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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5746C | 3.7200 | ![]() | 4667 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5746 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 19 V | 27 V | 80欧姆 | ||
![]() | 1N5750B | 1.8600 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5750 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 27 V | 39 v | 130欧姆 | ||
1N4896 | 24.1650 | ![]() | 3863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -25°C〜100°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N4896 | 400兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 400欧姆 | |||||
1N4910 | 90.7200 | ![]() | 6176 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -25°C〜100°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N4910 | 400兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 50欧姆 | |||||
![]() | 1N4920A | 71.7900 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4920 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 300欧姆 | ||||
![]() | 1N4923A | 43.4700 | ![]() | 7110 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4923 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 150欧姆 | ||||
1N4959 | 6.6150 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4959 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||||
1N4961 | 8.7300 | ![]() | 1224 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4961 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2266-1N4961 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3欧姆 | |||
1N4965US | 9.1950 | ![]() | 6741 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4965 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 15.2 V | 20 v | 4.5欧姆 | |||
1N4968US | 9.1950 | ![]() | 5877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4968 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6欧姆 | |||
1N4971 | 6.9800 | ![]() | 7926 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4971 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | ||||
1N4978US | - | ![]() | 8181 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4978 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 51.7 V | 68 v | 50欧姆 | |||
![]() | 1N3022B-1 | 8.1900 | ![]() | 2535 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3022 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | ||
1N3024BUR-1 | 15.3000 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1N3024 | 1 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | |||
1N3025BUR-1 | 15.3000 | ![]() | 1708年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1N3025 | 1 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||
1N3043BUR-1 | 15.3000 | ![]() | 8789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1N3043 | 1 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | |||
![]() | 1N3311RA | 49.3800 | ![]() | 2490 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3311 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 1欧姆 | ||
![]() | 1N3313A | 49.3800 | ![]() | 9948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3313 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 11.4 V | 14 V | 1.2欧姆 | ||
![]() | 1N3314A | 49.3800 | ![]() | 7520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3314 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 11.4 V | 15 v | 1.4欧姆 | ||
![]() | 1N3316B | 49.3800 | ![]() | 3863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3316 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 13 V | 17 V | 1.8欧姆 | ||
![]() | 1N3319A | 49.3800 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3319 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 15.2 V | 20 v | 2.4欧姆 | ||
![]() | 1N3327B | 49.3800 | ![]() | 4779 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3327 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 29.7 V | 39 v | 4欧姆 | ||
![]() | 1N3328A | 49.3800 | ![]() | 3554 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3328 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 4.5欧姆 | ||
![]() | 1N3330RB | 49.3800 | ![]() | 8184 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3330 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 5欧姆 | ||
![]() | 1N3331A | 49.3800 | ![]() | 4880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3331 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 38.8 V | 50 V | 5欧姆 | ||
![]() | 1N3332B | 49.3800 | ![]() | 1965年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3332 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 38.8 V | 51 v | 5.2欧姆 | ||
![]() | 1N2820B | 94.8900 | ![]() | 9657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2820 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 2.6欧姆 | ||
![]() | 1N2823A | 94.8900 | ![]() | 4211 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2823 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 3欧姆 | ||
![]() | 1N2826B | 94.8900 | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2826 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 29.7 V | 39 v | 4欧姆 | ||
![]() | 1N2837A | 94.8900 | ![]() | 1986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2837 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 15欧姆 |
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