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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SNJ5522J	7.8800	RFQ	680	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-SNJ555522J-296			1
LP395Z/LFT4	-	RFQ	8332	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	lp395			TO-92-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													36 V		-	NPN	-	-	-
SN75469N	1.0100	RFQ	26	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	SN75469		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD18537NQ5A-P	-	RFQ	6449	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vson（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD18537NQ5A-P	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	11a（11a），54a（tc）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
tps1100dr	0.7130	RFQ	1041	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
TPIC1502DWR	1.2400	RFQ	38	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
CSD25501F3T	0.8900	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xflga	CSD25501F3	MOSFET （金属 o化物）		3-LGA（0.73x0.64）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道	20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.33 NC @ 4.5 V	-20V	385 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SN75468NG4	-	RFQ	9120	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	75468		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD17552Q3A	0.9700	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17552	MOSFET （金属 o化物）		8-son（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
CSD16325Q5C	-	RFQ	5546	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	33A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.4V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4000 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD22206WT	1.3700	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22206	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道	8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.05V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	-6V	2275 PF @ 4 V	-	1.7W（TA）
CSD15380F3T	0.9400	RFQ	9	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD15380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	20 v	500mA（ta）	2.5V，8V	1190MOHM @ 100mA，8v	1.35V @ 2.5µA	0.281 NC @ 10 V	10V	10.5 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD75208W1015T	1.1300	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD75208	MOSFET （金属 o化物）	750MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250	2（p 通道（双）共同来源		20V	1.6a		68mohm @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		410pf @ 10V	逻辑级别门
CSD86311W1723	0.4542	RFQ	1940年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD86311	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	4.5a		39mohm @ 2a，8v	1.4V @ 250µA	4NC @ 4.5V		585pf @ 12.5V	逻辑级别门
CSD22206W	0.7700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22206	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.05V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	-6V	2275 PF @ 4 V	-	1.7W（TA）
TPIC1301DW	-	RFQ	4517	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	59
LP395Z/LFT1	1.6800	RFQ	5	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	lp395			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													36 V		-	NPN	-	-	-
CSD18534KC	1.5300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18534	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	45A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 40a，10v	2.3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1880 pf @ 30 V	-	107W（TC）
CSD19537Q3T	1.6000	RFQ	1947年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19537Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	50a（ta）	6V，10V	14.5mohm @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），83W（tc）
CSD18532Q5B	2.4800	RFQ	753	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），156W（TC）
CSD16556Q5B	2.3200	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16556	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.07MOHM @ 30a，10V	1.7V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	6180 pf @ 15 V	-	3.2W（191W）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²