分立半导体产品(471)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
SN74S1056D	-	询价	7454	Texas Instruments	*	大部分	的积极				SN74S1056				下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8542.39.0001	52
CSD17301Q5A	1.6400	询价	13	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17301	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	28A（Ta）、100A（Tc）	3V、8V	2.6毫欧@25A，8V	1.55V@250μA	25nC@4.5V	+10V，-8V	15V时为3480pF	-	3.2W（塔）
TIL3021	0.3000	询价	2	Texas Instruments	*	大部分	的积极								下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.49.8000	1
SN71632N	0.2400	询价	13	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
ULN2803ANG4	-	询价	5230	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ULN2803		-	18-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	20													50V	500毫安	-	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
CSD17327Q5A	0.4292	询价	5973	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17327	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	65A（温度）	4.5V、8V	12.2毫欧@11A，8V	2V@250μA	3.4nC@4.5V	±10V	506pF@15V	-	3W（塔）
CSD19531Q5AT	2.1400	询价	7	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD19531	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	100V	100A（塔）	6V、10V	6.4毫欧@16A，10V	3.3V@250μA	48nC@10V	±20V	50V时为3870pF	-	3.3W（Ta）、125W（Tc）
ULN2803CDWR	1.2600	询价	4282	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803		-	20-SOIC	下载	不适用	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	2,000													50V	500毫安	50微安	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
CSD19534KCS	1.5900	询价	第545章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	CSD19534	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	100A（塔）	6V、10V	16.5毫欧@30A，10V	3.4V@250μA	10V时为22.2nC	±20V	1670pF@50V	-	118W（温度）
CSD17570Q5BT	2.8100	询价	1	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD17570Q5	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	250		N沟道	30V	100A（塔）	4.5V、10V	0.69毫欧@50A，10V	1.9V@250μA	121nC@4.5V	±20V	13600pF@15V	-	3.2W（塔）
TPS1101D	2.6800	询价	105	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS1101	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	75		P沟道	15V	2.3A（塔）	2.7V、10V	90毫欧@2.5A，10V	1.5V@250μA	11.25nC@10V	+2V，-15V		-	791毫W（塔）
CSD23201W10	-	询价	1128	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-UFBGA、DSBGA	CSD232	MOSFET（金属O化物）		4-DSBGA (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	2.2A（温度）	1.5V、4.5V	82毫欧@500mA，4.5V	1V@250μA	2.4nC@4.5V	-6V	325pF@6V	-	1W（塔）
CSD25302Q2	-	询价	4281	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	CSD2530	MOSFET（金属O化物）		6-SON	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	5A（温度）	1.8V、4.5V	49毫欧@3A，4.5V	900mV@250μA	3.4nC@4.5V	±8V	350pF@10V	-	2.4W（塔）
CSD25483F4	0.4300	询价	8	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	1.6A（塔）	1.8V、4.5V	205mOhm@500mA，8V	1.2V@250μA	0.959nC@4.5V	-12V	198pF@10V	-	500毫W（塔）
CSD13385F5T	0.9600	询价	23	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，无铅	CSD13385	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	250		N沟道	12V	4.3A（塔）	1.8V、4.5V	19毫欧@900mA，4.5V	1.2V@250μA	5nC@4.5V	8V	6V时为674pF	-	500毫W（塔）
CSD19536KTTT	6.0500	询价	第468章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-4、D²Pak（3引脚+接片）、TO-263AA	CSD19536	MOSFET（金属O化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	200A（塔）	6V、10V	2.4毫欧@100A，10V	3.2V@250μA	153nC@10V	±20V	12000pF@50V	-	375W（温度）
CSD19506KTTT	6.1100	询价	5586	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-4、D²Pak（3引脚+接片）、TO-263AA	CSD19506	MOSFET（金属O化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	80V	200A（塔）	6V、10V	2.3毫欧@100A，10V	3.2V@250μA	156nC@10V	±20V	12200pF@40V	-	375W（温度）
CSD25401Q3	-	询价	4271	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD2540	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	20V	14A（Ta）、60A（Tc）	2.5V、4.5V	11.7毫欧@10A，4.5V	1.2V@250μA	12.3nC@4.5V	±12V	1400pF@10V	-	2.8W（塔）
ULN2803ADWG4	-	询价	7375	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803		-	18-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	40													50V	500毫安	-	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
CSD25404Q3T	1.3800	询价	9	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	CSD25404	MOSFET（金属O化物）		8-VSONP (3x3.15)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	250		P沟道	20V	104A（高温）	1.8V、4.5V	6.5毫欧@10A，4.5V	1.15V@250μA	14.1nC@4.5V	±12V	10V时为2120pF	-	2.8W（Ta）、96W（Tc）
CSD25201W15	-	询价	6632	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	9-UFBGA、DSBGA	CSD25201	MOSFET（金属O化物）		9-DSBGA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4A（塔）	1.8V、4.5V	40毫欧@2A，4.5V	1.1V@250μA	5.6nC@4.5V	-6V	510pF@10V	-	1.5W（塔）
CSD87351Q5D	2.2200	询价	9	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerLDFN	CSD87351	MOSFET（金属O化物）	12W	8-LSON (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	32A		7.6毫欧@20A，8V	2.1V@250μA	7.7nC@4.5V		1255pF@15V	逻辑电平门
CSD17484F4	0.4800	询价	57	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD17484	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	3A（塔）	1.8V、8V	121mOhm@500mA，8V	1.1V@250μA	1.2nC@4.5V	12V	195pF@15V	-	500毫W（塔）
CSD23381F4	0.4500	询价	第257章	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD23381	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	12V	2.3A（塔）	1.8V、4.5V	175mOhm@500mA，4.5V	1.2V@250μA	1.14nC@4.5V	-8V	236pF@6V	-	500毫W（塔）
CSD25480F3T	0.9500	询价	43	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD25480	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	250		P沟道	20V	1.7A（塔）	1.8V、8V	132mOhm@400mA，8V	1.2V@250μA	10V时为0.91nC	-12V	155pF@10V	-	500毫W（塔）
CSD16322Q5	1.2800	询价	1	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	CSD16322	MOSFET（金属O化物）		8-VSON-剪辑 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	21A（Ta）、97A（Tc）	3V、8V	5毫欧@20A，8V	1.4V@250μA	9.7nC@4.5V	+10V，-8V	1365pF@12.5V	-	3.1W（塔）
ULN2803ADW	0.8520	询价	4904	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803		-	18-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	40													50V	500毫安	-	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	-	-
SN83969N	-	询价	3941	Texas Instruments	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
CSD87350Q5D	2.7500	询价	14	Texas Instruments	NexFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerLDFN	CSD87350Q5	MOSFET（金属O化物）	12W	8-LSON (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	40A		5.9毫欧@20A，8V	2.1V@250μA	10.9nC@4.5V		1770pF@15V	逻辑电平门
CSD23382F4T	0.8800	询价	4	Texas Instruments	FemtoFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN	CSD23382	MOSFET（金属O化物）		3-PICOSTAR	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	250		P沟道	12V	3.5A（塔）	1.8V、4.5V	76毫欧@500mA，4.5V	1.1V@250μA	1.35nC@4.5V	±8V	235pF@6V	-	500毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(471)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²