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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
CSD18510KTTT	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	274a（TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 15 V	-	250W（TA）
ULN2803ADWRG4	-	RFQ	4620	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													50V	500mA				-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75468NE4	-	RFQ	2682	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0095	400
CSD86356Q5D	1.0929	RFQ	4380	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD87384M	1.7800	RFQ	239	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD16406Q3	1.1700	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16406	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（19a（ta），60a（60a）TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	8.1 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1100 PF @ 12.5 V	-	2.7W（TA）
JFE150DBVR	1.2493	RFQ	2546	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	JFE150			SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-JFE150DBVR			3,000		n通道	40 V							24pf @ 5V					40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na						50 mA
CSD19503KC	1.7300	RFQ	1377年	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	9.2MOHM @ 60a，10V	3.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 40 V	-	188W（TC）
ULQ2003IDRG4SV	0.1400	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULQ2003				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
CSD13385F5T	0.9600	RFQ	23	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD13385	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	12 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 900mA，4.5V	1.2V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	8V	674 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD18511KC	1.6900	RFQ	254	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
ULN2803ADW	0.8520	RFQ	4904	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40													50V	500mA				-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD25202W15T	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25202W15	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	26mohm @ 2a，4.5V	1.05V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	-6V	1010 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD19534KC	1.5900	RFQ	545	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	16.5MOHM @ 30a，10v	3.4V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 50 V	-	118W（TC）
SN74S1056D	-	RFQ	7454	Texas Instruments	*	大部分	积极的				SN74S1056				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	52
CSD17579Q5AT	1.2900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
CSD16321Q5C	1.9800	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
TPIC1533DWR	2.3100	RFQ	5	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
CSD19538Q2	0.5600	RFQ	3329	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	14.4a（ta）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），20.2W（tc）
CSD17318Q2T	1.1000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD16407Q5C	-	RFQ	7851	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD164	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（31a）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	1.9V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	+16V，-12V	2660 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD19536KTTT	6.0500	RFQ	468	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	200a（200a）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
CSD25483F4	0.4300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.959 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
tps1101d	2.6800	RFQ	105	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道	15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD19506KTT	5.3300	RFQ	126	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
CSD25302Q2	-	RFQ	4281	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5A（TC）	1.8V，4.5V	49mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±8V	350 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
CSD16340Q3	1.2000	RFQ	25	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16340	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21a），60a （TC）	2.5V，8V	4.5mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD25480F3	0.4600	RFQ	11	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25480	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.7A（TA）	1.8V，8V	132MOHM @ 400mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17308Q3T	1.0100	RFQ	830	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17308	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	（14A）（44A）（44a tc）	3V，8V	10.3mohm @ 10a，8v	1.8V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	700 pf @ 15 V	-	2.7W（28W），28W（TC）
JFE2140DR	4.4800	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	JFE2140			8-SOIC	下载	不适用	2（1年）			Ear99	8541.29.0095	2,500		2 n 通道（双）	40 V							13pf @ 5V					40 V		1.5 V @ 0.1 µA						50 mA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²