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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
CSD17301Q5A	1.6400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17301	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	28a（28a），100a（tc）	3V，8V	2.6mohm @ 25a，8v	1.55V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	3480 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
TIL3021	0.3000	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
TIL3012	0.3000	RFQ	26	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
CSD13383F4T	0.9100	RFQ	5	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13383F4	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD17570Q5B	2.3600	RFQ	11	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17570Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	0.69MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	121 NC @ 4.5 V	±20V	13600 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD17318Q2T	1.1000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
TPIC2202KC	1.3400	RFQ	5	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
CSD16340Q3	1.2000	RFQ	25	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16340	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21a），60a （TC）	2.5V，8V	4.5mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
TPIC1533DWR	2.3100	RFQ	5	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
CSD16401Q5	2.6400	RFQ	6	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16401	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	38A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 40a，10v	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	4100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD87352Q5D	1.8500	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87352Q5	MOSFET （金属 o化物）	8.5W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	25a		-	1.15V @ 250µA	12.5nc @ 4.5V		1800pf @ 15V	逻辑级别门
CSD23382F4T	0.8800	RFQ	4	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道	12 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	±8V	235 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD87381PT	1.1100	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87381	MOSFET （金属 o化物）	4W	5-PTAB（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		30V	15a		16.3mohm @ 8a，8v	1.9V @ 250µA	5NC @ 4.5V		564pf @ 15V	逻辑级别门
CSD16412Q5A	0.9500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16412	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（14A）（52A（ta）（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	530 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD86350Q5DT	3.1100	RFQ	250	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86350	MOSFET （金属 o化物）	13W（TA）	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	296-CSD86350Q5DTTR	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		5mohm @ 25A，5V，1.1MOHM @ 25A，5V	2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA	10.7nc @ 4.5V，25nc @ 4.5V		1870pf @ 12.5v，4000pf @ 12.5V	-
CSD17585F5	0.4900	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD87350Q5D	2.7500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87350Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	40a		5.9mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		1770pf @ 15V	逻辑级别门
CSD18511KC	1.6900	RFQ	254	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
TPIC1502DW	-	RFQ	1602	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TPIC15	MOSFET （金属 o化物）	2.86W	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	-		20V	1.5a		300MOHM @ 1.5A，10V	2.2V @ 1mA	2.1nc @ 10V		98pf @ 14V	逻辑级别门
CSD25401Q3	-	RFQ	4271	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD2540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	14a（TA），60A （TC）	2.5V，4.5V	11.7MOHM @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±12V	1400 pf @ 10 V	-	2.8W（ta）
CSD16408Q5	0.6424	RFQ	9150	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16408	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	22a（22a），113a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1300 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD25485F5	0.5300	RFQ	6	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25485	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（ta）	1.8V，8V	35mohm @ 900mA，8v	1.3V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	-12V	533 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPS1101PWR	0.9823	RFQ	9062	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		16-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	15 v	2.18a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	710MW（TA）
EMB1426QMME/NOPB	3.7200	RFQ	500	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EMB1426QMME/NOPB-296			1
CSD87333Q3DT	1.5500	RFQ	325	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87333Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		30V	15a		14.3MOHM @ 4A，8V	1.2V @ 250µA	4.6NC @ 4.5V		662pf @ 15V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD16321Q5C	1.9800	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD22204W	0.6500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22204	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	9.9MOHM @ 2A，4.5V	950mv @ 250µA	24.6 NC @ 4.5 V	-6V	1130 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
CSD25301W1015	-	RFQ	7649	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（TC）	1.5V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD87351Q5D	2.2200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87351	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	32a		7.6mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		1255pf @ 15V	逻辑级别门
CSD25302Q2	-	RFQ	4281	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5A（TC）	1.8V，4.5V	49mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±8V	350 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²