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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD19506KC	4.9300	RFQ	323	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
CSD25401Q3	-	RFQ	4271	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD2540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		20 v	14a（TA），60A （TC）	2.5V，4.5V	11.7MOHM @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±12V	1400 pf @ 10 V	-	2.8W（ta）
TPIC5424LDW	1.8700	RFQ	600	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
LM3046MX	-	RFQ	3523	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500				-																		15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
TIL3021	0.3000	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
CSD25202W15T	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25202W15	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			P通道		20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	26mohm @ 2a，4.5V	1.05V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	-6V	1010 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD23201W10	-	RFQ	1128	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD232	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		12 v	2.2A（TC）	1.5V，4.5V	82MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	2.4 NC @ 4.5 V	-6V	325 pf @ 6 V	-	1W（ta）
CSD17313Q2	0.6600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	5A（TC）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
CSD18563Q5AT	1.6000	RFQ	23	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18563	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道		60 V	100A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 18a，10v	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD86356Q5D	1.0929	RFQ	4380	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）				25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V
CSD16407Q5C	-	RFQ	7851	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD164	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		25 v	（31a）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	1.9V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	+16V，-12V	2660 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD25485F5	0.5300	RFQ	6	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25485	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	3.2A（ta）	1.8V，8V	35mohm @ 900mA，8v	1.3V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	-12V	533 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17507Q5A	0.9100	RFQ	6	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17507	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2.1V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD75205W1015	-	RFQ	8868	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装		CSD75205	MOSFET （金属 o化物）	750MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				20V	1.2a		120MOHM @ 1A，4.5V	850mv @ 250µA	2.2nc @ 4.5V		265pf @ 10V	逻辑级别门
TPS1100PW	1.7900	RFQ	523	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	150			P通道		15 v	1.27A（TA）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	504MW（TA）
tps1101d	2.6800	RFQ	105	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75			P通道		15 v		2.7V，10V		1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V			-	791MW（TA）
TPS1101PWR	0.9823	RFQ	9062	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		16-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道		15 v	2.18a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	710MW（TA）
ULN2803ADWRG4	-	RFQ	4620	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																						50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD25480F3T	0.9500	RFQ	43	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25480	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			P通道		20 v	1.7A（TA）	1.8V，8V	132MOHM @ 400mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 10 V	-12V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17579Q5AT	1.2900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道		30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
CSD18511KC	1.6900	RFQ	254	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD17312Q5	2.3000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17312	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	38A（TA），100A （TC）	3V，8V	1.5MOHM @ 35A，8V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	5240 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
ULN2803ADWG4	-	RFQ	7375	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40																						50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
ULN2001AD	0.5700	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULN2001				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	523
SN75468NS	-	RFQ	7870	Texas Instruments	SN7546X	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	SN75468		-	16件事	-	rohs3符合条件			296-SN75468NS			1																						100V	500mA	-	-	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN74S1056D	-	RFQ	7454	Texas Instruments	*	大部分	积极的				SN74S1056				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	52
UC3611DW	4.9932	RFQ	3814	Texas Instruments	-	管子	积极的		表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3611	肖特基		16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	40		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													4独立	50 V	3A（DC）	1.2 V @ 1 A	20 ns	100 µA @ 40 V	-0°C〜70°C
CSD87501L	1.0000	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-xflga	CSD87501	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	10 picostar（3.37x1.47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水				-	-		-	2.3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD87350Q5D	2.7500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87350Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				30V	40a		5.9mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		1770pf @ 15V	逻辑级别门
CSD19538Q2T	1.1100	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道		100 v	13.1A（TC）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），20.2W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²