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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
CSD87384MT	2.1400	RFQ	822	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga		CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）					30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD17318Q2	0.5400	RFQ	268	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD13202Q2	0.5800	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		CSD13202	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				12 v	22a（22a）	2.5V，4.5V	9.3MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±8V	997 PF @ 6 V	-	2.7W（TA）
CSD25483F4T	0.9400	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道				20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.96 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
tps1101dr	1.0319	RFQ	6739	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道				15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD18537NQ5AT	1.1000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道				60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
tps1120dr	2.1000	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）					15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD17579Q3A	0.6000	RFQ	42	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	20A（TA）	4.5V，10V	10.2MOHM @ 8A，10V	1.9V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），29W（tc）
CSD18514Q5A	0.9600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD18514	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				40 V	89A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 20 V	-	74W（TC）
LMG3526R030RQSR	27.6800	RFQ	9577	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装，可润湿的侧面	52-VQFN暴露垫	MOSFET					-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	半桥逆变器		55 a	650 v	-
CSD17556Q5BT	3.0000	RFQ	442	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17556	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道				30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.4mohm @ 40a，10v	1.65V @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±20V	7020 PF @ 15 V	-	3.1W（191W）（TC）
CSD87312Q3E	1.6400	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD87312Q3	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源					30V	27a		33mohm @ 7a，8v	1.3V @ 250µA	8.2nc @ 4.5V		1250pf @ 15V	逻辑级别门
CSD19534Q5AT	1.2600	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道				100 v	44A（TC）	6V，10V	15.1MOHM @ 10A，10V	3.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
CSD18511KTT	1.6400	RFQ	490	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD25485F5T	0.9800	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25485	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道				20 v	5.3a（ta）	1.8V，8V	35mohm @ 900mA，8v	1.3V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	-12V	533 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
CSD18536KTTT	5.8200	RFQ	7727	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA		CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	200a（200a）（349A）（TC）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD87588N	1.3900	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-xflga		CSD87588	MOSFET （金属 o化物）	6W	5-PTAB（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）					30V	25a		9.6mohm @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	4.1nc @ 4.5V		736pf @ 15V	逻辑级别门
CSD15380F3	0.4500	RFQ	64	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD15380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				20 v	500mA（ta）	2.8V，8V	1190MOHM @ 100mA，8v	1.35V @ 2.5µA	0.281 NC @ 10 V	10V	10.5 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD85301Q2	0.6700	RFQ	19	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		CSD85301	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					20V	5a		27mohm @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		469pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD13202Q2T	-	RFQ	7046	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		CSD13202	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD13202Q2T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				12 v	14.4a（ta）	2.5V，4.5V	9.3MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±8V	997 PF @ 6 V	-	2.7W（TA）
CSD25481F4	0.4500	RFQ	80	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.913 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD19536KC	4.9800	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	150a（ta）	6V，10V	2.7MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
TPIC5223LD	1.0400	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
CSD17551Q3A	0.7600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD17551	MOSFET （金属 o化物）		8-son（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	12A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 11a，10v	2.1V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
SN700887N	0.6000	RFQ	7	Texas Instruments	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
TPIC5302D	1.2000	RFQ	969	Texas Instruments	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
CSD16327Q3T	1.3500	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD16327	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道				25 v	60a（TC）	3V，8V	4mohm @ 24a，8v	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	74W（TC）
CSD25481F4T	0.8900	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道				20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17506Q5A	1.6900	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17506	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	1650 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD19538Q3AT	1.8700	RFQ	4221	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道				100 v	15A（TA）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），23W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²