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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD19531Q5A	1.7700	RFQ	2626	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	100A（TC）	6V，10V	6.4mohm @ 16a，10v	3.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
CSD19505KC	3.2800	RFQ	1261	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	150a（ta）	6V，10V	3.8mohm @ 100a，6v	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 40 V	-	300W（TC）
SN75468NSRG4	-	RFQ	8967	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	75468		-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75469NE4	-	RFQ	5657	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0095	160
CSD18504Q5AT	1.3700	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	50a（ta）	4.5V，10V	6.6mohm @ 17a，10v	2.4V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	±20V	1656 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
CSD17585F5T	0.9600	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
TPS1120D	1.6926	RFQ	6836	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75	2（p 通道（双）		15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD18532KC	2.3900	RFQ	5784	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 30 V	-	250W（TC）
CSD18541F5T	0.9500	RFQ	29	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD18541	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 1A，10V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	777 PF @ 30 V	-	500MW（TA）
CSD85302LT	1.1500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD85302	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	4-picostar（1.31x1.31）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	-	7.8NC @ 4.5V		-	-
CSD25310Q2	0.6200	RFQ	54	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD25310	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	23.9MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	655 pf @ 10 V	-	2.9W（TA）
CSD18513Q5AT	1.3900	RFQ	280	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD87351ZQ5D	0.9692	RFQ	7926	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87351	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	32a		-	2.1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		1255pf @ 15V	逻辑级别门
CSD13385F5	0.4900	RFQ	49	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD13385	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 900mA，4.5V	1.2V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	8V	674 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD16321Q5T	2.0500	RFQ	35	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16321	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）		296-CSD16321Q5TCT	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	25 v	29a（ta），100a（tc）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（ta），113W（tc）
CSD19502Q5B	2.6500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19502	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	4.1MOHM @ 19a，10v	3.3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 40 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
ULN2004ANE4	-	RFQ	4205	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULN2004				下载					Ear99	8541.29.0095	1
CSD17573Q5B	1.6200	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17573Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1mohm @ 35a，10v	1.8V @ 250µA	64 NC @ 4.5 V	±20V	9000 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），195w（（（（（（（（（（
FDP032N08	1.0000	RFQ	9754	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP032	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1		n通道	75 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SN75469DR	0.8800	RFQ	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN910214N-P	-	RFQ	7203	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
TPS1100PWR	0.7130	RFQ	4284	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	15 v	1.27A（TA）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	504MW（TA）
CSD17381F4T	0.9800	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道	30 V	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD19505KTTT	4.1300	RFQ	79	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
CSD17575Q3	1.1200	RFQ	77	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17575	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4420 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），108W（tc）
CSD25303W1015	-	RFQ	2361	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（TC）	1.8V，4.5V	58mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD85312Q3E	1.2800	RFQ	2011	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD85312	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源		20V	39a		12.4mohm @ 10a，8v	1.4V @ 250µA	15.2nc @ 4.5V		2390pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD18503KC	1.8700	RFQ	277	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 20 V	-	188W（TC）
CSD23202W10	0.4200	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD23202	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	2.2A（ta）	1.5V，4.5V	53mohm @ 500mA，4.5V	900mv @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	-6V	512 PF @ 6 V	-	1W（ta）
ULN2803ADWR	-	RFQ	5137	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²