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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	（ID） - 最大
CSD87333Q3DT	1.5500	RFQ	325	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87333Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		30V	15a		14.3MOHM @ 4A，8V	1.2V @ 250µA	4.6NC @ 4.5V		662pf @ 15V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD19535KC	3.4500	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	150a（ta）	6V，10V	3.6mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
CSD17322Q5A	0.4616	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17322	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	87A（TC）	4.5V，8V	8.8mohm @ 14a，8v	2V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±10V	695 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD25404Q3	1.1500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25404	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	104a（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	14.1 NC @ 4.5 V	±12V	2120 PF @ 10 V	-	2.8W（ta），96w（tc）
CSD17313Q2Q1T	0.8664	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD173	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD18536KTT	4.8700	RFQ	3392	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD18542KTTT	3.0200	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	200a（200a）（170a tc）（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）
CSD19505KTT	3.4400	RFQ	142	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
CSD18510Q5BT	2.7700	RFQ	204	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	300A（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 32a，10v	2.3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 20 V	-	156W（TC）
CSD17318Q2T	1.1000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD86336Q3DT	1.9200	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86336Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		25V	20A（TA）		9.1MOHM @ 20a，5v，3.4MOHM @ 20a，5v	1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA	3.8NC @ 45V，7.4NC @ 45V		494pf @ 12.5V，970pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
TIL3009	0.3600	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.49.8000	1
TPIC2322LD	1.0800	RFQ	330	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	330
TPIC5423LDW	2.0700	RFQ	5	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TPIC1533DWR	2.3100	RFQ	5	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SN71633N	0.2200	RFQ	9	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
SN71713N	0.4100	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
ULQ2003IDRG4SV	0.1400	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULQ2003				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
SN71632N	0.2400	RFQ	13	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
NSI45025AT1G	-	RFQ	8813	Texas Instruments	*	大部分	积极的				NSI45025				下载					Ear99	8542.39.0001	1
SN75468NE4	-	RFQ	2682	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0095	400
EMB1426QMME/NOPB	3.7200	RFQ	500	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EMB1426QMME/NOPB-296			1
CSD17311Q5	2.0900	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17311	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	32A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.6V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4280 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD17381F4R	-	RFQ	8316	Texas Instruments	FemTofet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD17381F4R	Ear99	8541.21.0095	1		n通道	30 V	3.1a（ta）	1.8V，8V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD16323Q3T	-	RFQ	6991	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16323	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16323Q3T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	25 v	20A（20A），105A（tc）	3V，8V	4.5MOHM @ 24A，8V	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	2.8W（ta），74W（tc）
JFE150DBVR	1.2493	RFQ	2546	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	JFE150			SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-JFE150DBVR			3,000		n通道	40 V							24pf @ 5V			40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na	50 mA
CSD22205LT	1.0800	RFQ	30	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD22205	MOSFET （金属 o化物）		4 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道	8 V	7.4a（ta）	1.5V，4.5V	9.9MOHM @ 1A，4.5V	1.05V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	600MW（TA）
CSD17575Q3T	1.3500	RFQ	20	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17575	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4420 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），108W（tc）
CSD19538Q2T	1.1100	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	13.1A（TC）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），20.2W（tc）
CSD18510KC	2.2300	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	75 NC @ 4.5 V	±20V	11400 PF @ 20 V	-	250W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²