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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD17577Q5A	0.8200	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	60a（ta）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 18A，10V	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	（3W）（53W（ta）（TC）
CSD17585F5	0.4900	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD18540Q5B	2.6700	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD18540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				60 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 30 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD18536KTT	4.8700	RFQ	3392	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA		CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD17484F4	0.4800	RFQ	57	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD17484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				30 V	3A（3A）	1.8V，8V	121MOHM @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
UC3611N	6.9300	RFQ	294	Texas Instruments	-	管子	积极的		通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）		UC3611	肖特基		8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															4独立	50 V	3A（DC）	1.2 V @ 1 A	20 ns	100 µA @ 40 V	-0°C〜70°C
CSD87501LT	1.2000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-xflga		CSD87501	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	10 picostar（3.37x1.47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水						-	-		-	2.3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD88584Q5DCT	4.5200	RFQ	6077	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN		CSD88584Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）						40V	-		0.95MOHM @ 30a，10V	2.3V @ 250µA	88nc @ 4.5V		12400pf @ 20V	-
LM395T/Elli326	-	RFQ	1615年	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3		LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-LM395T/ELLI326			1																								36 V	-	-	-	-	-
CSD17313Q2Q1	0.7600	RFQ	6	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100，NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				30 V	5A（TC）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
CSD16322Q5	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD16322	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD18510KTTT	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA		CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				40 V	274a（TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 15 V	-	250W（TA）
TIL3012	0.3000	RFQ	26	Texas Instruments	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
CSD87351Q5D	2.2200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn		CSD87351	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	32a		7.6mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		1255pf @ 15V	逻辑级别门
CSD16340Q3	1.2000	RFQ	25	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD16340	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				25 v	21a（21a），60a （TC）	2.5V，8V	4.5mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD86350Q5DT	3.1100	RFQ	250	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn		CSD86350	MOSFET （金属 o化物）	13W（TA）	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	296-CSD86350Q5DTTR	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）						25V	40a（ta）		5mohm @ 25A，5V，1.1MOHM @ 25A，5V	2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA	10.7nc @ 4.5V，25nc @ 4.5V		1870pf @ 12.5v，4000pf @ 12.5V	-
CSD87503Q3E	1.6300	RFQ	627	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		CSD87503	MOSFET （金属 o化物）	15.6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源						30V	10a（10a）		13.5MOHM @ 6A，10V	2.1V @ 250µA	17.4NC @ 4.5V		1020pf @ 15V	-
CSD87353Q5D	2.8800	RFQ	20	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn		CSD87353Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）						30V	40a		-	2.1V @ 250µA	19nc @ 4.5V		3190pf @ 15V	逻辑级别门
CSD23381F4	0.4500	RFQ	257	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD23381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道				12 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	175mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.14 NC @ 4.5 V	-8V	236 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD25302Q2	-	RFQ	4281	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				20 v	5A（TC）	1.8V，4.5V	49mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±8V	350 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
CSD16321Q5C	1.9800	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD19531Q5AT	2.1400	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道				100 v	100A（TA）	6V，10V	6.4mohm @ 16a，10v	3.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
CSD25201W15	-	RFQ	6632	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA		CSD25201	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2a，4.5V	1.1V @ 250µA	5.6 NC @ 4.5 V	-6V	510 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD17578Q5AT	1.3600	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道				30 V	25A（TA）	4.5V，10V	6.9Mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.3 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），42W（tc）
CSD17327Q5A	0.4292	RFQ	5973	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		CSD17327	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	65A（TC）	4.5V，8V	12.2mohm @ 11a，8v	2V @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±10V	506 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD25483F4	0.4300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道				20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.959 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD13383F4	0.5000	RFQ	1	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN		CSD13383	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD19506KTTT	6.1100	RFQ	5586	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA		CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				80 V	200a（200a）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
LMG3526R030RQST	31.6900	RFQ	8357	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装，可润湿的侧面	52-VQFN暴露垫	MOSFET					-	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	250	半桥逆变器			55 a	650 v	-
CSD19506KC	4.9300	RFQ	323	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				80 V	100A（TA）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²