RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD19502Q5B	2.6500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19502	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	4.1MOHM @ 19a，10v	3.3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 40 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
ULN2004ANE4	-	RFQ	4205	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULN2004				下载				Ear99	8541.29.0095	1
CSD25501F3	0.4300	RFQ	11	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xflga	CSD25501	MOSFET （金属 o化物）		3-LGA（0.73x0.64）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.33 NC @ 4.5 V	-20V	385 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TIL3023	0.3000	RFQ	3	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.49.8000	1
CSD22206W	0.7700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22206	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.05V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	-6V	2275 PF @ 4 V	-	1.7W（TA）
TPIC1301DW	-	RFQ	4517	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	59
CSD86311W1723	0.4542	RFQ	1940年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD86311	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	4.5a		39mohm @ 2a，8v	1.4V @ 250µA	4NC @ 4.5V		585pf @ 12.5V	逻辑级别门
LP395Z/LFT1	1.6800	RFQ	5	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	lp395			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000													36 V		-	NPN	-	-	-
CSD18534KC	1.5300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18534	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	45A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 40a，10v	2.3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1880 pf @ 30 V	-	107W（TC）
CSD19537Q3T	1.6000	RFQ	1947年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19537Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	50a（ta）	6V，10V	14.5mohm @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），83W（tc）
CSD17585F5T	0.9600	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		n通道	30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD25310Q2	0.6200	RFQ	54	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD25310	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	23.9MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	655 pf @ 10 V	-	2.9W（TA）
CSD18513Q5AT	1.3900	RFQ	280	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD87331Q3D	1.3000	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87331Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	15a		-	2.1V，1.2V @ 250µA	3.2nc @ 4.5V		518pf @ 15V	-
CSD23202W10	0.4200	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD23202	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	2.2A（ta）	1.5V，4.5V	53mohm @ 500mA，4.5V	900mv @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	-6V	512 PF @ 6 V	-	1W（ta）
CSD19532Q5BT	2.8200	RFQ	7281	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	4.9mohm @ 17a，10v	3.2V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 50 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD18537NKC	1.3500	RFQ	3	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	6V，10V	14mohm @ 25a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	94W（TC）
CSD1755Q5A	0.7314	RFQ	8729	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17555	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	1.9V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17313Q2T	1.1900	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD17578Q5A	0.7600	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	6.9Mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.3 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），42W（tc）
CSD85312Q3E	1.2800	RFQ	2011	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD85312	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源		20V	39a		12.4mohm @ 10a，8v	1.4V @ 250µA	15.2nc @ 4.5V		2390pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD18503KC	1.8700	RFQ	277	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 20 V	-	188W（TC）
CSD25303W1015	-	RFQ	2361	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（TC）	1.8V，4.5V	58mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD17575Q3	1.1200	RFQ	77	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17575	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4420 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），108W（tc）
CSD17577Q3AT	1.3300	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	35A（TA）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），53W（tc）
FDP032N08	1.0000	RFQ	9754	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP032	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1		n通道	75 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SN910214N-P	-	RFQ	7203	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
CSD19531KC	2.2100	RFQ	298	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	7.7MOHM @ 60a，10v	3.3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	214W（TC）
SN75469DR	0.8800	RFQ	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
TPS1100PWR	0.7130	RFQ	4284	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	15 v	1.27A（TA）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	504MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²