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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
ULN2803ADWR	-	RFQ	5137	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																					50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD86336Q3D	0.7232	RFQ	2118	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86336Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			25V	20A（TA）		9.1MOHM @ 20a，5v，3.4MOHM @ 20a，5v	1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA	3.8NC @ 45V，7.4NC @ 45V		494pf @ 12.5V，970pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD17577Q5AT	1.4100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 18A，10V	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	（3W）（53W（ta）（TC）
CSD25202W15	0.6300	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25202	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	26mohm @ 2a，4.5V	1.05V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	-6V	1010 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD19505KTTT	4.1300	RFQ	79	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
CSD13381F4T	0.9300	RFQ	6	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13381F4	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			n通道	12 v	2.1a（ta）	1.8V，4.5V	180MOHM @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD87335Q3DT	1.9200	RFQ	232	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87335Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）			30V	25a		-	1.9V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		1050pf @ 15V	-
FDP032N08	1.0000	RFQ	9754	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP032	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1			n通道	75 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
CSD18537NQ5A-P	-	RFQ	6449	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vson（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD18537NQ5A-P	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	60 V	11a（11a），54a（tc）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD19502Q5B	2.6500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19502	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	4.1MOHM @ 19a，10v	3.3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 40 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD22206WT	1.3700	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22206	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			P通道	8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.05V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	-6V	2275 PF @ 4 V	-	1.7W（TA）
CSD19505KC	3.2800	RFQ	1261	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	80 V	150a（ta）	6V，10V	3.8mohm @ 100a，6v	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 40 V	-	300W（TC）
CSD17313Q2T	1.1900	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道	30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD17484F4T	0.8800	RFQ	24	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			n通道	30 V	3A（3A）	1.8V，8V	121MOHM @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	0.2 NC @ 8 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD86356Q5DT	2.8700	RFQ	8743	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD16321Q5T	2.0500	RFQ	35	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16321	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）		296-CSD16321Q5TCT	Ear99	8541.29.0095	250			n通道	25 v	29a（ta），100a（tc）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（ta），113W（tc）
CSD18503KC	1.8700	RFQ	277	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 20 V	-	188W（TC）
UC1610L/883B	29.4300	RFQ	108	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1
SN74S1051NS	-	RFQ	3801	Texas Instruments	74	管子	上次购买		表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	74S1051	肖特基		16件事	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-SN74S1051NS	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												12对系列连接	7 V	50mA	1.3 V @ 50 mA	16 ns	5 µA @ 7 V	0°C〜70°C
CSD23202W10	0.4200	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD23202	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	12 v	2.2A（ta）	1.5V，4.5V	53mohm @ 500mA，4.5V	900mv @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	-6V	512 PF @ 6 V	-	1W（ta）
CSD25310Q2	0.6200	RFQ	54	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD25310	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	23.9MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	655 pf @ 10 V	-	2.9W（TA）
CSD13380F3T	0.9400	RFQ	29	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			n通道	12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD16413Q5A	1.4000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16413	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	25 v	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 24A，10V	1.9V @ 250µA	11.7 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1780 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD19532KTT	2.6600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	100 v	200a（200a）	6V，10V	5.6MOHM @ 90A，10V	3.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5060 pf @ 50 V	-	250W（TC）
CSD15380F3T	0.9400	RFQ	9	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD15380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			n通道	20 v	500mA（ta）	2.5V，8V	1190MOHM @ 100mA，8v	1.35V @ 2.5µA	0.281 NC @ 10 V	10V	10.5 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD18502KC	2.6400	RFQ	159	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18502	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.1V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 20 V	-	259W（TC）
CSD13302W	0.4900	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD13302	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	12 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	17.1MOHM @ 1A，4.5V	1.3V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±10V	862 PF @ 6 V	-	1.8W（TA）
CSD16415Q5T	2.8200	RFQ	325	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16415	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道	25 v	100A（TA）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	4100 PF @ 12.5 V	-	3.2W（TA）
CSD25402Q3AT	1.1200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	296-CSD25402Q3ATCT	Ear99	8541.29.0095	250			P通道	20 v	（15a）（ta），76a（tc）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
CSD18532KC	2.3900	RFQ	5784	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 30 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²