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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SN83939N	-	RFQ	6586	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
SN83969N	-	RFQ	3941	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
ULN2803CDWR	1.2600	RFQ	4282	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	ULN2803		-	20-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,000																50V	500mA			50µA	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD17570Q5B	2.3600	RFQ	11	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17570Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	0.69MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	121 NC @ 4.5 V	±20V	13600 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD13385F5T	0.9600	RFQ	23	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD13385	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	12 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 900mA，4.5V	1.2V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	8V	674 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD75211W1723	-	RFQ	2799	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD75211	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		40mohm @ 2a，4.5V	1.1V @ 250µA	5.9nc @ 4.5V		600pf @ 10V	逻辑级别门
UC1610J	7.3500	RFQ	76	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1
CSD17301Q5A	1.6400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17301	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	28a（28a），100a（tc）	3V，8V	2.6mohm @ 25a，8v	1.55V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	3480 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
UC3610DW	7.3800	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3610	肖特基		16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	40													1.3 V @ 1 A	100 µA @ 40 V	3 a			单相	50 V
CSD75204W15	-	RFQ	1422	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD75204	MOSFET （金属 o化物）	700MW	9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		-	3a		-	900mv @ 250µA	3.9nc @ 4.5V		410pf @ 10V	逻辑级别门
CSD17552Q5A	1.0900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17552	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（17a）（60a）（60a）TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD87355Q5D	2.6600	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87355Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	-		-	1.9V @ 250µA	13.7nc @ 4.5V		1860pf @ 15V	-
CSD87330Q3DT	-	RFQ	6172	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87330	MOSFET （金属 o化物）	6W（TA）	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD87330Q3DT	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）		30V	20A（TA）		9.45mohm @ 15a，5v，3.6mohm @ 15a，5v	2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA	5.8nc @ 4.5V，11.5nc @ 4.5V		900pf @ 15v，1632pf @ 15V	标准
CSD19534KC	1.5900	RFQ	545	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	16.5MOHM @ 30a，10v	3.4V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 50 V	-	118W（TC）
CSD17483F4T	0.9400	RFQ	9	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	30 V	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	240mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	12V	190 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD16406Q3	1.1700	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16406	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（19a（ta），60a（60a）TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	8.1 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1100 PF @ 12.5 V	-	2.7W（TA）
CSD25301W1015	-	RFQ	7649	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.2A（TC）	1.5V，4.5V	75MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD19538Q2	0.5600	RFQ	3329	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	14.4a（ta）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），20.2W（tc）
CSD22204W	0.6500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22204	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	9.9MOHM @ 2A，4.5V	950mv @ 250µA	24.6 NC @ 4.5 V	-6V	1130 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
CSD17305Q5A	0.6663	RFQ	4357	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17305	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	29a（ta），100a（tc）	3V，8V	3.4mohm @ 30a，8v	1.6V @ 250µA	18.3 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	2600 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD16412Q5A	0.9500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16412	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（14A）（52A（ta）（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	530 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
SN46915W	1.0000	RFQ	4369	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
CSD16408Q5	0.6424	RFQ	9150	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16408	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	22a（22a），113a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1300 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD87381PT	1.1100	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87381	MOSFET （金属 o化物）	4W	5-PTAB（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		30V	15a		16.3mohm @ 8a，8v	1.9V @ 250µA	5NC @ 4.5V		564pf @ 15V	逻辑级别门
CSD87350Q5D	2.7500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87350Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	40a		5.9mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		1770pf @ 15V	逻辑级别门
UC3611J	19.3200	RFQ	520	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.10.0080	16
CSD17527Q5A	1.1700	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17527	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±20V	506 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
TIL3011	-	RFQ	7910	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.49.8000	815
CSD17307Q5A	0.8300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17307	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（14A）（ta），73A （TC）	3V，8V	10.5Mohm @ 11a，8v	1.8V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	700 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD16401Q5	2.6400	RFQ	6	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16401	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	38A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 40a，10v	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	4100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²