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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD86311W1723	0.4542	RFQ	1940年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD86311	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	4.5a		39mohm @ 2a，8v	1.4V @ 250µA	4NC @ 4.5V		585pf @ 12.5V	逻辑级别门
SN75468NG4	-	RFQ	9120	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	75468		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75468NSR	1.8100	RFQ	3599	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	75468		-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
LP395Z/LFT4	-	RFQ	8332	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	lp395			TO-92-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000													36 V		-	NPN	-	-	-
CSD19501KC	2.1100	RFQ	6762	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19501	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	6.6mohm @ 60a，10v	3.2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	217W（TC）
CSD17581Q3AT	0.9700	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17581	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 16a，10v	1.7V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3640 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），63W（tc）
CSD16570Q5BT	2.8000	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16570	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	25 v	100A（TA）	4.5V，10V	0.59MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	14000 pf @ 12 V	-	3.2W（TA），195w（（（（（（（（（（
TIL3023	0.3000	RFQ	3	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.49.8000	1
CSD23203W	0.5100	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD23203	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	19.4mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	-6V	914 PF @ 4 V	-	750MW（TA）
SN75469DR	0.8800	RFQ	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
TPS1100PWR	0.7130	RFQ	4284	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	15 v	1.27A（TA）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	504MW（TA）
LM394CH/NOPB	-	RFQ	9184	Texas Instruments	-	盒子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	TO-99-6金属罐	LM394		500MW	14-vson（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	500													20V	20mA	-	2 NPN （双）	100mV @ 100µA，1mA	-	-
TPIC5421LNE	3.6200	RFQ	7	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1
CSD19535KTT	3.4200	RFQ	1192	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	200a（200a）	6V，10V	3.4mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
CSD18513Q5A	1.2300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD17577Q3AT	1.3300	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	35A（TA）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），53W（tc）
CSD19533Q5A	1.5600	RFQ	579	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19533	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	9.4mohm @ 13A，10V	3.4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 50 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD16301Q2	0.5800	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	CSD16301	MOSFET （金属 o化物）		六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	5A（TC）	3V，8V	24mohm @ 4a，8v	1.55V @ 250µA	2.8 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 12.5 V	-	2.3W（ta）
CSD17304Q3	0.8800	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17304	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（15a）（ta），56A（tc）	3V，8V	7.5MOHM @ 17a，8v	1.8V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	955 pf @ 15 V	-	2.7W（TA）
CSD25211W1015	0.6600	RFQ	383	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD25211	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（ta）	2.5V，4.5V	33mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	-6V	570 pf @ 10 V	-	1W（ta）
CSD18535KC	3.1400	RFQ	1074	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	200a（200a）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²