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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	（ID） - 最大
CSD25402Q3A	0.9200	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				20 v	76A（TC）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
CSD25304W1015T	1.1100	RFQ	982	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA		CSD25304W1015	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道				20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	32.5MOHM @ 1.5A，4.5V	1.15V @ 250µA	4.4 NC @ 4.5 V	±8V	595 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
CSD13302WT	0.9700	RFQ	965	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA		CSD13302	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道				12 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	17.1MOHM @ 1A，4.5V	1.3V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±10V	862 PF @ 6 V	-	1.8W（TA）
CSD17318Q2	0.5400	RFQ	268	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD13306WT	1.0900	RFQ	930	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA		CSD13306	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道				12 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	10.2MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	11.2 NC @ 4.5 V	±10V	1370 pf @ 6 V	-	1.9W（TA）
CSD18501Q5A	1.8100	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD18501	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				40 V	22a（22A），100A（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），150W（tc）
CSD18541F5	0.4500	RFQ	8	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		CSD18541	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 1A，10V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	777 PF @ 30 V	-	500MW（TA）
CSD18533Q5A	1.5100	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD18533	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				60 V	17a（17A），100A（tc）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 18A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2750 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD17551Q5A	1.0000	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17551	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	48A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 11a，10v	2.2V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	1272 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
JFE150DCKR	2.8300	RFQ	7	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353		JFE150			SC-70-5	下载	不适用	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				40 V							24pf @ 5V			40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 0.1 µA	50 mA
CSD23280F3T	0.9400	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD23280	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道				12 v	1.8A（ta）	1.5V，4.5V	116mohm @ 400mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.23 NC @ 4.5 V	-6V	234 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD18511KTTT	2.0100	RFQ	657	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				40 V	110a（ta），194a （TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
TPIC5302D	1.2000	RFQ	969	Texas Instruments	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1
CSD25484F4T	0.9100	RFQ	16	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道				20 v	2.5a（ta）	1.8V，8V	94mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	1.42 NC @ 4.5 V	-12V	230 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SN74ACT202LA15NP	-	RFQ	1750	Texas Instruments	*	大部分	积极的					74ACT202				-					0000.00.0000	1
CSD18543Q3AT	1.0200	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD18543	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道				60 V	（12a）（60a），60a tc）	4.5V，10V	15.6mohm @ 12a，4.5V	2.7V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 30 V	标准	66W（TC）
CSD25481F4	0.4500	RFQ	80	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.913 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPIC1501ADWR	2.5100	RFQ	18	Texas Instruments	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,000
CSD25304W1015	0.5000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA		CSD25304	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	32.5MOHM @ 1.5A，4.5V	1.15V @ 250µA	4.4 NC @ 4.5 V	±8V	595 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
CSD17309Q3	1.1900	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17309	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	20A（20A），60a tc（TC）	3V，8V	5.4mohm @ 18a，8v	1.7V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1440 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
CSD13303W1015	0.5500	RFQ	56	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA		CSD13303	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				12 v	31a（ta）	2.5V，4.5V	20mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	715 PF @ 6 V	-	1.65W（TA）
CPH3448-TL-W	-	RFQ	4744	Texas Instruments	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96			MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	下载					0000.00.0000	1		n通道				30 V	4A（ta）	1.8V，4.5V	50MOHM @ 2A，4.5V	-	4.7 NC @ 4.5 V	±12V	430 pf @ 10 V	-	1W（ta）
CSD17577Q3A	0.6500	RFQ	32	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	35A（TA）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），53W（tc）
CSD16408Q5C	1.6100	RFQ	70	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD164	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				25 v	22a（22a），113a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1300 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16322Q5C	1.4500	RFQ	149	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-son	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
JFE150DCKT	3.0500	RFQ	332	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353		JFE150			SC-70-5	下载	不适用	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	250		n通道				40 V							24pf @ 5V			40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 0.1 µA	50 mA
LMG3526R030RQSR	27.6800	RFQ	9577	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装，可润湿的侧面	52-VQFN暴露垫	MOSFET					-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.39.0001	2,000	半桥逆变器		55 a	650 v	-
CSD18536KC	4.7600	RFQ	478	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD75301W1015	-	RFQ	8370	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA		CSD75301	MOSFET （金属 o化物）	800MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）					20V	1.2a		100mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.1nc @ 4.5V		195pf @ 10V	逻辑级别门
CSD18535KTT	3.2800	RFQ	482	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA		CSD18535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道				60 V	200a（200a）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²