分立半导体产品(471)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
CSD83325LT	1.2300	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XFBGA	CSD83325	MOSFET（金属O化物）	2.3W	6-笔星	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250	2 N 沟道（双）共漏极		12V	-		-	1.25V@250μA	10.9nC@4.5V		-	-
CSD13201W10	0.5000	询价	49	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-UFBGA、DSBGA	CSD13201	MOSFET（金属O化物）		4-DSBGA (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	1.6A（塔）	1.8V、4.5V	34毫欧@1A，4.5V	1.1V@250μA	2.9nC@4.5V	±8V	462pF@6V	-	1.2W（塔）
CSD17310Q5A	0.9500	询价	30	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17310	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	21A（Ta）、100A（Tc）	3V、8V	5.1毫欧@20A，8V	1.8V@250μA	11.6nC@4.5V	+10V，-8V	1560pF@15V	-	3.1W（塔）
SN700887N	0.6000	询价	7	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
CSD16570Q5B	2.2200	询价	4	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD16570	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	100A（塔）	4.5V、10V	0.59毫欧@50A，10V	1.9V@250μA	250nC@10V	±20V	14000pF@12V	-	3.2W（Ta）、195W（Tc）
CSD18509Q5B	2.4900	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18509	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	100A（塔）	4.5V、10V	1.2毫欧@32A，10V	2.2V@250μA	195nC@10V	±20V	13900pF@20V	-	3.1W（Ta）、195W（Tc）
LM395T	5.2500	询价	42	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	0℃～125℃（TA）	通孔	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	45													36V	2.2A	-	NPN	-	-	-
CSD16340Q3T	1.4300	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD16340	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	25V	60A（温度）	2.5V、8V	4.5毫欧@20A，8V	1.1V@250μA	9.2nC@4.5V	+10V，-8V	1350pF@12.5V	-	3W（塔）
CSD18502Q5BT	2.7900	询价	第341章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18502	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	40V	100A（塔）	4.5V、10V	2.3毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	33nC@4.5V	±20V	5070pF@20V	-	3.2W（Ta）、156W（Tc）
CSD18502Q5B	2.6200	询价	7	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18502	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	26A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	2.3毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	68nC@10V	±20V	5070pF@20V	-	3.2W（Ta）、156W（Tc）
CSD19534Q5AT	1.2600	询价	8	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD19534	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	100V	44A（温度）	6V、10V	15.1毫欧@10A、10V	3.4V@250μA	22nC@10V	±20V	1680pF@50V	-	3.2W（Ta）、63W（Tc）
CSD25485F5T	0.9800	询价	2	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD25485	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		P沟道	20V	5.3A（塔）	1.8V、8V	35mOhm@900mA，8V	1.3V@250μA	3.5nC@4.5V	-12V	533pF@10V	-	1.4W（塔）
CSD18510KTT	2.5000	询价	第338章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	CSD18510	MOSFET（金属O化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	40V	274A（TC）	4.5V、10V	1.7毫欧@100A，10V	2.3V@250μA	153nC@10V	±20V	11400pF@20V	-	250W（塔）
ULN2803ADW-P	-	询价	3595	Texas Instruments	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803		-	18-SOIC	-	符合ROHS3标准			296-ULN2803ADW-P	EAR99	8541.29.0095	1													50V	500毫安	50微安	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
CSD85301Q2	0.6700	询价	19	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	CSD85301	MOSFET（金属O化物）	2.3W	6-WSON (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	5A		27毫欧@5A，4.5V	1.2V@250μA	5.4nC@4.5V		469pF@10V	逻辑电平门，5V驱动
CSD75301W1015	-	询价	8370	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA、DSBGA	CSD75301	MOSFET（金属O化物）	800毫W	6-DSBGA (1x1.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	1.2A		100mOhm@1A，4.5V	1V@250μA	2.1nC@4.5V		195pF@10V	逻辑电平门
CSD13303W1015	0.5500	询价	56	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA、DSBGA	CSD13303	MOSFET（金属O化物）		6-DSBGA (1x1.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	31A（塔）	2.5V、4.5V	20毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@250μA	4.7nC@4.5V	±8V	715pF@6V	-	1.65W（塔）
CSD17302Q5A	1.0200	询价	7250	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17302	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	16A（Ta）、87A（Tc）	3V、8V	7.9毫欧@14A，8V	1.7V@250μA	7nC@4.5V	+10V，-8V	950pF@15V	-	3W（塔）
CSD18514Q5A	0.9600	询价	3	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18514	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	89A（TC）	4.5V、10V	7.9毫欧@15A，10V	2.4V@250μA	38nC@10V	±20V	2680pF@20V	-	74W（温度）
CSD16327Q3T	1.3500	询价	5	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD16327	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	25V	60A（温度）	3V、8V	4mOhm@24A，8V	1.4V@250μA	8.4nC@4.5V	+10V，-8V	1300pF@12.5V	-	74W（温度）
CSD17553Q5A	1.5300	询价	9	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17553	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	23.5A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	3.1毫欧@20A，10V	1.9V@250μA	21.5nC@4.5V	±20V	15V时为3252pF	-	3.1W（塔）
CSD18512Q5B	1.9000	询价	2	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18512	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	211A（TC）	4.5V、10V	1.6毫欧@30A，10V	2.2V@250μA		±20V	7120pF@20V	-	139W（温度）
CSD18531Q5AT	2.0600	询价	250	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD18531	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	60V	100A（塔）	4.5V、10V	4.6毫欧@22A，10V	2.3V@250μA	43nC@10V	±20V	3840pF@30V	-	3.1W（Ta）、156W（Tc）
CSD18536KTTT	5.8200	询价	7727	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-4、D²Pak（3引脚+接片）、TO-263AA	CSD18536	MOSFET（金属O化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	200A（塔）、349A（TC）	4.5V、10V	1.6毫欧@100A，10V	2.2V@250μA	140nC@10V	±20V	11430pF@30V	-	375W（温度）
CSD17382F4T	0.8800	询价	14	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD17382	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	250		N沟道	30V	2.3A（塔）	1.8V、8V	64mOhm@500mA，8V	1.2V@250μA	2.7nC@4.5V	10V	15V时为347pF	-	500毫W（塔）
CSD87384MT	2.1400	询价	第822章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	5-LGA	CSD87384	MOSFET（金属O化物）	8W	5-PTAB (5x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250	2个N沟道（半桥）		30V	30A		7.7毫欧@25A，8V	1.9V@250μA	9.2nC@4.5V		1150pF@15V	逻辑电平门
CSD88539ND	0.9100	询价	7	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CSD88539	MOSFET（金属O化物）	2.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		60V	15A		28毫欧@5A，10V	3.6V@250μA	9.4nC@10V		741pF@30V	-
CSD17556Q5BT	3.0000	询价	第442章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17556	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	30V	100A（塔）	4.5V、10V	1.4毫欧@40A，10V	1.65V@250μA	39nC@4.5V	±20V	7020pF@15V	-	3.1W（Ta）、191W（Tc）
CSD19536KCS	4.9800	询价	3	Texas Instruments	NexFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	CSD19536	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	150A（塔）	6V、10V	2.7毫欧@100A，10V	3.2V@250μA	153nC@10V	±20V	12000pF@50V	-	375W（温度）
CSD86330Q3D	2.1100	询价	23	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerLDFN	CSD86330Q3	MOSFET（金属O化物）	6W	8-LSON (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）		25V	20A		9.6毫欧@14A，8V	2.1V@250μA	6.2nC@4.5V		920pF@12.5V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(471)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²