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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce
SMBG5363CE3/TR13	-	RFQ	7346	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5363		5 w		SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 21.6 V											30 V	8欧姆
SMBG5366A/TR13	2.2200	RFQ	5789	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5366		5 w		SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 28.1 V											39 v	14欧姆
SMBG5370CE3/TR13	1.4400	RFQ	1720年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5370		5 w		SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V											56 v	35欧姆
1N4738PE3/TR12	0.9150	RFQ	3201	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 6 V											8.2 v	4.5欧姆
1N4741CPE3/TR12	1.1550	RFQ	1908年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4741		1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 8.4 V											11 V	8欧姆
1N5340A/TR12	2.6250	RFQ	4908	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	1 µA @ 3 V											6 V	1欧姆
1N5359/TR12	2.6250	RFQ	8379	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5359		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 17.3 V											24 V	3.5欧姆
1N5365A/TR12	2.6250	RFQ	4035	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V											36 V	11欧姆
1N5372CE3/TR12	3.3900	RFQ	1342	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w		T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 44.6 V											62 v	42欧姆
1N5354/TR12	2.6250	RFQ	9263	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5354		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 12.2 V											17 V	2.5欧姆
1N5918AE3/TR13	0.9900	RFQ	6804	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5918		1.5 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 2 V											5.1 v	4欧姆
APT70GR120L	13.2200	RFQ	4409	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT70GR120	标准	961 w		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		600V，70a，4.3Ohm，15V			npt	1200 v	160 a	280 a	3.2V @ 15V，70a	3.82mj（在）上，2.58mj（2.58MJ）	544 NC	33ns/278ns
APT70GR120J	29.8400	RFQ	7380	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4	APT70GR120		543 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的				npt	1200 v	112 a		3.2V @ 15V，70a				1 MA	不			7.26 NF @ 25 V
JANTXV1N827UR-1	17.7600	RFQ	1674年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213aa	1N827		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V											6.2 v	15欧姆
1N2809RB	96.0150	RFQ	7947	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2809		50 W		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 8.4 V											11 V	0.8欧姆
1N3518A	2.4900	RFQ	5408	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3518		500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma												1 V	7欧姆
1N4124ur	3.7950	RFQ	7720	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4124		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 32.65 V											43 V	250欧姆
1N4128ur	3.7950	RFQ	1460	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4128		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 45.6 V											60 V	400欧姆
1N4551RB	53.5800	RFQ	5986	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4551		500兆		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	100 µA @ 1 V											4.7 v	0.12欧姆
1N4552RB	53.5800	RFQ	4926	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4552		500兆		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 1 V											5.1 v	0.12欧姆
1N4553RB	53.5800	RFQ	7282	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4553		500兆		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 1 V											5.6 v	0.12欧姆
1N4555B	53.5800	RFQ	2510	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4555		500兆		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 2 V											6.8 v	0.16欧姆
1N4556B	53.5800	RFQ	9081	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4556		500兆		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 3 V											7.5 v	0.24欧姆
1N4559RB	74.3550	RFQ	9651	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N4559		50 W		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	100 µA @ 1 V											4.7 v	0.12欧姆
1N4561B	-	RFQ	4434	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N4561		50 W		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 1 V											5.6 v	0.12欧姆
1N4563B	-	RFQ	6305	微芯片技术	-	大部分	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N4563		50 W		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 2 V											6.8 v	0.16欧姆
1N4615ur	3.3000	RFQ	9100	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4615		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 1 V											2 v	1250欧姆
1N4618ur	3.4200	RFQ	5235	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4618		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 1 V											2.7 v	1500欧姆
1N4622-1	2.6400	RFQ	8700	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4622		500兆		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 2 V											3.9 v	1650年
1N4624ur	3.3000	RFQ	2684	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4624		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 3 V											4.7 v	1550年

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²