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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1月1N647-1	-	RFQ	5936	微芯片技术	-	大部分	积极的		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N647	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JANTX1N4148-1	0.8600	RFQ	3	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANTX1N4150-1	1.1200	RFQ	1	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/231	大部分	积极的		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4150	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N5711-1	7.3200	RFQ	6030	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5711	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												70 v	410 MV @ 1 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
JANTX1N5711UR-1	11.7800	RFQ	5327	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的		表面安装	do-213aa	1N5711	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												70 v	1 V @ 15 ma		200 na @ 100 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
TN0604N3-G-P013	1.1400	RFQ	5103	微芯片技术	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0604	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道	40 V	700mA（TJ）	5V，10V	750MOHM @ 1.5A，10V	1.6V @ 1mA		±20V	190 pf @ 20 V	-	740MW（TA）
TN0610N3-G-P003	1.0500	RFQ	7832	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0610	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	100 v	500mA（TJ）	3V，10V	1.5OHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
TN0610N3-G-P013	1.0500	RFQ	2151	微芯片技术	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0610	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	100 v	500mA（TJ）	3V，10V	1.5OHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
TN2425N8-G	1.7000	RFQ	192	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TN2425	MOSFET （金属 o化物）		SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	250 v	480mA（TJ）	3V，10V	3.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	200 pf @ 25 V	-	1.6W（TC）
TN5325K1-G	0.6800	RFQ	4	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN5325	MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	250 v	150mA（ta）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
TN5325N3-G-P002	0.6400	RFQ	2803	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN5325	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道	250 v	215ma（ta）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	740MW（TA）
TN5325N8-G	0.7800	RFQ	4021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-243AA	TN5325	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	250 v	316ma（TJ）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
TN5335K1-G	1.0000	RFQ	8622	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN5335	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	350 v	110mA（TJ）	3V，10V	15ohm @ 200mA，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
TP2104N3-G-P003	0.8400	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TP2104	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道	40 V	175ma（tj）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	740MW（TA）
TP2424N8-G	-	RFQ	2814	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TP2424	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	240 v	316ma（TJ）	4.5V，10V	8ohm @ 500mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	200 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
TP2510N8-G	1.5400	RFQ	15	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TP2510	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	100 v	480mA（TJ）	10V	3.5OHM @ 750mA，10V	2.4V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
TP2540N8-G	1.9400	RFQ	7120	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TP2540	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	400 v	125mA（tj）	4.5V，10V	25ohm @ 100mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
TP2640LG-G	2.4900	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TP2640	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,300			P通道	400 v	86ma（TJ）	2.5V，10V	15ohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA		±20V	300 pf @ 25 V	-	740MW（TA）
TP5322N8-G	0.6400	RFQ	3213	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TP5322	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道	220 v	260mA（tj）	4.5V，10V	12ohm @ 200mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
VN0106N3-G-P003	0.7100	RFQ	7999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN0106	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	60 V	350mA（TJ）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2.4V @ 1mA		±20V	65 pf @ 25 V	-	1W（TC）
VN0300L-G-P002	1.5400	RFQ	3946	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN0300	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	30 V	640mA（TJ）	5V，10V	1.2OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA		±30V	190 pf @ 20 V	-	1W（TC）
VN10KN3-G-P003	0.5400	RFQ	1740年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN10KN3	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	60 V	310mA（TJ）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±30V	60 pf @ 25 V	-	1W（TC）
VN1206L-G-P002	1.7200	RFQ	2576	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN1206	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	120 v	230ma（tj）	2.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±30V	125 pf @ 25 V	-	1W（TC）
VN2410L-G-P014	0.9800	RFQ	5317	微芯片技术	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN2410	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	240 v	190mA（tj）	2.5V，10V	10ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1W（TC）
VN2450N8-G	1.5000	RFQ	44	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	VN2450	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	500 v	250mA（TJ）	4.5V，10V	13ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
APTMC120AM16CD3AG	-	RFQ	2840	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTMC120	（SIC）	625W	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	131a（TC）		20mohm @ 100a，20v	2.2V @ 5mA ty（typ）	246nc @ 20V		4750pf @ 1000V	-
JANTX2N4150S	9.9883	RFQ	7540	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4150		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																					70 v	10 a	10µA	NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANTX2N5237	21.7588	RFQ	5846	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5237		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																					120 v	10 a	10µA	NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANTX2N5416S	10.3208	RFQ	5835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5416		750兆w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																					300 v	1 a	1ma	PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
JANTX2N5665	31.1619	RFQ	3034	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5665		2.5 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	5 a	200NA	NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²