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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD16323Q3C	-	RFQ	1183	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16323	MOSFET （金属 o化物）		8-son-ep（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	21a（21a），60a （TC）	3V，8V	4.5MOHM @ 24A，8V	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
LM395T/NOPB	3.7500	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45																	36 V	2.2 a			-	NPN	-	-	-
CSD25484F4T	0.9100	RFQ	16	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	2.5a（ta）	1.8V，8V	94mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	1.42 NC @ 4.5 V	-12V	230 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
ULN2803ADW-P	-	RFQ	3595	Texas Instruments	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	-	rohs3符合条件			296-ULN2803ADW-P	Ear99	8541.29.0095	1																	50V	500mA			50µA	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
LM3046M/NOPB	-	RFQ	6076	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55			-														15V	50mA				5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD83325LT	1.2300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA	CSD83325	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水			12V	-		-	1.25V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		-	-
CSD87588NT	1.6600	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87588	MOSFET （金属 o化物）	6W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			30V	25a		9.6mohm @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	4.1nc @ 4.5V		736pf @ 15V	逻辑级别门
SN75469D	1.0600	RFQ	1	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40																	100V	500mA			-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD13302WT	0.9700	RFQ	965	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD13302	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		12 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	17.1MOHM @ 1A，4.5V	1.3V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±10V	862 PF @ 6 V	-	1.8W（TA）
LM395T	5.2500	RFQ	42	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45																	36 V	2.2 a			-	NPN	-	-	-
CSD75301W1015	-	RFQ	8370	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD75301	MOSFET （金属 o化物）	800MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	1.2a		100mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.1nc @ 4.5V		195pf @ 10V	逻辑级别门
CSD19536KTT	5.0600	RFQ	923	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	200a（200a）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
CSD85301Q2T	1.1300	RFQ	6130	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD85301	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）			20V	5a		27mohm @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		469pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD16411Q3T	-	RFQ	1656年	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16411	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16411Q3T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	570 pf @ 12.5 V	-	35W（TC）
CSD75207W15	0.6800	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD75207	MOSFET （金属 o化物）	700MW	9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）共同来源			-	3.9a		162MOHM @ 1A，1.8V	1.1V @ 250µA	3.7nc @ 4.5V		595pf @ 10V	逻辑级别门
SN74ACT202LA15NP	-	RFQ	1750	Texas Instruments	*	大部分	积极的				74ACT202				-						0000.00.0000	1
CSD18512Q5B	1.9000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
LP395Z/NOPB	1.8000	RFQ	4	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	lp395			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800																	36 V				-	NPN	-	-	-
CSD17507Q5AT	0.6216	RFQ	5366	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17507	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	-	不适用	（1 （无限）		296-CSD17507Q5ATTR	Ear99	8541.29.0095	250		n通道		30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2.1V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD87313DMS	0.8236	RFQ	9807	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CSD87313	MOSFET （金属 o化物）		8-wson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水			30V	-		-	1.25V @ 250µA	28nc @ 4.5V		4290pf @ 15V	-
CSD25481F4T	0.8900	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD19536KC	4.9800	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	150a（ta）	6V，10V	2.7MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
TPIC1501ADWR	2.5100	RFQ	18	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000
CSD18537NQ5AT	1.1000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD18512Q5BT	2.1700	RFQ	2134	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
UC3610DWTR	3.8235	RFQ	9559	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3610	肖特基		16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000														1.3 V @ 1 A	100 µA @ 40 V	3 a			单相	50 V
CSD18504KC	1.6200	RFQ	103	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	53A（ta），100A （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 40a，10v	2.3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	115W（TC）
CSD13381F4T	0.9300	RFQ	6	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13381F4	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	2.1a（ta）	1.8V，4.5V	180MOHM @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD87333Q3D	1.3000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87333Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	15a		14.3MOHM @ 4A，8V	1.2V @ 250µA	4.6NC @ 4.5V		662pf @ 15V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD23203WT	1.1000	RFQ	40	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD23203	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	19.4mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	-6V	914 PF @ 4 V	-	750MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²