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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
CSD17578Q3AT	1.2700	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 15 V	-	3.2W（37W），37W（tc）
CSD13302W	0.4900	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD13302	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	17.1MOHM @ 1A，4.5V	1.3V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±10V	862 PF @ 6 V	-	1.8W（TA）
CSD87334Q3D	0.6547	RFQ	5491	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87334Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	20a		6mohm @ 12a，8v	1.2V @ 250µA	8.3nc @ 4.5V		1260pf @ 15V	逻辑级别门
CSD19537Q3	1.3300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19537	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	50a（ta）	6V，10V	14.5mohm @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），83W（tc）
CSD19535KTT	3.4200	RFQ	1192	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	200a（200a）	6V，10V	3.4mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
CSD18535KC	3.1400	RFQ	1074	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	200a（200a）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）
CSD25202W15	0.6300	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25202	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	26mohm @ 2a，4.5V	1.05V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	-6V	1010 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD87334Q3DT	1.6600	RFQ	7151	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87334Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		30V	-		6mohm @ 12a，8v	1.2V @ 250µA	8.3nc @ 4.5V		1260pf @ 15V	-
CSD23203W	0.5100	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD23203	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	19.4mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	-6V	914 PF @ 4 V	-	750MW（TA）
CSD88584Q5DC	3.7700	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88584Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		40V	-		0.95MOHM @ 30a，10V	2.3V @ 250µA	88nc @ 4.5V		12400pf @ 20V	-
CSD16404Q5A	1.0900	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16404	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21a），81A（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1220 PF @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD18510Q5B	2.3200	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	300A（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 32a，10v	2.3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 20 V	-	156W（TC）
CSD18502KC	2.6400	RFQ	159	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18502	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.1V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 20 V	-	259W（TC）
CSD25211W1015	0.6600	RFQ	383	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD25211	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（ta）	2.5V，4.5V	33mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	-6V	570 pf @ 10 V	-	1W（ta）
CSD17581Q3AT	0.9700	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17581	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 16a，10v	1.7V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3640 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），63W（tc）
CSD22202W15	0.7300	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22202	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	10a（10a）	2.5V，4.5V	12.2MOHM @ 2A，4.5V	1.1V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	1.5W（TA）
CSD18503Q5A	1.6100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
CSD16411Q3	0.8700	RFQ	22	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD16411	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	570 pf @ 12.5 V	-	2.7W（TA）
CSD16413Q5A	1.4000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16413	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 24A，10V	1.9V @ 250µA	11.7 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1780 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD22205L	0.5400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD22205	MOSFET （金属 o化物）		4 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	7.4a（ta）	1.5V，4.5V	9.9MOHM @ 1A，4.5V	1.05V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	600MW（TA）
CSD16403Q5A	1.6500	RFQ	16	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16403	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	1.9V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	+16V，-12V	2660 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD13380F3	0.4500	RFQ	79	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD17577Q5AT	1.4100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 18A，10V	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	（3W）（53W（ta）（TC）
CSD16409Q3	0.9700	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16409	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 17a，10v	2.3V @ 250µA	5.6 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	800 pf @ 12.5 V	-	2.6W（ta）
CSD88539NDT	1.0000	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88539	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		60V	15a		28mohm @ 5a，10v	3.6V @ 250µA	9.4NC @ 10V		741pf @ 30V	逻辑级别门
CSD18532NQ5B	2.6000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	22a（22A），100A（tc）	6V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	3.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5340 pf @ 30 V	-	3.2W（TA）
CSD19538Q3A	0.6500	RFQ	9125	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	15A（TA）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），23W（tc）
CSD18513Q5A	1.2300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD19532KTT	2.6600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	200a（200a）	6V，10V	5.6MOHM @ 90A，10V	3.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5060 pf @ 50 V	-	250W（TC）
CSD18532NQ5BT	2.9700	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	100A（TA）	6V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	3.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5340 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），156W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²