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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD13201W10	0.5000	RFQ	49	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD13201	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		12 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	34mohm @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.9 NC @ 4.5 V	±8V	462 PF @ 6 V	-	1.2W（TA）
TPIC5223LD	1.0400	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
CSD87588NT	1.6600	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87588	MOSFET （金属 o化物）	6W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			30V	25a		9.6mohm @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	4.1nc @ 4.5V		736pf @ 15V	逻辑级别门
CSD83325LT	1.2300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA	CSD83325	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水			12V	-		-	1.25V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		-	-
CSD25483F4T	0.9400	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.96 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD85301Q2	0.6700	RFQ	19	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD85301	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	5a		27mohm @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		469pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
tps1120dr	2.1000	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD18536KTTT	5.8200	RFQ	7727	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	200a（200a）（349A）（TC）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD17501Q5A	2.0500	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17501	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.9mohm @ 25a，10v	1.8V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	2630 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD17310Q5A	0.9500	RFQ	30	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17310	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	21a（21A），100A （TC）	3V，8V	5.1MOHM @ 20A，8V	1.8V @ 250µA	11.6 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1560 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD17556Q5BT	3.0000	RFQ	442	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17556	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.4mohm @ 40a，10v	1.65V @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±20V	7020 PF @ 15 V	-	3.1W（191W）（TC）
LM3046M/NOPB	-	RFQ	6076	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
LM3046MX/NOPB	-	RFQ	6651	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD25481F4T	0.8900	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
EFC4C002NLTDG	1.0000	RFQ	5976	Texas Instruments	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	EFC4C002	MOSFET （金属 o化物）	2.6W	8-wlcsp （6x2.5）	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	2.2V @ 1mA	45nc @ 4.5V		6200pf @ 15V	逻辑级别门
CSD16411Q3T	-	RFQ	1656年	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16411	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16411Q3T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	570 pf @ 12.5 V	-	35W（TC）
CSD13381F4	0.4400	RFQ	503	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		12 v	2.1a（ta）	1.8V，4.5V	180MOHM @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
TPS1100D	1.8100	RFQ	369	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道		15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
LM395T	5.2500	RFQ	42	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45														36 V	2.2 a	-	NPN	-	-	-
CSD25213W10	0.4700	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD25213	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.9 NC @ 4.5 V	-6V	478 pf @ 10 V	-	1W（ta）
CSD18504Q5A	1.1400	RFQ	136	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 17a，10v	2.4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1656 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
CSD19533Q5AT	1.6900	RFQ	1254	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19533	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		100 v	100A（TA）	6V，10V	9.4mohm @ 13A，10V	3.4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 50 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD18534Q5AT	1.2900	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	50a（ta）	4.5V，10V	9.8mohm @ 14a，10v	2.3V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1770 pf @ 30 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
CSD17579Q3A	0.6000	RFQ	42	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	10.2MOHM @ 8A，10V	1.9V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），29W（tc）
CSD19536KTT	5.0600	RFQ	923	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	200a（200a）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
SN700887N	0.6000	RFQ	7	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
TIL3022	0.2800	RFQ	43	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
CSD18512Q5BT	2.1700	RFQ	2134	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
SN200352N	-	RFQ	4762	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
5962-9053801pa	26.1200	RFQ	210	Texas Instruments	*	大部分	积极的				5962-905				下载					Ear99	8541.10.0080	12

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²