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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
TIL3012	0.3000	RFQ	26	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	1
CSD19532KTTT	2.8600	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	200a（200a）	6V，10V	5.6MOHM @ 90A，10V	3.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5060 pf @ 50 V	-	250W（TC）
CSD17313Q2Q1T	0.8664	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD173	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD87351Q5D	2.2200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87351	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	32a		7.6mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		1255pf @ 15V	逻辑级别门
ULN2803CDWR	1.2600	RFQ	4282	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	ULN2803		-	20-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,000																	50V	500mA			50µA	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD23201W10	-	RFQ	1128	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD232	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	2.2A（TC）	1.5V，4.5V	82MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	2.4 NC @ 4.5 V	-6V	325 pf @ 6 V	-	1W（ta）
CSD17575Q3T	1.3500	RFQ	20	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17575	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4420 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），108W（tc）
CSD13383F4T	0.9100	RFQ	5	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13383F4	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD16322Q5	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16322	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
LM395T/Elli326	-	RFQ	1615年	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-LM395T/ELLI326			1																	36 V				-	-	-	-	-
SN71713N	0.4100	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
SN71632N	0.2400	RFQ	13	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
TPIC5424LDW	1.8700	RFQ	600	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
CSD18514Q5AT	1.0100	RFQ	890	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18514	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	89A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2683 PF @ 20 V	-	74W（TC）
CSD17381F4R	-	RFQ	8316	Texas Instruments	FemTofet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD17381F4R	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V	3.1a（ta）	1.8V，8V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
SN83969N	-	RFQ	3941	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
CSD17507Q5A	0.9100	RFQ	6	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17507	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2.1V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD19505KTT	3.4400	RFQ	142	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
TIL3009	0.3600	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.49.8000	1
CSD15571Q2	0.4400	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD15571	MOSFET （金属 o化物）		6（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	22a（22a）	4.5V，10V	15mohm @ 5A，10V	1.9V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	419 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
UC1610J	7.3500	RFQ	76	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1
ULN2803ANG4	-	RFQ	5230	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	ULN2803		-	18-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20																	50V	500mA			-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
LM3046MX	-	RFQ	3523	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500			-														15V	50mA				5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD19538Q2T	1.1100	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		100 v	13.1A（TC）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），20.2W（tc）
SN71633N	0.2200	RFQ	9	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
bav23clt1g	-	RFQ	4391	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载						0000.00.0000	1
CSD17559Q5	2.9500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17559	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	40a（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.7V @ 250µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	9200 PF @ 15 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD19506KTTT	6.1100	RFQ	5586	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	200a（200a）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
CSD13383F4	0.5000	RFQ	1	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13383	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
UC3610DW	7.3800	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3610	肖特基		16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	40														1.3 V @ 1 A	100 µA @ 40 V	3 a			单相	50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²