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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
SN75468DE4	-	RFQ	4930	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40													100V	500mA				-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD18542KTTT	3.0200	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	200a（200a）（170a tc）（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）
CSD17527Q5A	1.1700	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17527	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±20V	506 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD18533Q5AT	1.6200	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18533	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	17a（17A），100A（tc）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 18A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2750 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD17311Q5	2.0900	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17311	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	32A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.6V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4280 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD87355Q5D	2.6600	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87355Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	-		-	1.9V @ 250µA	13.7nc @ 4.5V		1860pf @ 15V	-
CSD25201W15	-	RFQ	6632	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25201	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2a，4.5V	1.1V @ 250µA	5.6 NC @ 4.5 V	-6V	510 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD18536KTT	4.8700	RFQ	3392	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD19534Q5A	1.0500	RFQ	113	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	44A（TC）	6V，10V	15.1MOHM @ 10A，10V	3.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
JFE150DBVR	1.2493	RFQ	2546	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	JFE150			SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-JFE150DBVR			3,000		n通道	40 V							24pf @ 5V					40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na						50 mA
CSD16323Q3T	-	RFQ	6991	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16323	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16323Q3T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	25 v	20A（20A），105A（tc）	3V，8V	4.5MOHM @ 24A，8V	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	2.8W（ta），74W（tc）
CSD17382F4	0.4600	RFQ	8	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.3a（ta）	1.8V，8V	64mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	10V	347 PF @ 15 V	-	500MW（TA）
TUSB8040RKMR	7.8800	RFQ	2	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-TUSB8040RKMR-296			1
CSD87330Q3D	1.5600	RFQ	33	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87330	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	20a		-	2.1V @ 250µA	5.8NC @ 4.5V		900pf @ 15V	逻辑级别门
CSD17322Q5A	0.4616	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17322	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	87A（TC）	4.5V，8V	8.8mohm @ 14a，8v	2V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±10V	695 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17570Q5BT	2.8100	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17570Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	0.69MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	121 NC @ 4.5 V	±20V	13600 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD87384M	1.7800	RFQ	239	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD16406Q3	1.1700	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16406	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（19a（ta），60a（60a）TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	8.1 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1100 PF @ 12.5 V	-	2.7W（TA）
CSD86356Q5D	1.0929	RFQ	4380	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD25480F3	0.4600	RFQ	11	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25480	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.7A（TA）	1.8V，8V	132MOHM @ 400mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SN74S1056D	-	RFQ	7454	Texas Instruments	*	大部分	积极的				SN74S1056				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	52
CSD87351Q5D	2.2200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87351	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	32a		7.6mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		1255pf @ 15V	逻辑级别门
CSD23201W10	-	RFQ	1128	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD232	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	2.2A（TC）	1.5V，4.5V	82MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	2.4 NC @ 4.5 V	-6V	325 pf @ 6 V	-	1W（ta）
ULN2803CDWR	1.2600	RFQ	4282	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	ULN2803		-	20-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,000													50V	500mA				50µA	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD25404Q3T	1.3800	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25404	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道	20 v	104a（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	14.1 NC @ 4.5 V	±12V	2120 PF @ 10 V	-	2.8W（ta），96w（tc）
SN83969N	-	RFQ	3941	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
CSD17381F4R	-	RFQ	8316	Texas Instruments	FemTofet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD17381F4R	Ear99	8541.21.0095	1		n通道	30 V	3.1a（ta）	1.8V，8V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
SN71632N	0.2400	RFQ	13	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
TPIC5424LDW	1.8700	RFQ	600	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
LM395T/Elli326	-	RFQ	1615年	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-LM395T/ELLI326			1													36 V					-	-	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²