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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io（io） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANTX1N4994US Microchip Technology JANTX1N4994US -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 251 V 330 v 1175欧姆
JANTX1N5521B-1 Microchip Technology JANTX1N5521B-1 6.5600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5521 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1.5 V 4.3 v 18欧姆
JANTX1N6324 Microchip Technology JANTX1N6324 13.9950
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6324 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 8 V 10 v 6欧姆
JANTX1N971B-1 Microchip Technology JANTX1N971B-1 2.5200
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N971 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 21 V 27 V 41欧姆
DN2535N3-G Microchip Technology DN2535N3-G 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 包 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） DN2535 MOSFET （金属 o化物） TO-92（to-226） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 350 v 120mA（TJ） 0V 25ohm @ 120mA，0v - ±20V 300 pf @ 25 V 耗尽模式 1W（TC）
JANS1N6312DUS Microchip Technology JANS1N6312DUS -
RFQ
 ECAD 1957年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 3.3 v 27欧姆
JANTXV1N6316US Microchip Technology JANTXV1N6316US -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 17欧姆
JANTXV1N6488 Microchip Technology JANTXV1N6488 -
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 SQ-MELF，a 1N6488 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JANTXV1N6490 Microchip Technology JANTXV1N6490 -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
JAN1N935B-1 Microchip Technology 1月1N935B-1 -
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/156 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N935 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
JAN1N937B-1 Microchip Technology 1月1N937B-1 -
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/156 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N937 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20欧姆
JAN1N943B-1 Microchip Technology 1月1N943B-1 -
RFQ
 ECAD 2220 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
JANTX1N2841B Microchip Technology JANTX1N2841B -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2841 50 W TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 91.2 V 120 v 40欧姆
JANTX1N2842B Microchip Technology JANTX1N2842B -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2842 50 W TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 98.8 V 130 v 50欧姆
JAN1N2974RB Microchip Technology 1月1N2974RB -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2974 10 W DO-213AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 25 µA @ 7.6 V 10 v 3欧姆
JAN1N3015B Microchip Technology Jan1n3015b -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 10 W DO-213AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 152 V 200 v 300欧姆
JANTX1N4553B Microchip Technology JANTX1N4553B -
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N4553 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 20 µA @ 1 V 5.6 v 0.12欧姆
JANTX1N5968 Microchip Technology JANTX1N5968 -
RFQ
 ECAD 1940年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5968 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTX1N4489 Microchip Technology JANTX1N4489 14.4400
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4489 1.5 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 na @ 80 V 100 v 250欧姆
JANTX1N4624UR-1 Microchip Technology JANTX1N4624UR-1 11.5500
RFQ
 ECAD 4769 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTX1N4970 Microchip Technology JANTX1N4970 6.4800
RFQ
 ECAD 508 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4970 5 w - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
JANTX1N4973 Microchip Technology JANTX1N4973 7.9000
RFQ
 ECAD 822 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4973 5 w - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
JANTX1N4980 Microchip Technology JANTX1N4980 8.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4980 5 w - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JANTX1N6326 Microchip Technology JANTX1N6326 13.6600
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6326 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 9 V 12 v 7欧姆
JANTX1N975BUR-1 Microchip Technology JANTX1N975BUR-1 -
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N975 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 30 V 39 v 90欧姆
APTM20AM08FTG Microchip Technology APTM20AM08FTG 178.3214
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM20 MOSFET （金属 o化物） 781W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 200V 208a 10mohm @ 104a，10v 5V @ 5mA 280NC @ 10V 14400pf @ 25V -
APTM50SKM19G Microchip Technology APTM50SKM19G 200.7200
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM50 MOSFET （金属 o化物） SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 163a（TC） 10V 22.5MOHM @ 81.5A，10V 5V @ 10mA 492 NC @ 10 V ±30V 22400 PF @ 25 V - 1136W（TC）
APTDF200H120G Microchip Technology APTDF200H120G 138.5800
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTDF200 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 3 V @ 200 A 150 µA @ 1200 V 235 a 单相 1.2 kV
APTDF30H1201G Microchip Technology APTDF30H1201G 40.7200
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTDF30 标准 SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 3.1 V @ 30 A 100 µA @ 1200 V 43 a 单相 1.2 kV
APTDF400KK20G Microchip Technology APTDF400KK20G 129.7600
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘安装 LP4 APTDF400 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 500a 1.1 V @ 400 A 60 ns 750 µA @ 200 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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