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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD19538Q3AT	1.8700	RFQ	4221	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		100 v	15A（TA）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），23W（tc）
tps1101dr	1.0319	RFQ	6739	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道		15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD23382F4	0.4700	RFQ	74	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		12 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 6 V	±8V	235 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD88599Q5DCT	5.0100	RFQ	97	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88599Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			60V	-		2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 4.5V		4840pf @ 30V	-
TIL3022	0.2800	RFQ	43	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
CSD18509Q5B	2.4900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18509	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 32A，10V	2.2V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	13900 PF @ 20 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD17551Q5A	1.0000	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17551	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	48A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 11a，10v	2.2V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	1272 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
TPS1100D	1.8100	RFQ	369	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道		15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD18510KTT	2.5000	RFQ	338	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		40 V	274a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 20 V	-	250W（TA）
CSD18531Q5AT	2.0600	RFQ	250	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	100A（TA）	4.5V，10V	4.6mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），156W（tc）
CSD17505Q5A	1.7400	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17505	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1980 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
LM3046MX/NOPB	-	RFQ	6651	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500			-											15V	50mA	5 NPN	40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
UC3838Q	3.1200	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-UC3838Q-296			1
CSD17510Q5A	1.2100	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17510	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（20A），100a tc（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	8.3 NC @ 4.5 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD16408Q5C	1.6100	RFQ	70	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD164	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	22a（22a），113a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1300 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16410Q5A	0.9600	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16410	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	16a（16a），59a（tc）	4.5V，10V	8.5mohm @ 17a，10v	2.3V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	740 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD13303W1015	0.5500	RFQ	56	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD13303	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		12 v	31a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	715 PF @ 6 V	-	1.65W（TA）
CSD17577Q3A	0.6500	RFQ	32	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	35A（TA）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），53W（tc）
CSD16570Q5B	2.2200	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16570	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	100A（TA）	4.5V，10V	0.59MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	14000 pf @ 12 V	-	3.2W（TA），195w（（（（（（（（（（
5962-9053801pa	26.1200	RFQ	210	Texas Instruments	*	大部分	积极的				5962-905				下载					Ear99	8541.10.0080	12
CSD18502Q5BT	2.7900	RFQ	341	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18502	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±20V	5070 pf @ 20 V	-	3.2W（ta），156W（TC）
CSD13381F4	0.4400	RFQ	503	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		12 v	2.1a（ta）	1.8V，4.5V	180MOHM @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD17556Q5B	2.5000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17556	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	34A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 40a，10v	1.65V @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±20V	7020 PF @ 15 V	-	3.1W（191W）（TC）
CSD18542KTT	2.6600	RFQ	153	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	200a（200a）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）
NTK3134NT1H	0.0800	RFQ	191	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	NTK3134	-		SOT-723	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	4,000		-			890ma（ta）	1.5V，4.5V	-	-		±6V		-	-
CSD18536KC	4.7600	RFQ	478	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD18537NQ5AT	1.1000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD86330Q3D	2.1100	RFQ	23	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86330Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			25V	20a		9.6mohm @ 14a，8v	2.1V @ 250µA	6.2nc @ 4.5V		920pf @ 12.5V	逻辑级别门
CSD16414Q5	2.0900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16414	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	34A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	3650 PF @ 12.5 V	-	3.2W（TA）
CSD13306WT	1.0900	RFQ	930	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD13306	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		12 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	10.2MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	11.2 NC @ 4.5 V	±10V	1370 pf @ 6 V	-	1.9W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²