分立半导体产品(471)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电流消耗 (Id) - 最大
ULQ2003IDRG4SV	0.1400	询价	2	Texas Instruments	*	大部分	的积极				ULQ2003				下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
UC3611DW	4.9932	询价	3814	Texas Instruments	-	管子	的积极		表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UC3611	肖特基		16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	40		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												4 独立	50V	3A（室外）	1.2V@1A	20纳秒	40V时为100μA	-0℃～70℃
SN46915W	1.0000	询价	4369	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
SN71633N	0.2200	询价	9	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
CSD17313Q2Q1T	0.8664	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	CSD173	MOSFET（金属O化物）		6-WSON (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250			N沟道	30V	5A（塔）	3V、8V	30mOhm@4A，8V	1.8V@250μA	2.7nC@4.5V	+10V，-8V	15V时为340pF	-	2.4W（Ta）、17W（Tc）
CSD18533Q5AT	1.6200	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18533	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250			N沟道	60V	17A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	5.9毫欧@18A，10V	2.3V@250μA	36nC@10V	±20V	2750pF@30V	-	3.2W（Ta）、116W（Tc）
CSD17382F4	0.4600	询价	8	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD17382	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	30V	2.3A（塔）	1.8V、8V	64mOhm@500mA，8V	1.2V@250μA	2.7nC@4.5V	10V	15V时为347pF	-	500毫W（塔）
CSD25485F5	0.5300	询价	6	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD25485	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	3.2A（塔）	1.8V、8V	35mOhm@900mA，8V	1.3V@250μA	3.5nC@4.5V	-12V	533pF@10V	-	500毫W（塔）
EMB1426QMME/NOPB	3.7200	询价	500	Texas Instruments	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-EMB1426QMME/NOPB-296			1
CSD17578Q5AT	1.3600	询价	1	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17578	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250			N沟道	30V	25A（塔）	4.5V、10V	6.9毫欧@10A、10V	1.9V@250μA	10V时为22.3nC	±20V	15V时为1510pF	-	3.1W（Ta）、42W（Tc）
CSD87352Q5D	1.8500	询价	15	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerLDFN	CSD87352Q5	MOSFET（金属O化物）	8.5W	8-LSON (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	25A		-	1.15V@250μA	12.5nC@4.5V		1800pF@15V	逻辑电平门
CSD75211W1723	-	询价	2799	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12-UFBGA、DSBGA	CSD75211	MOSFET（金属O化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	4.5A		40毫欧@2A，4.5V	1.1V@250μA	5.9nC@4.5V		600pF@10V	逻辑电平门
JFE2140DR	4.4800	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	JFE2140			8-SOIC	下载	不适用	2（1年）			EAR99	8541.29.0095	2,500人			2 个 N 沟道（双）	40V							13pF@5V												40V	1.5V@0.1μA						50毫安
SN75468DE4	-	询价	4930	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	SIC停产	150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	75468		-	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40																					100V	500毫安			-	7 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
CSD87330Q3D	1.5600	询价	33	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerLDFN	CSD87330	MOSFET（金属O化物）	6W	8-LSON (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）			30V	20A		-	2.1V@250μA	5.8nC@4.5V		900pF@15V	逻辑电平门
CSD16412Q5A	0.9500	询价	4	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD16412	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	25V	14A（Ta）、52A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@10A，10V	2.3V@250μA	3.8nC@4.5V	+16V，-12V	530pF@12.5V	-	3W（塔）
CSD17559Q5	2.9500	询价	3	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17559	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	30V	40A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1.15毫欧@40A，10V	1.7V@250μA	51nC@4.5V	±20V	9200pF@15V	-	3.2W（Ta）、96W（Tc）
NSI45025AT1G	-	询价	8813	Texas Instruments	*	大部分	的积极				NSI45025				下载					EAR99	8542.39.0001	1
CSD87381P	0.9400	询价	16	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	5-LGA	CSD87381	MOSFET（金属O化物）	4W	5-PTAB (3x2.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）			30V	15A		16.3毫欧@8A、8V	1.9V@250μA	5nC@4.5V		564pF@15V	逻辑电平门
CSD17579Q3AT	1.2200	询价	5	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	CSD17579	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250			N沟道	30V	20A（塔）	4.5V、10V	10.2毫欧@8A，10V	1.9V@250μA	15nC@10V	±20V	998pF@15V	-	3.2W（Ta）、29W（Tc）
CSD87333Q3DT	1.5500	询价	325	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD87333Q3	MOSFET（金属O化物）	6W	8-VSON (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250	2 N 沟道（双）不定价			30V	15A		14.3毫欧@4A、8V	1.2V@250μA	4.6nC@4.5V		662pF@15V	逻辑电平门，5V驱动
CSD13383F4	0.5000	询价	1	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD13383	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	12V	2.9A（塔）	2.5V、4.5V	44毫欧@500mA，4.5V	1.25V@250μA	2.6nC@4.5V	±10V	291pF@6V	-	500毫W（塔）
CSD87503Q3E	1.6300	询价	627	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	CSD87503	MOSFET（金属O化物）	15.6W	8-VSON (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 N 沟道（双）公共源			30V	10A（塔）		13.5毫欧@6A，10V	2.1V@250μA	17.4nC@4.5V		1020pF@15V	-
SN71713N	0.4100	询价	4	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
CSD87501LT	1.2000年	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-XFLGA	CSD87501	MOSFET（金属O化物）	2.5W	10-Picostar (3.37x1.47)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250	2 N 沟道（双）共漏极			-	-		-	2.3V@250μA	40nC@10V		-	逻辑电平门
SN83939N	-	询价	6586	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
CSD17579Q5AT	1.2900	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17579	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250			N沟道	30V	25A（塔）	4.5V、10V	9.7毫欧@8A，10V	2V@250μA	15.1nC@10V	±20V	1030pF@15V	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
UC3611J	19.3200	询价	520	Texas Instruments	*	大部分	的积极								下载					EAR99	8541.10.0080	16
TUSB8040RKMR	7.8800	询价	2	Texas Instruments	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-TUSB8040RKMR-296			1
CSD17308Q3T	1.0100	询价	第830章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17308	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250			N沟道	30V	14A（Ta）、44A（Tc）	3V、8V	10.3毫欧@10A，8V	1.8V@250μA	5.1nC@4.5V	+10V，-8V	700pF@15V	-	2.7W（Ta）、28W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(471)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²