECAD 3805 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 OM-780-2L2L AFFT18 1.88GHz LDMOS OM-780-2L2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935312781528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 50W 17.6分贝 - 28V
PDTA143EU,115 NXP USA Inc. PDTA143EU,115 -
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ECAD 8257 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BYC20X-600P127 NXP USA Inc. BYC20X-600P127 0.7600
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ECAD 35 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1
PDTA123EMB,315 NXP USA Inc. PDTA123EMB,315 0.0300
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ECAD 139 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 PDTA123 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@20mA,5V 180兆赫 2.2欧姆 2.2欧姆
PSMN035-150P,127 NXP USA Inc. PSMN035-150P,127 -
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ECAD 8619 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN0 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BC847BQA147 NXP USA Inc. BC847BQA147 1.0000
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ECAD 6120 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 5,000
PMP5501Y,115 NXP USA Inc. PMP5501Y,115 0.1000
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ECAD 22 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PMP5501 300毫W SOT-363 下载 EAR99 8541.21.0095 3,056 45V 100毫安 15nA(ICBO) 2 PNP(双)匹配 400毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 175兆赫
BZT52H-C56,115 NXP USA Inc. BZT52H-C56,115 0.0200
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ECAD 9535 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZT52 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PDZ3.9BGW,115 NXP USA Inc. PDZ3.9BGW,115 -
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ECAD 7235 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
BAP51-05W,115 NXP USA Inc. BAP51-05W,115 -
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ECAD 3607 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) SC-70、SOT-323 BAP51 SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 50毫安 240毫W 0.35pF@5V、1MHz PIN - 1 对长江 50V 2.5欧姆@10mA,100MHz
PMCPB5530X NXP USA Inc. PMCPB5530X 1.0000
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ECAD 5685 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 1
MHT1807T1 NXP USA Inc. MHT1807T1 0.3200
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ECAD 114 0.00000000 恩智浦 * 大部分 不适合新设计 - 不适用 供应商未定义 可根据要求提供REACH信息 2832-MHT1807T1 EAR99 1
NZX2V7C,133 NXP USA Inc. NZX2V7C,133 0.0200
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ECAD 94 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
MRF372R5 NXP USA Inc. MRF372R5 -
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ECAD 3144 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-860C3 MRF37 857MHz~863MHz LDMOS NI-860C3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 17A 800毫安 180W 17分贝 - 32V
NZX8V2B,133 NXP USA Inc. NZX8V2B,133 0.0200
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ECAD 51 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX8 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BLC8G24LS-240AVU NXP USA Inc. BLC8G24LS-240AVU -
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ECAD 4646 0.00000000 恩智浦 - 托盘 的积极 65V 安装结构 SOT-1252-1 BLC8 2.3GHz~2.4GHz LDMOS SOT1252-1 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 934067995112 EAR99 8541.29.0075 20 双重的 - 800毫安 63W 15分贝 - 30V
BAT54CM315 NXP USA Inc. BAT54CM315 1.0000
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ECAD 4472 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 电池组54 下载 EAR99 8541.10.0070 1
BUK958R5-40E,127 NXP USA Inc. BUK958R5-40E,127 -
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ECAD 3037 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 5V、10V 6.6毫欧@20A,10V 2.1V@1mA 20.9nC@5V ±10V 2600pF@25V - 96W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    智能仓库