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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
LM394CH/NOPB	-	RFQ	9184	Texas Instruments	-	盒子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	TO-99-6金属罐	LM394		500MW	14-vson（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	500													20V	20mA	-	2 NPN （双）	100mV @ 100µA，1mA	-	-
SN75469DR	0.8800	RFQ	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD22202W15	0.7300	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22202	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	10a（10a）	2.5V，4.5V	12.2MOHM @ 2A，4.5V	1.1V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	1.5W（TA）
CSD23203WT	1.1000	RFQ	40	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD23203	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	19.4mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	-6V	914 PF @ 4 V	-	750MW（TA）
CSD85302LT	1.1500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD85302	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	4-picostar（1.31x1.31）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	-	7.8NC @ 4.5V		-	-
CSD85312Q3E	1.2800	RFQ	2011	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD85312	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源		20V	39a		12.4mohm @ 10a，8v	1.4V @ 250µA	15.2nc @ 4.5V		2390pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD23203W	0.5100	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD23203	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	19.4mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	-6V	914 PF @ 4 V	-	750MW（TA）
CSD86336Q3D	0.7232	RFQ	2118	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86336Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	20A（TA）		9.1MOHM @ 20a，5v，3.4MOHM @ 20a，5v	1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA	3.8NC @ 45V，7.4NC @ 45V		494pf @ 12.5V，970pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD17576Q5BT	1.5700	RFQ	477	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17576Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	2mohm @ 25a，10v	1.8V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	4430 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
CSD17303Q5	1.7500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17303	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	32A（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.6V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	3420 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
tps1100dr	0.7130	RFQ	1041	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD13380F3	0.4500	RFQ	79	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD22205L	0.5400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD22205	MOSFET （金属 o化物）		4 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	7.4a（ta）	1.5V，4.5V	9.9MOHM @ 1A，4.5V	1.05V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	600MW（TA）
CSD18563Q5A	1.4900	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18563	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 18a，10v	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD19537Q3	1.3300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19537	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	50a（ta）	6V，10V	14.5mohm @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），83W（tc）
CSD19531KC	2.2100	RFQ	298	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	7.7MOHM @ 60a，10v	3.3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	214W（TC）
CSD17381F4	0.4200	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	109mohm @ 500mA，8a	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD18511Q5A	1.3900	RFQ	9346	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	159a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 24A，4.5V	2.45V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 10 V	-	104W（TC）
CSD86311W1723	0.4542	RFQ	1940年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD86311	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	4.5a		39mohm @ 2a，8v	1.4V @ 250µA	4NC @ 4.5V		585pf @ 12.5V	逻辑级别门
TPS1120D	1.6926	RFQ	6836	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	75	2（p 通道（双）		15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD86356Q5DT	2.8700	RFQ	8743	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD17573Q5BT	1.9900	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17573Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1mohm @ 35a，10v	1.8V @ 250µA	64 NC @ 4.5 V	±20V	9000 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），195w（（（（（（（（（（
CSD18503Q5A	1.6100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
UC1611J883B	26.1200	RFQ	13	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载				Ear99	8541.10.0080	1
CSD18541F5T	0.9500	RFQ	29	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD18541	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		n通道	60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 1A，10V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	777 PF @ 30 V	-	500MW（TA）
CSD17552Q3A	0.9700	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17552	MOSFET （金属 o化物）		8-son（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
SN75468N	1.0100	RFQ	820	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	75468		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD23280F3	0.4500	RFQ	63	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23280	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	1.8A（ta）	1.5V，4.5V	116mohm @ 400mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.23 NC @ 4.5 V	-6V	234 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD19533KC	1.7500	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19533	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	10.5MOHM @ 55A，10V	3.4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 50 V	-	188W（TC）
CSD17576Q5B	1.3800	RFQ	391	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17576Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	2mohm @ 25a，10v	1.8V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	4430 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²